Kirisiw I bap. Yarım ótkezgishli diod jáne onıń túrleri
Download 1.64 Mb.
|
Yarım ótkezgishli diod jáne onıń túrleri
- Bu sahifa navigatsiya:
- Jaratılıw tariyxı
- Yarım ótkezgishli diod jáne onıń túrleri
- Yarım ótkezgishli triod. Bipolyar tranzistorlar
- Bipolyar tranzistorlardıń sxemaǵa jalǵanıwı
TEMA: Yarim otkizgishli tranzistorlar. Bipolyar transistor parametrleri KIRISIW Tranzistor (anglichan: transfer — kóshiriw hám rezistor) — elektr terbelislerdi kúsheytiw, generatsiyalash (payda etiw) hám ózgertiw ushın mólsherlengen 3 elektrodlı yarım ótkezgish ásbap hám de mikroelektronika apparatlarınıń tiykarǵı elementi. Tranzistorlar dúzilisi, islew Principi hám parametrlerine kóre 2 klasqa ajratıladı — bipolyar hám maydaniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda eki túrdegi (p-tipli hám n-tipli) ótkezgishlikke iye bolǵan yarım ótkezgishler isletiledi. Bipolyar tranzistor, óz-ara jaqın jaylasqan p-n ótiw esabına isleydi hám baza -emitter ótiwi arqalı tokni basqaradi. Maydaniy tranzistorlarda tek bir túrdegi (n-tipli yamasa p-tipli) yarım ótkezgishler isletiledi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan tiykarǵı ayırmashılıǵı sonda, olar kernewdi basqaradi, tokni emes. Kernewdi basqarıw zatvor hám istok arasındaǵı kernewdi ózgertiw arqalı ámelge asıriladı. Házirgi kúnde analog texnikaler áleminde bipolyar tranzistorlar (BT) (xalıq aralıq termin — BJT, Bipolar Junction Transistor) tiykarǵı orındı iyelegen. Cifrlı texnikaler salasında bolsa, kerisinshe maydaniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlardı siqib shıǵarǵan. Ótken ásirdiń 90 -jıllarında, házirgi dáwirde de elektronikada keń kólemde qollanilayotgan bipolyar-maydaniy tranzistorlardıń gibrid kórinisi — IGBT islep shıǵıldı. 1956 -jılda tranzistor effektin izertlew etkeni ushın William Shockley, John Bardeen hám Walter Brattain fizika boyınsha Nobel sıylıqı menen táǵdirlanishgan. 1980-jılǵa kelip, óziniń kishi ólshemleri, turaqlı islewi, ekonomikalıq tárepten arzanlıǵı esabına tranzistorlar elektronika salasından elektron lampalardı siqib shıǵardı. Sonıń menen birge, kishi kernew hám úlken toklarda isley alıw qábileti sebepli, elektromagnit rele hám mexanik úzip-jalǵawshılarǵa mútajlik qalmadı. Elektron sxemalarda tranzistor „VTፆ yamasa „Qፆ háripleri menen hám de jaylasqan ornına muwapıq indeks menen belgilenedi. Mısalı, VT15. Orıs tilindegi ádebiyatlar hám hújjetlerde bolsa XX ásirdiń 70-jıllarına shekem „Tፆ, „PPፆ (poluprovodnikoviy pribor) yamasa „PTፆ (poluprovodnikoviy triod) sıyaqlı belgilenishlar da isletilingen. Jaratılıw tariyxı Tranzistordıń jaratılıwı XX ásirdiń eń zárúrli waqıyalarınan biri bolıp, 1833-jılda ingliz alımı Maykl Faradey yarım ótkezgish material — gúmis sulfidi menen ótkergen tájiriybeden baslanǵan yarım ótkezgishler elektronikasi salasınıń keskin rawajlanıwına sebep boldı. 1874-jıl nemis fizigi Karl Ferdinand Braun metall -yarım ótkezgish kontaktida bir tárepleme ótkezgishlik hádiysesin anıqladi. 