High speed, low driving voltage vertical cavity germanium-silicon modulators for optical

 
 
 
98 
80. 
Y.-H. Kuo, X. Yu, J. Fu, T. I. Kamins, G. S. Solomon, and J. S. Harris, "Direct growth of Ge on 
Si by molecular beam epitaxy for CMOS integrated long wavelength optical devices," Material 
Research Society Spring meeting, Symposium D.19, Mar. 2005. 
81. 
O. O. Olubuyide, D. T. Danielson, L. C. Kimerling, and J. L. Hoyt, “Impact of seed Layer on 
material quality of epitaxial germanium on silicon deposited by low pressure chemical vapor 
deposition,” Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), 
Sec. B3, May 2005. 
82. 
A. Nayfeh, C. O. Chui, T. Yonehara, and K. C. Saraswat, “Effects of hydrogen annealing on 
heteroepitaxial-Ge layers on Si: surface roughness and electrical quality,” Appl. Phys. Lett., vol. 
85, no. 14, pp. 2815-2817, Oct. 2004. 
83. 
L. Vivien, et al., “42 GHz p.i.n Germanium photodetector integrated in a silicon-on-insulator 
waveguide” Optics Express vol.7 no.8, pp. 6252-6257, Apr. 2009 
84. 
W. C. Dash and R. Newman, “Intrinsic optical absorption in single-crystal germanium and 
silicon at 77◦K and 300◦K,” Phys. Rev., vol. 99, no. 4, pp. 1151–1155, Aug. 1955. 
85. 
Masaharu Kobayashi, Atsuhiro Kinoshita, Krishna Saraswat, H.-S. Philip Wong, and Yoshio 
Nishi,“Fermi level depinning in metal/Ge Schottky junction for metal source/drain Ge 
metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor application” Journal of applied physics 105, 
023702 2009 
86. 
K. L. Hall, G. Lenz, E. P. Ippen, and G. Raybon, "Heterodyne pumpprobe technique for 
time-domain studies of optical nonlinearities in waveguides," Opt. Lett. 17, p.874-876, (1992). 
87. 
K. L. Hall, A. M. Darwish, E. P. Ippen, U. Koren and G. Raybon, "Femtosecond index 
nonlinearities in InGaAsP optical amplifiers," App. Phys. Lett. 62, p.1320-1322, (1993). 
88. 
K. L. Hall, G. Lenz, A. M. Darwish, E. P. Ippen, "Subpicosecond gain and index nonlinearities in 
InGaAsP diode lasers," Opt. Comm. 111, p.589-612 (1994). 
89. 
J. A. Valdmanis, G. Mourou, and C. W. Gabel, “Picosecond electro-optic sampling system,” 
Appl. Phys. Lett. 41, p. 211-212 (1982). 
90. 
S. Gupta,M. Y. Frankel, J. A. Valdmanis, J. F. Whitaker, G. A.Mourou, F. W. Smith and A. R. 
Calaw , "Subpicosecond carrier lifetime in GaAs grown by molecular beam epitaxy at low 
temperatures," App. Phys. Lett. 59, pp. 3276-3278 1991 
91. 
B. H. Kolner and D. M. Bloom, "Electrooptic Sampling in GaAs Integrated Circuits," IEEE J. 
Quantum Elect.22, 79-93 (1986). 
92. 
Elizabeth H. Edwards, Ross M. Audet, Yiwen Rong, Stephanie A. Claussen, Rebecca K. 
Schaevitz, Emel Taşyürek, Shen Ren, Ted I. Kamins, James S. Harris, and David A. B. Miller 

---

 
 
 
99 
"Si-Ge Surface-normal Asymmetric Fabry-Perot Quantum-confined Stark Effect 
Electroabsorption Modulator" IEEE Phot. Soc. Mtg Denver 2010 submitted 
93. 
Shen Ren*, Yiwen Rong, Theodore I. Kamins, James S. Harris, David A. B. Miller "Integration 
of Germanium Quantum Well Structures on a Silicon-on-Insulator Waveguide Platform for 
Optical Modulator Applications" Group IV photonics 2010 
94. 
D. W. Jenkins and J. D. Dow, “Electronics properties of metastable Ge
x
Sn
1-x
alloys,” Phys. Rev. 
B, vol. 36, no. 15, pp. 7994-8000, Nov. 1987. 
95. 
G. He and H. A. Atwater, “Interband transitions in SnxGe1-x alloys,” Phys. Rev. Lett., vol. 79, 
no. 10, pp. 1937-1940, Sep. 1997. 
96. 
R. Roucka, J. Tolle, C. Cook, A. V. G. Chizmeshya, J. Kouvetakis, V. D’Costa, J. Menendez, Z. 
D. Chen, and S. Zollner, “ Versatile buffer layer architectures based on Ge1-xSnx alloys,” Appl. 
Phys. Lett., vol. 86, no. 19, pp.191912 (1-3), May 2005. 
97. 
V.R. D’Costa, Y.-Y. Fang, J. Tolle, J. Kouvetakis and J. Menéndez, “Ternary GeSiSn alloys: 
New opportunities for strain and bandgap engineering using group-IV semiconductors”, Thin 
Solid Films 518(9), 2531-2537 (2010) 
98. 
V.R. D'Costa, Y.-Y. Fang, J. Tolle, J. Kouvetakis and J. Menéndez, "Direct absorption edge in 
GeSiSn alloys", American Institute of Physics: Physics of Semiconductors 1199, 39-40 (2009)