Journal of innovations in social sciences

JOURNAL OF INNOVATIONS IN SOCIAL SCIENCES
 
www.sciencebox.uz
Volume: 03 Issue: 01 | Jan - 2023
 
ISSN: 2181-2594
 
Journal of Innovations in Social Sciences
 
113 
Для создания трехслойной системы на поверхности гетероэпитаксиалной структуры NiSi
2
/Si 
(111) при Т=1000 К напылялась пленки Si с толщиной ~50 нм. Толщина NiSi
2
составляла ~20 
нм. Испарение кремния осуществлялось электронной бомбардировкой.
Увеличение Т до 1100-1150 К способствует получению монокристаллической пленки Si. 
Одноко, при этом из-за нарущение сплошности пленки NiSi
2
формируется островковие 
образования. На рис 1 представлен оже профил сформированной гетероструктуры 
Si/NiSi
2
/Si(111).
 
 
Рис.1. Зависимость интенсивности Оже пиков Si (E=1619 эВ) и Ni (E=848 эВ) для системы 
Si/NiSi
2
/Si(111); 
нм
d
Si
50

, 
нм
d
NiSi
20
2

 
Видно, что граница раздела между слоями Si/NiSi
2
и NiSi
2
/Si(111) резкая и толщина 
переходных слоев не перевышает 4-5 нм. Наши дальнейшее исследования показали, что в 
случает массивных пленок NiSi
2
толщиной 500-600 нм, островки образуются при Т≈1200 К.
Список литературы 
1. Алтухов А.А., Жирнов В.В. Анализ морфологии и стехиометрии пленок CoSi/Si(100), 
полученных методами ТФЭ и РЭ // Материалы II-го Всесоюзного межотраслевого 
совещания “Тонкие пленки в электронике”: Москва-Ижевск. 1991. С. 15-22. 
2. Н. М. Мустафоева, Н. М. Мустафаева // Исследование Физические Свойства Нанопленок 
Nisi2/Si // Таълим ва ривожланиш таҳлили онлайн илмий журнали, 2022 йил октябр, Vol. 2 
No. 10 (2022) 
3. N. M. Mustafoeva, A. K. Tashatov, N. M. Mustafaeva, X. J. Mavlonova //Investigation of 
Physical Properties of Nisi 2/Si Nanofilm // Pioneer: Journal of Advanced Research and 
Scientific 
Progress 
(JARSP) 
Volume: 01 Issue: 04 | 2022 ISSN: 2751-7551 

---