Kombinatsion sxemalar (Combinational Circuits)

Jamlagichlar (Summatoro’)
Jamlagich n-razryadli Xq(X(n-1), ....X0) va Yq(y(n-1),....y0) kodlarni arifmetik kushishni amalga oshiruvchi kurilmaga aytiladi. Ikki bir razryadli ikkilik sonlarning kushish koidasi
0 (Q) 0 q 0

1. 
   (Q) 1 q 1 (Q) 0 q 1
   
2. 
   (Q) 1 q 0 yukori razryadga uzatiladi
   

Uchta bir razryadli sonlarning kushishi kuyidagi amalga oshiriladi.
0 (Q) 0 (Q) 0 q 0
0 (Q) 0 (Q) 1 q 1

1. 
   (Q) 1 (Q) 1 q 0 1 ta katta razryadga uzatiladi
   
2. 
   (Q) 1 (Q) 1 q 1 1 ta katta razryadga uzatiladi.
   

Keltirilgan koidaga asosan tulik jamlagich mantikiy funktsiyasi kuyidagiga:
Jamlagich razryad natijasi
c(iQ1) q xi*yi Q xi*ci Q yi*ci. (10.3)
Ortirma
si q ~yi(xi (Q) ci) Q yi~(xi (Q) ci) q yi (Q) (xi (Q) ci) q yi (Q) xi (Q) ci. (10.4)
Bir razryadli tulik jamlagichning (10.3) va (10.4) tenglamalarga mos sxema va shartli belgi 10.9 rasmda keltirilgan.

10.9 – rasm


Choxralskiy usulida tarkibiga donor yoki aktseptor kiritmalar qo’shilgan o’ta toza kremniy eritmasi yuziga kremniy monokristali tushiriladi. Eritma eritgan monokristal o’z o’qi atrofida asta – sekin aylantirilib ko’tariladi. Monokristal ko’tarilishi bilan eritma kristallanadi va kremniy monokristali hosil bo’ladi. Hosil bo’lgan kremniy quymasi n– yoki r–turli elektr o’tkazuvchanlikka ega bo’ladi. Quyma uzunligi 150 sm, diametri esa 150 mm va undan katta bo’lishi mumkin.
Zonali eritish usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo’shimcha tozalanadi. Bunda kristallning tor zonasi eritilib, eritilgan zona kristallning bir uchidan ikkinchi uchiga asta siljitib boriladi. Kiritmalarning erigan fazada eruvchanligi qattiq holatdagi eruvchanligiga qaraganda katta bo’lsa, o’sha kiritmalar suyuq fazaga o’tib kristallning ikkinchi uchiga siljib boradi, va o’sha erda to’planadi. Kiritmalar to’plangan soha tozalash jarayonlari tugagandan so’ng kesib tashlanadi.
Epitaksiya. Epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi. Asos bunda mustahkamlikni ta’minlash va kristallanayotgan qatlam takrorlashi zarur bo’lgan kristall panjara sifatida xizmat qiladi. Keyingi texnologik jarayonlarda epitaksial qatlamda IMSning aktiv va passiv elementlari hosil qilinadi.
Gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo’lib, ular monokristal asos sirtida n– yoki r–turli o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan epitaksial qatlamlar hosil qilish imkonini beradi.