1906 -jılı injener Grinlif Vitter Pikkard noqatlıq yarım ótkezgishli diod-detektorni oylap tabıw etdi. 1910 -jılda ingliz fizigi Uilyam Ikklz birpara yarım ótkezgishler elektr terbelislerin payda etiwi múmkinligin anıqladi. 1922-jılda bolsa Oleg Losev, belgili kernewlerde keri differensial qarsılıqqa iye bolǵan diodlarni jarattı. Bul diodlar, keyinirek, detektorlı hám geterodinli radiopriyomniklarda qollanildi. Bul dáwirdiń ayriqsha táreplerinen biri sonda ediki, ol waqıtta yarım ótkezgishler fizikasi ele jetkilikli dárejede úyrenilmagan edi. Barlıq tabıslar, tiykarınan, tájiriybeler sebepli qolǵa kiritilingen edi. Ilimpazlar, kristall ishinde qanday fizikalıq qubılıslar júz berip atırǵanın túsintirip beriwge qıynalıwǵan. Geyde nadurıs juwmaqlarǵa da kelgenler. Usınıń menen birge, 1920 -1930 -jıllarda shet mámleketlerde radiotexnika tarawına elektron lampalar kirip keldi. Bul tarawdıń yarım ótkezgishler fizikasiga qaraǵanda keńlew úyrenilgen bolǵanı ushın kóp qánige-radiotexniklar naǵız ózi tarawda islegen.. Yarım ótkezgishli diodlarga bolsa mort hám „injiqፆ apparatlar retinde baha berilgen. Sol waqıtlarda yarım ótkezgishlerdiń úlken múmkinshiliklerin hesh kim payqamagan. Bipolyar hám maydaniy tranzistorlar túrlishe jollar menen jańalıq ashılǵanlıq. Yarım ótkezgishli diod jáne onıń túrleri P-n- ótiw hádiysesi tiykarında isleytuǵın eń soda yarım ótkezgishli ásbap yarımo'tlkazgichli diod dep ataladı. Ulıwma alǵanda p-n ótiwdiń buzılıw túrleri hár túrlı boladı. Usılardan issqilik hám elektr buzılıwların kóreyik. Íssılıq buzılıw salıstırmalı qarsılıgı jetkiliklishe úlken bolǵan hám p-n ótiw tarawı keń bolǵan yarım ótkezgishi kórsetiledi. Sebebi yarımo'kazgishtin’ qiziwi menen kristall tordıń ıssılıq háreketi artadı hám kóplegen elektronlar valent baylanısıwların úzip erkin elektronǵa aylanadı. Bunda yarım ótkezgishtiń qiziwi tek sırtqı ortalıq temperaturasınıń artpaqtası menen belgilenbeydi. r-n ótiwden ótetuǵın tok jáne onıń qiziwina alıp keledi. Aga p-n ótiwde ajralǵan ıssılıqtı joytıw sharası ko'rilmese, ıssılıq buzılıw maydan kernewiniń kishi bahalarında da júz bolıwı múmkin. Elektr aynıwı tiykarǵı bolmaǵan tok tasıwshılar sanınıń yarım ótkezgish kólemindegi elektr maydan kernewliligi artqanı sebebinen kóbeyiwine baylanıslı. Bunday maydan kúsheniwi artqanı menen tok tasıwshılardıń háreket tezligi artadı. Nátiyjede urılıw sebepli ionlasiwnin’ qulama qarsimon kóbeyiwi payda boladı. Ol r-n ótiwdiń aynıwına alıp keledi. Ekinshi tárepden, maydan kernewiniń artiwı avto electron emissiya hádiysesine de sebep boladı. Bunıń nátiyjesinde de buzılıw payda boladı. Elektr buziliwinin’ ıssılıq aynıwınan ayırmashılıǵı sonda, ol jaǵdayda kernew ózgeriwiniń keri tok kernewge baylanıslı bolmay qaladı, yaǵnıy maydan kernewi joǵalıp ketiwi menen baslanǵısh jaǵday tiklenedi. 3. 8-suwretde yarım ótkezgishli diodning sxemada belgileniwi hám tolıq volt-amper xarakteristikası kórsetilgen. Ol jaǵdayda 1-siziq ıssılıq aynıwı, 2-siziq elektr aynıwı. Kontakt salasınıń keńligine qaray yarım ótkezgishli diodlar noqatli hám tegis diodlarga ajratıladı. Yarımo'tkzgichli diodlar bir qansha kernewler menen xarakterlenedi.
