Ii. Определение зависимости двумерной комбинированной плотности состояний от внешних факторов (температуры и магнитного поля) в квантово – размерных гетероструктурах

2.4-§. Сравнение теории с экспериментальными результатами при отсутствии и при присутствии квантующего магнитного поля
Как известно, из научных работах [ ], показано, что влияние квантующего магнитного поля на двумерные электронные системы будут демонстрировать очень интересные физические свойства, возникающие из-за квантового удержания носителей зарядов в квантовой яме. Из-за этого квантового ограничения двумерная комбинированная плотность состояний носителей зарядов в квантовой яме демонстрирует сингулярности Ван Хова, где в случае идеальной бесконечной ноль-мерной решетки (квантовая точка) комбинированной плотности состояний стремится к бесконечности для четко определенных значений энергии. Ограничение большого количества двумерной комбинированной плотности состояний одним значением энергии приводит к поразительным физическим свойствам, таким как чрезвычайно высокое магнитооптическое поглощение, повышенная термоэдс, квантованная электронная проводимость и т. д. Приложения, основанные на этих свойствах, могут привести к созданию новых важных нанотехнологических устройств и оптоэлектронных приборов.

Рис.2.4. Влияния квантующего магнитного поля на зависимость двумерной комбинированной плотности состояний от поглощащей энергии фотона в прямозонных гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs (d=14 nm) при температуре Т=4 К.
В частности, в работе [ ], исследованы двумерные комбинированные плотности состояний гетероструктурах на основе квантовой ямы InGaN/GaN с различными длинами волн излучения (фиолетовая, синяя и зеленая), работающих при различных токах. Результаты показывают, что синее смещение излучения при увеличении тока связано с изменением двумерной комбинированной плотности состояний. В этом работе, получена зависимость двумерной комбинированной плотности состояний квантовой ямы InGaN/GaN от поглощающего фотона при отсутствии магнитного поля (В=0) и при температурах Т=300 К (Рис.2.5). Здесь, ширина запрещенной зоны квантовой ямы InGaN/GaN Eg(0)=3.2 eV.