Hozirgi sharoitda yoqilg‘ini sezilarli darajada tejashning ikki yo‘li mavjud: avtomobilni garajda yoping va piyoda yurish yoki avtomobilga avtogaz uskunalari o‘rnatish

2.2. Gaz sarfini raqamli aks ettiruvchi optoelektron qurilmani qurilmanin elementlarini tanlash

Endi, taklif qilinayotgan gazning halokatli chiqishini aniqlovchi optik tolali optoelektron qurilmaning blok sxema (3.2-rasmda keltirilgan) bo‘yicha prinsipial sxemasini loyixalashni ko‘rib chiqamiz.

2.5-rasmda bir tranzistor va invertorli multivibrator sxemasi sxemasi berilgan.

2.5-rasm. Bir tranzistor va invertorli multivibrator sxemasi

Optoelektron qurilmani qurish uchun quyidagi mikrosxemalar va tranzistorlar ishlatildi: 1) mikrosxemalar K544SA3, K155LAZ, K155ID1, K155TM2 i K155IE2 2) tranzistorlar KT315I, KT626A, KT801 i KP303J. 3.10.-rasmda optoelektron qurilmaning uzatish blokini prinsipial sxemasi ko‘ratilgan. U impulslar generatori, trigger, chastota bo‘lgich, eksponensial funksiya generatori va eksponensial modulyatoridan iboratdir. Impulslar generatori K155LAZ tipli mikrosxemada qurilgan bo‘lib, u kerakli amplitudali va f = 1000 Gs chastotali to‘rt burchakli impulslar ishlab chiqaradi. Bu impulslar K155TM2 tipli mikrosxemada qurilgan va simmetrik qarama-qarshi fazali impulslar beruvchi triggerga kelib tushib, undan chastota bo‘lgichga o‘tadi. Mazkur triggeruchta ketma-ket ulangan K155IE2 tipli mikrosxemalarda qurilgan bo‘lib, har bir mikrosxema K = 10 bo‘lish koefitsientiga egadir va umuiy bo‘lish koefitsienti K = 1000-ga teng. To‘rt burchakli impulslar chastota bo‘lgich chiqishidan R₂C₂ differensiallovchi zanjir orqali eksponensial funksiya generatoriga tushadi.

VT₁ va VT₂ tranzistorlar ochiladi. Kondensator S₃ qisqa vaqt oralig‘ida to‘lasicha zaryadlanadi, buning uchun  = R₂C₂ vaqt oralig‘i tanlab olinadi. VT₂ tranzistor berkilgandan so‘ng S₃ kondensator R₅ orqali razryadlana boshlaydi. Natijada S₃ kondensator chiqishida eksponensial impuls paydo bo‘ladi. Hosil bo‘lgan eksponensial impuls tok bo‘yicha VT₃ tranzistorda qurilgan emitterli qaytirgichda kuchaytiriladi. R₆ rezistori eksponensial impulsning oxirgi qismini buzilishiga yo‘l qo‘ymaydi.
Kuchaytirilgan eksponensial impuls VT₃ chiqishidan R₈ rezistor orqali VT₆ tranzistorda qurilgan modulyatorga ulangan VT₄ emitterli qaytirgich kirishiga tushadi. Modulyator kirishida impuls hosil bo‘lishi bilan VT₆ tranzistor ochiladi va VT₄ emitter qaytirgich kirishini shuntlaydi. Shunday qilib, diskret eksponensial impulslar VT₄, VT₅ tranzistorlarida qurilgan emitter qaytirgichlarida tok bo‘yicha kuchaytirilib, R₁₃ rezistor orqali nur tarqatuvchi diod ID₁ uzatiladi.
Nur tarqatuvchi diod ID₁ dan chiqqan nurlar oqimi tekshirilayotgan ob’ekt orqali o‘tib, FR fotopriemnikda tutiladi. Bu yerda nur oqimi elektr signaliga aylantirilib, VT₁₀ tranzistorda qurilgan kuchaytirgichga uzatiladi. Keyin bu signal K544SA3 tipli mikrosxemada qurilgan taqqoslash qurilmasiga tushadi va chiqishdan to‘g‘riburchakli impulslar differensiriallovchi zanjir R₂₈C₇ orqali K155LA3 tipli mikrosxemada qurilgan mos kelish sxemasiga tushadi. Bir kirishiga K155LA3 (DD_1.3, DD_1.4) tipli mikrosxemada qurilgan differensiriallovchi qurilmadan to‘g‘ri burchakli impulslar beriladi. DD_6.2 mikrosxema chiqishida hosil bo‘lgan impulslar DD₇, DD₉ DD₁₁ mikrosxemalarda qurilgan sanagich kirishiga beriladi.

2.3. Nur tarqatuvchi diodlarni tanlash

Buzmasdan nazorat qiluvchi optoelektron qurilmalarda asosan nur tarqatuvchi diodlardan foydalaniladi.

Nur tarqatuvchi diodlarni ishlash jarayoni yarim o‘tkazgichlarda rekombinatsiyali lyuminasentsiya xodisasidan foydalanishdan iborat. Qo‘zg‘algan kavakni elektronlari rekombinatsiyasi kvant yorug‘lanishi bilan birgalikda bo‘ladi. Oddiy sharoitda bunday rekombinatsiyalar shu darajada kamki ularni yoritilishi sezilarli emas.
Nur tarqatuvchi diod bu maxsus tanlangan o‘tkazuvchanligi va r-n o‘tishlari har xil bo‘lgan ikkita yarim o‘tkazgichni birlashmasidir. R –o‘tkazuvchanlik yarim o‘tkazgich musbat qutbga ulanadi, n –o‘tkazuvchanlik yarim o‘tkazgich manfiy qutbga ulanadi.
Natijada, r-n o‘tishda kavaklar r-yarim o‘tkazgichdan n-yarim o‘tkazgichga, elektronlar esa aksincha harakatlanadi. r-n o‘tishni shu yerida sekundiga shuncha ko‘p rekombinatsiya sodir bo‘ladiki, natijada sezilarli darajada yoritilish hosil bo‘ladi. r-n o‘tish zonasida bunday o‘tish har qanday yarim o‘tkazgichda bor. Ammo material kerakli holatda tanlanmagan bo‘lsa, yoritish past va sezilarli bo‘ladi. Bu yorug‘likni to‘lqin uzunliklari berilgan nur tarqatuvchi diodlar yasalgan, r va n yarim o‘tkazgichlarini materialini tanlash bilan aniqlanadi.
Yarim o‘tkazgichlar materialining sindirish burchagi =arcsin(n₁/n₂) unchalik katta emas, shuning uchun nur tarqatuvchi diodni tekis yuzasidan unda hosil bo‘lgan yorug‘likni katta qismi to‘la ikki qaytarishga uchraydi va tashqariga chiqmaydi.