sxemasınan paydalniladi (3. 9 -suret). Odaǵı p-n  b)
a)
3. 8-súwret. Yarım ótkezgishli dioddan sxemada belgileniwi (a) hám volt-amper xarakteristikası (b). sıyımlılıqınıń kernewi sırtqı kernewge baylanıslı túrde ózgeredi. Bul ózgeris kondensator qatlamları arasındaǵı aralıqtıń ózgeriwine sáykes keledi. r-n ótiwdiń bunday jeketi diodni basqariliwshi sıyımlılıq element etip isletiw múmkinshiligin beredi. Bunday diodlar varikaplar dep ataladı. Varikaplar ushın sırtqı kernewdiń tek jalganip qo'ymay, úlken áhmiyetke iye. Keri kernewdiń artpaqtası menen r-n ótiw keńligi artadı hám Sr-n sıyımlılıq kishreyedi. Bul baylanıslılıq varikaptin’ voltfarada xarakteristikası dep ataladı. R Rp-n 
3. 10 a-suwretde varikapning sxemada belgileniwi hám voltfarada xarakteristikası kórsetilgen. p-n ótiw ig'imining nominal (Snom), maksimal (Smax), minimal (Smin) bahaları, sıyımlılıqtıń ónimligine baylanıslı jazılıw energiyası hám basqalar varikaplarning tiykarǵı parametrleri esaplanadı. Varikaplar radioelektron apparatlardaǵı terbelis konturın elektron soxlawda, parametrik element retinde hám basqa maqsetlerde keń qollanıladı.
3. 10 - súwret. Varikap (a), stabilitron (b), tunel diodi (v) dıń sxemada belgileniwi hám volt-amper xarakteristikası. Diodlardagi elektr aynıwı salasında processtiń qaytalanıw múmkinshiligi úlken áhmiyetke iye. Sol sebepli bunda keri tokning belgili bir kishi ma`nisinen baslap dioddagi potensial tushuvi tokka baylanıslı bolıp qaladı. Yarım ótkezgishli diodning bul jeketai onı kernewdi stabilizatsiyalovchi element etip isletiw múmkinshiligin beredi. Bunda yarım ótkezgishli diodlar stabilitronlar dep ataladı.. 3. 10 b-suwretde stabilitronning sxemada belgileniwi hám volt-amper xarakteristikası kórsetilgen. Elektr aynıwı júzege keliwinde kelio'ine < Tunel efektining úlkenligi p-n ótiw qatlamınıń úlkenligine baylanıslı boladı. Bul qatlam qansha kishi bolsa odaǵı elektr maydan qansha kúshli bolsa, effect sonsha kúshli boladı Tunel effekti tiykarında isleytuǵın diodlar tunel diodlar dep ataladı. Agartashqi tok kóziniń kernewi payda etetuǵın elektr maydanı p-n ótiwiniń potensial to'sig'i maydanı menen uyqas tusse, r-n ótiwinen tunel effektiniń esabınan tok ótedi. Eger kerisinshe tutasǵan bolsa, potensial tosıqtıń maydanı kishreyedi hám tunel effekti kengayadi. Sol sebepli maydan artpaqtası menen