High speed, low driving voltage vertical cavity germanium-silicon modulators for optical

Photon. Tech. Lett., vol. 15, no. 11, pp. 1531–1533, Nov. 2003.

---

 
 
 
94 
26. 
Y. Miyake, J. Y. Kim, Y. Shiraki, and S. Fukatsu, “Absence of Stark shift in strained Si
1 – x
Ge
x
/Si 
type-I quantum wells,” Appl. Phys. Lett., vol. 68, no. 15, pp. 2097–2099, Apr. 1996. 
27. 
O. Qasaimeh, P. Bhattacharya, and E. T. Croke, “SiGe–Si quantum-well electroabsorption 
modulators,” IEEE J. Photon Tech. Lett., vol. 10, no. 6, pp. 807–809, Jun. 1998. 
28. 
C. Li, Q. Yang, H. Wang, H. Wei, J. Yu, and Q. Wang, “Observation of quantum-confined Stark 
shifts in SiGe/Si type-I multiple quantum wells,” J. Appl. Phys., vol. 87, no. 11, pp. 8195–8197, 
Jun. 2000. 
29. 
J. S. Park, R. P. G. Karunasiri, and K. L. Wang, “Observation of large Stark shift in GexSi
1–x
/Si 
multiple quantum wells,” J. Vac. Sci. Technol. B, vol. 8, no. 2, pp. 217–220, Mar. 1990. 
30. 
A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, V. V. Ulyanov, A. G. Milekhin, A. O. 
Govorov, S. Schulze, and D. R. T. Zahn, “Stark effect in type-II Ge/Si quantum dots,” Phys. Rev. 
B, vol. 67, no. 12, pp. 125318 (1-5), Mar. 2003. 
31. 
Y.-H. Kuo, Y. K. Lee, Y. Ge, S. Ren, J. E. Roth, T. I. Kamins, D. A. B. Miller, and J. S. Harris, 
“Strong quantum-confined Stark effect in germanium quantum-well structures on silicon,” 
Nature, vol. 437, pp. 1334–1336, Oct. 2005. 
32. 
Juthika Basak, Ling Liao, Ansheng Liu, Doron Rubin, Yoel Chetrit, Hat Nguyen,Dean 
Samara-Rubio, Rami Cohen, Nahum Izhaky, and Mario Paniccia, “Developments in Gigascale 
Silicon Optical Modulators Using Free Carrier Dispersion Mechanisms” Advances in Optical 
Technologies 2009 
33. 
Jifeng Liu, Mark Beals, Andrew Pomerene, Sarah Bernardis, Rong Sun, Jing Cheng, Lionel C. 
Kimerling and Jurgen Michel, “Waveguide-integrated, ultralow-energy GeSi electro-absorption 
modulators” Nature Photonics, Vol 2 pp433-437, Jul, 2008. 
34. 
J. Singh, Physics of Semiconductors and Their Heterostructures. New York, NY: McGraw-Hill, 
1993, ch.16. 
35. 
S. L. Chuang, Physics of Optoelectronics Devices. New York, NY: Wiley, 1995, ch. 13. 
36. 
C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 7
th
ed. Hoboken, NJ: Wiley, 1996, pp. 314. 
37. 
B. Pezeshki, S. M. Lord, T. B. Boykin, B. L. Shoop, and J. S. Harris, Jr., "AlGaAs/AlAs QW 
Modulator for 6328Å Operation", Elect. Letts., 27, pp. 1971-1973, October 1991.
38. 
D. A. B. Miller, J. S. Weiner and D. S. Chemla, "Electric field dependence of linear optical 
properties in quantum well structures: waveguide electroabsorption and sum rules," IEEE J. 
Quantum Electron., vol. 22, no. 9, pp. 1816-1830, Sep. 1986. 
39. 
S. Wang, Fundamentals of Semiconductor theory and Device Physics, Prentice Hall, Englewood 
Cliffs, NJ, 1989

---

 
 
 
95 
40. 
J. S. Weiner, D. S. Chemla, D. A. B. Miller, H. A. Haus, A. C. Gossard, W. Wiegmann, and C. A. 
Burrus, "Highly anisotropic optical properties of single quantum well waveguides," Appl. Phys. 
Lett., vol. 47, no. 7, pp. 664-667, Oct. 1985. 
41. 
M. Matsuura and T. Kamizato, “Subbands and excitons in a quantum well in an electric field,” 
Phys. Rev. B, vol. 33, no. 12, pp. 8385-8389, Jun. 1986. 
42. 
R. People, “Physics and applications of Ge
x
Si
1-x
/Si strained-layer heterostructure,” IEEE J.