Jek Sent-Kler Kilbi va Robert Norton Noys

K_BIRL≤8. TTM elementlar tarkibidagi KET invers rejimda yoki to’yinish rejimda ishlashi mumkin.
44. Integral injektsion mantiq. Integral-injektsion mantiq (IIM) haqida tushuncha. IIM MEning ishlash printsipi.

Mikroelektron apparatlar rivoji KIS va O’KIS larni keng qo’llashga asoslangan. Bu bilan apparatlarning texnik-iqtisodiy ko’rsatkichlari ortmoqda: ishonchlilik, xalaqitbardoshlik ortmoqda, massasi, o’lchamlari, narhi kamaymoqda va x.z.

KIS MElari tezkorligining kichikligiga qaramasdan MDYa – texnologiyada bajarilar edi. ME tezkorligini oshirish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida integral –injektsion mantiq (I²M) negiz elementi yaratilishiga sabab bo’ldi

45.Emitterlari bog’langan mantiq. Emitterlari bog’langan mantiq (EBM) haqida tushuncha. Tok qayta ulagichi haqida tushuncha.

Emitterlari bog‘langan mantiq (EBM) elementni yaratilishiga raqamli qurilmalar tezkorligini oshirish muammosi sabab bo‘lgan. EBM elementda qayta ulanuvchi tranzistor yoki berk, yoki ochiq bo‘ladi va bazada qo‘shimcha noasosiy zaryad tashuvchilar to‘planayotganda BT to‘yinish rejimida ishlaydi. Tranzistorni bir holatdan ikkinchisiga o‘tishi uzoq kechadigan jarayon bo‘lganligi sababli, TTM element tezkorligi cheklangan. BTdagi kalit inersiyaliligini kamaytirish maqsadida shunday sxemalar yaratish kerakki, unda qayta ulanuvchi tranzistor ochiq holatda aktiv rejimda ishlashi kerak

46.MDYa tranzistorida yasalgan mantiqiy elementlar.

MDYa mantig'idagi mantiqiy satxlar osiq va yopiq kalitlarning chiqish kuchlanishlariga mos keladi. Muayyan tranzistor geometriyasi bilan kuchlanish bipolyar kalitlarda bo'lgani kabi (0,05 - 0,15 V) kichik qiymatga ega bo’ladi. Shuning uchun

Aytish kerakki, kichik qoldiq kuchlanish aktiv tranzistorning kanal kengligi bilan solishtirganda yuklama tranzistorining eng kichik kanal kengligini nazarda tutadi. Kalitning yopiq holatida chiqish kuchlanishi manba kuchlanishiga yaqin bo'ladi:

47.MDYa tranzistorida yasalgan invertor sxemasi.

Hozirgi vaqtda mantiqiy sxemalarda faqat SiO2 oksidli dielektrikli MDYa tranzistorlari qo'llaniladi, shuning uchun biz MDYa tranzistorlari asosidagi mantiqiy elementlarni ko'rib chiqamiz. MDYa tranzistor mantiq MDYa tranzistorli kalitlari-inverterlarga asoslangan. Bipolyar tranzistorlardagi kabi, shuningdek, statik rejimda bunday kalitlar qoldiq elektr toki (yopiq holatda) va qoldiq kuchlanish (ochiq holatda) bilan tavsiflanadi.
MDYa tranzistorli kalitlarining uch turi mavjud: rezistorli, dinamik (tranzistor) yuklamali va komplementar (KMDYa) kalitlari. KMDYa kalitlari qo'shimcha tranzistorlarda amalga oshiriladi, ya'ni, qarama-qarshi turdagi o'tkazuvchanlik kanallari bo'lgan tranzistorlarda yasaladi.
48.Optoelektronika haqida tushuncha. Optoelektron asboblarning turlari.

Optoelektronika optika va elektronikaning sintezidir. Unda axborotni qayta ishlash, uzatish va saqlashning optik va elektr usullaridan foydalanish muammolari ko‘rib chiqiladi.

Optoelektronika tarixi 1960-yilda optik kvant generatori yoki lazerning kashf etilishidan boshlanadi.Ayni vaqtda yorugʻlik diodlari, yarim oʻtkazgichli fotodetektorlar, yorugʻlik nurlarini boshqarish moslamalari va optoelektronikaning boshqa elementlari keng qoʻllanila boshlandi.
Optoelektron qurilmalar va yarimo'tkazgichli qurilmalaro'rtasidagi tub farqlar zaryad tashuvchilari (bilan birga ulardagi axborot tashuvchisi sifatida elektr neytral fotonlarning harakat qilishlari bilan bog'liq.
Optoelektron qurilmalarning bu o'ziga xos xususiyatlari aloqa elementlari, indikator qurilmalari va turli sensorlar sifatida qo'llashning juda keng imkoniyatlarini ochadi. Shunday qilib, optoelektronika radioelektron qurilmalarning kompleks mikrominiatizatsiyasiga o'zining katta ulushini qo'shadi.
49.Fotodiod. Nurlanuvchi diodlar. Ularning asosiy paramatrlari.
Fotodiod (foto... va ...diod) - optik nurlanish taʼsirida bir tomonlama fotooʻtkazuvchanlik xossasiga ega boʻlgan yarimoʻtkazgichli diod
Nurlanuvchi diodlar — bitta p-n o‘tishga ega bo'lgan, elektr energiyani nokogerent yorug'lik nuriga o'zgartuvchi yarimo'tkazgich nurlanuvchi elektron asbobdir. Nurlanuvchi diodlarda elektron-kovak juftliklarining rekombinatsiyalashuvi natijasida yorug'lik nuri paydo bo'lad