tunel tokı kishreyip diffuziya tokı orta baslaydı hám sırtqı kernewdiń belgili bir ma`nisinen baslap tunel tokı nolǵa aylanıp, tek diffuziya tokı qaladı Ol suwretde kórsetilgen. Xarakteristikanıń birinshi noqatına tuwrı keliwshi kernew shegaralıq dep ataladı. Odan keying bahalarda tunel tokı keskin azayıp, diffuziya tokı orta baslaydı. Ekinshi noqatqa jetkende, tunel tokı nolǵa teń boladı ca xarakteristika diffuziya tokı menen belgilenedi Sonday eken, tunel diodining volt-amper xarakteristikası ápiwayı dioddan tupten parıq etedi. Ol jaǵdayda birinshiden ventil ayrıqshalıq baqlanbaydı, ekinshiden differensial qarsılıqlı tarawdıń payda boladı (bo’lim). Tunel diodlarining taǵı bir xarakterli xusuiyati olarda inersionallikning kamligi bolıp tabıladı. Sol sebepli olardı júdá joqarı chastotalı apparatlarda da isletiw múmkinshiligi bar. Yarım ótkezgishli diodlarning túrleri biz joqarıda kórgen túrler menen sheklenbeydi.p-n ótiw qarsılıgınıń basqarilish ususllariga baylanıslı bolǵan arnawlı diodlar da bar.
Dúzilisi hám islew usılına qaray tranzistorlar bipolyar jáne onıpolyar tranzistorlarǵa ajraladi`. Bipolyar tranzistorlardıń islewi p-n ótiw procesine, unipolyar-yarımo'tkazuvchanlikning elektr maydanı járdeminde basqarıwǵa tiykarlanǵan Bipolyar transistor yarım ótkezgish monokristalida yamasa p-n salasın payda etiw tiykarında yasaladi.
3. 11-súwret. Bipolyar tranzistorlar semasi hám potensial tosıq. Onı ótkezgishligi alısıp keletuǵın 3 tarawǵa ajıratıw múmkin. Eger monokristallning electron ótkezgishlikke iye kólemi yamasa tazadan eki tesikshe ótkezgishlikke iye kólem menen shegaralanǵan bolsa, payda bolǵan tegis transiztor p-n-p túrdegi tranzistor boladı. Kerisinshe, gewek ótkezgishlikke iye bolǵan electron ótkezgishlik sfera arasında bolsa n-p-n túrdegi tranzistor payda boladı. Bul tranzistorlardıń sxemada belgileniwi hám potensial to'sig'ining belgileniwi potensial to'sig'ining kórinisi 3. 11-suwretde kórsetilgen. Sonı da aytıw kerek, kontakt tarawdıń kishi bolsa, noqatlıq tranzistorlar payda boladı. Aytayiq, triodtin’ orta daǵı kointaktiga salıstırǵanda shep tárepdegi kontaktiga kishi (voltning bóleklerine teń) oń, oń tareptegi kontaktiga bolsa, úlken (bir neshe on voltgacha) keri kernew berilsin (3. 12-súwret). Ańsat bolıwı ushın elektr maydan tek p-n ótiwler salasındaǵana bar dep esaplaymiz.
Э К
б
Е1 Е2 3. 12- súwret. Tranzistorǵa sırtqı tok derektin jalǵaw. Bunday jalǵawda shep tárepdegi p-n ótiwdiń potensial to'sig'I kishreyip, oń tárepdegi p-n ótiwdiki artadı. Sol sebepli gewekler tek shep tárepdegi p-n ótiwden ótedi. Shep tárepdegi p-tarawdan orta daǵı n-tarawǵa ótken geweklerdiń bir bólegi bul tarawdaǵı elektronlar menen rekombinatsiyalanadi. Qalǵan bólegi bolsa, oń tárepdegi p-n ótiwge jetip keledi. P-n ótiw maydanı olarǵa tezlestiriwshi tásir kórsetedi. Sol sebepli gewekler úlken tezlik menen háreketlenedi hám E1 hám E2 yok kóz arqalı ótip, háreket yo'olini tamamlaydı (shınjır jabıladı ). Bunda payda bolatuǵın tok paydalı tok bolıp, onıń ma`nisi shep tárepdegi p-tarawdan n-tarawǵa ótetuǵın geweklerdiń muǵdarına teń hám olardıń n-tarawdaǵı jasaw waqıtına baylanıslı boladı. Eger geweklerdiń n-salasın basıp ótiw waqıtı olardıń jasaw waqtından kishi bolsa, onıń qasındaǵı p-n ótiwge jetip keletuǵın gewekler sanı jetkiliklishe kóp boladı. Sol sebepli júdá az bólegi n-tarawdaǵı elektronlar menen rekombinatsiyalanib ulguradi. Sonı da aytıw kerek, tranzistorıń p-n ótiwlerinde gewek tokı menen bir qatarda electron tokları da payda boladı. Shep tárepdegi p-n ótiwdiń electron tokı shep hám orta tarawlar arqalı ótip, Ye1 tok kózi arqalı óz jolin tuyuqlaydi. Ol oń tárepdegi p-n ótiw arqalı ótpegabnligi ushın hesh qanday payda keltirmeydi. Oń tárepdegi kernew teris jalǵanǵan (jabıq ) r-n ótiwdiń electron tokı bolsa, úlken tásirge iye. Onı tranzistordıń teris tokı dep ataladı. Tuwrı tok tiykarında isleytuǵın shep tárepdegi p-n ótiw emitter ótiwi dep, p-qatlam bolsa, emiter dep ataladı. Teris jalǵanatuǵın oń tárepdegi p-n ótiw kollektor ótiwi, p-qatlamı bolsa kollektor dep ataladı. Orta daǵı n-qatlam baza yamasa tiykar dep ataladı. Bul qatlamlardan metal kontakt arqalı shıǵarılǵan tutastırıw úshleri-elektrodlar uyqas atlar -emitter, kollektor hám baza dep ataladı. Tranzistordı sxemada belgilewde (3. 11-súwret) emitter elektrodına kórsetkish til (strelka ) qóyıladı. Onıń baǵdarı tok tasıwshılar baǵdarın kórsetip turadı. p-p-n túrdegi tranzistordıń islew Principi p-n-p túrdegi tranzistorlarnikidan parq etpeydi. Bunda tek E1 hám E2 tok kóziniń jalǵanıw polisi kerisinshe ózgertiriledi. Tiykarǵı tok tasıwshılar geweklae emes bálki, elektronlar boladı.
Tranzistorlar radiosxemada isletilingende onıń elektronlarınan biri hámme waqıt shınjırdıń kiriwi hám shıǵıwı ushın ulıwma bolǵan sigma-jerge jalǵanǵan boladı. Soǵan qaray, tranzistorlardıń úsh qıylı jalǵanıw sxeması boladı (3. 13-súwret). 1.Ulıwma bazalı sxema -UB, 2. Ulıwma emitterli sxema -UE, 3. Ulıwma kollektorlı sxema -UK. Bulardıń ishinde UB sxema tranzistorlarınıń qásiyetlerin tekseriwde eń qolay esaplanadı. Sol sebepli tranzistorlardıń fizikalıq parametrleri sol sxema tiykarında tekseriledi hám ol qalǵan eki jalǵanıw sxemasında paydalanıladı.
3. 13-súwret. Tranzistorlardıń sxemaǵa jalǵanıw túrleri. a-UB sxema, b-UE sxema, c- UK sxema. 3. 12- suwretde keltirilgen sxema UB sxeması boladı. Odaǵı emitter ótiwiniń gewek tokın Ier hám electron tokın Iep dep belgilesek,, emitter tokı ushın ápiwayı túrde jazıladı hám orınlı boladı. Bul tok pútkil emitter ótiwi dawamında ózgermeytuǵın boladı. Iep dúziwshisi bazadan emitterga elektronlardıń ótiwi payda boladı. Ol emitter ótiwin belgili bir aralıqqa uzaqlasqanda ( Soǵan uqsas kolleltor ótiw tokı Ik hám eki dúziwshine iye boladı. Ikr-gewek tokı hám Ikp-elektron tokı. Ikr-dıń úlkenligi emitterdan bazaǵa ótip kollektor ótiwge jetip keletuǵın tesiksheler muǵdarı menen, Ikp bolsa, kollektordan bazaǵa ótetuǵın elektronlar sanı menen xarakterlenedi. Emitter ótiwdiń kernewi ózgerse, emitter tokı ózgeredi. Bunıń nátiyjesinde kollektor tokening Ikr dúziwshisi ózgerip, Ikr dúziwshisi ózgeriwsiz qaladı. Ikp dıń ózgeriwi kollektordıń kólemiy qarsılıgı ózgeriwine baylanıslı boladı. Sol sebepli kollektor tokening Ikr dúziwshisi basqariluvchi paydalı tok, Ikp- basqarilmaydigan zıyanlı tok dep ataladı hám hámme waqıt Ikp<< Ikpboladı. Ulıwma alǵanda nátiyjeli kollektor tokı kollektor ótiwi uzınlıǵı boyınsha ózgermeytuǵın tok esaplanadı.
Eger 3. 12-suwretde keltirilgen sxemanıń emitter ótiwi uzilsa (Ye1 tok kózi uzilsa), kollektor ótiwinen Ikt ga teń keri tok ótedi. Onıń ma`nisi kollektordıń Ikp electron tokınan úlken boladı. Sol sebepli bunda Ikp ga bazadan kollektroga ótip tueuvchi (teń salmaqlılıqtaǵı ) gewekler tokı Ibr da qosıladı. Ikt basqarilmaydigan kollektor yamasa temperature tokı dep ataladı. Onı kollektordıń jım-jırtlıq tokı dep da ataladı. Bul tokning úlkenligi kollektor kernewiniń jetkiliklishe úlken ózgerislerinde de ózgermeytuǵın qaladı. Lekin sırtqı temperaturaǵa baylanıslı boladı.
Bunda koefficiyent yarım ótkezgishtiń materialına baylanıslı bolıp, germaniy kristalı ushın 8400 ge teń. Ikt tokning qálegen temperatura daǵı jazılıwı 
Kórinisinde boladı. Sonday eken, germaniyli triodning jım-jırtlıq tokı temperature hár 100 ge ózgergende eki ret ózgeredi. Mısalı, temperature ke өzgergende yeki yese өzgeredi yeken. 200 S den 500 ge ortsa, Ikt jım-jırtlıq tokı 23=8 ret artadı. Ikt jım-jırtlıq tokınıń temoeraturaga bunday baylanısıwda bolıwı tranzistor parametrleriniń keskin ózgeriwine alıp keledi. Sol sebepli tranzistordı isletiwde bunı esapqa alıw kerek. Sonday etip, ulıwma halda kollektor tokening úlkenligi basqariluvchi Ikr hám basqarilmaydigan Ikt toklarınıń jıyındısınan ibarat boladı 
Emitter tok <<+E emitter baza Е shınjır boyınsha, kollektor tokı baza kollektor Е shınjır boyınsha oqadi. Soǵan qaray baza tokening úlkenligi Iб =Iэ - Iк kórinisinde jazıladı. Qolaylıq ushın baza tokı<< emitterbazatashqi zanjiremitter>> shınjırı boyınsha oqadi, dep qaraladı. Bul halda kollektor tokı ótetuǵın shınjır ózgeredi yaǵnıyemitterkollektorЕ2>> bolıp, ol baza shınjırınan ótpeydi. Soǵan tıykarlanıp, tranzistordıń tok teńlemesi etip Teńlik alınadı. (3. 9 ) ańlatpa kollektor tokening emitter tokına baylanıslı bolıwın kórsetedi. Bul baylanısıw inersial boladı. Sol sebepli emitterdan bazaǵa gewekler ótkende, baza elektrodı qasında elektronlar konsentraciyası keskin artadı hám olardıń zaryadı gewekler zaryadın konsepsiyalaydı. Sol sebepli kollektor shınjırındaǵı tok ózgeriwi ushın emitterdan bzaga ótken geweklerdiń jetkiliklishe muǵdarı kollektor ótiwine jetip keliwi kerek, yaǵnıy bazada olardıń júdá az muǵdarı rekombinatsiyalanishi kerek. Bunday ótiwdiń effektivligi uzatıw koefficiyenti degen shama menen belgilenedi hám soda túrde jazıladı : 
Onıń ma`nisi hámme waqıt birdan kishi bolıp, eń jaqsı tegis tranzistorlarda 0, 99 ǵa shekem jetedi. Ádetde koefficiyent ulıwma bazalı jalǵanıwda tranzistordıń tok boyınsha kernew koefficiyenti dep ataladı hám nagruzka qarsılıgı nolǵa teń bolǵan jaǵday ushın anıqlanadı. Kollektor tokı kollektor kernewine kem baylanısıw bolǵanı ushın koefficiyent kollektor kernewine baylanıslı bolmaǵan shama esaplanadı. Kollektor ótiwiniń differensial qarsılıgı jetkiliklishe úlken muǵdar bolǵanı ushın oǵan úlken qarsılıqlı Rn sırtqı nagruzka jalǵanıwı kerek (3. 13 a-su'wret). Ol kollektor kernewiniń úlken ózgerislerinde de tranzistorlardıń jumıs rejimi ózgertirmeydi. Sol sebepli kollektor tokening kishi ózgeriwi de Rn de úlken kernew ózgeriwin payda etedi. Haqıyqatlıqtan da, kirisiw kernewiniń ózgeriwin emitter tokı arqalı Uә=RкирIэ kórinisinde ulasa, shıǵıw kernewiniń ózgeriwi U2=RchiqIкRнҲIк bolıp, kernewbo'yicha kúsheytiw koefficiyenti 
Boladı. Bunda Rн>>Rkir bolǵanı ushın K>1. SSonday etip, ulıwma bazalı sxemada transistor kernew (quwatı ) boyınsha kúsheytiw ayrıqshalıqına iye bolıp, tokni kúshaytirmas eken. Sol sebepli onıń shıǵıw qarsılıgı kirisiw qarsılıgınan jetkiliklishe úlken boladı. Ulıwma emitterli hám ulıwma kollektorlı sxemalardıń qásiyetlerin anıqlaylik. Ulıwma emitterli sxemanıń tok boyınsha uzatıw koefficiyenti 
Ulıwma kollektordıń sxeması bolsa, 
boladı.
Eger (3. 9 ) hám (3. 10 ) ańlatpanı esapqa alsaq, (3. 12) hám (3. 13) uzatılıwı ápiwayı kóriniske keledi:  va 
hám Da barlıq waqıt birdan úlken bahaǵa iye boladı. Bul UE hám UK sxemalarınıń tokın kúsheytiw ayrıqshalıqına iye ekenligin kórsetedi. Ulıwma emitterli sxemanıń kernewi boyınsha kernew koefficiyenti 
Ulıwma kollektorlı sxema ushın bolsa, 
Boladı.
UE sxemanıń kirisiw qarsılıgı shıǵıw qarsılıgınan kishi (Rкир Download 1.64 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|
Ср-n
diffusion uzınlıqta ) emitterdagi tesiksheler menen tolıq rekombinatsiyalanadi hám nolǵa shekem azayadı. Nátiyjede tesikshe tokı Ier artadı.
