M. M. Aliyev 2019 raqamli texnika va mikroprotsessorlar

2.6.2. Tranzistor-tranzistorli mantiq sxemasi 
TTM ning bazali elementida (2.28-rasm) VD
1
va VD
2 
diodlarining 
funksiyalarini koʻp emmiterli tranzistorning emitterlari bajaradi, VD
3
va VD
4
diodlarining roli esa – uning kollektorli oʻtishidir. Bundan kelib chiqib, DTM 
sxemasi qanday mantiqiy operatsiyani bajarsa, TTM sxemasi ham xuddi shuni 
bajaradi, ya’ni VA-EMAS. agar x
1
yoki х
2 
kirishlarida и
kir
= 0 (mantiqiy nol) 
boʻlgan past darajali signal ishlasa, unda zanjirda +E oziqlanish manbasidan R
1 
rezistori va tegishli ochiq emitterli oʻtish orqali tok oqib oʻtadi. 
2.28-rasm. Tranzistor-tranzistorli mantiq sxemasi 
VT1 tranzistor bazasining potensiali taxminan 0,7V ga teng boʻladi. Ushbu 
potensial VT1 tranzistorining kollektorli oʻtishi va VT2 tranzistorining emiterli 
oʻtishi orasida taxminan teng taqsimlanadi. Shuning uchun Ub-e2 kuchlanish 
VT2 tranzistorini ochish uchun yetarli emas va shunga sxemaning chiqishida 
kuchlanishning U
chiq
 = +Е
и 
(mantiqiy bir) baland darajasi belgilanadi. 
Agar x
1
и х
2 
kirishlarida U
kir 
(mantiqiy bir) signalining yuqori darajasi 
ishlasa, unda VT
1 
tranzistorining oʻtishlari yopiq boʻladi, tok +E manbasidan R
u 
rezistori VT
1 
kollektorli oʻtish va VT
2 
emmiterli oʻtish orqali oʻtadi. VT
2 
tranzistori bazasining potensiali U
b-e2
~ 0,7 V ga, potensial U
3
~ 1,4V ga teng 
boʻladi. VT
2 
tranzistori ochiladi, va sxemaning chiqishida U
chiq
 ~ 0,1 V ga teng 
boʻlgan past kuchlanish oʻrnatiladi. 

---

43 
2.29. rasmda keltirilgan TTL tipidagi asosiy element AND-NOT 
shuningdek, oldindan ko'rib chiqilgan DTL asosiy elementining sxemasi ikkita 
ketma-ket ulangan funktsional birliklardan iborat: And operatsiyasini 
bajaradigan va inverter sxemasi.
TTL ning asosiy elementida invertor sifatida 
murakkab invertor ishlatiladi (2.30-rasm). 
TTL-ning asosiy elementidagi VA sxema qurilishining o'ziga xos xususiyati 
shundan iboratki, u DTL pallasida kirish diodlari guruhini almashtiradigan bitta 
ko'p emitterli tranzistor VT1 (KET) dan foydalanadi. 
2.29 – rasm. 
KET emitterining ulanish joylari kirish diodlari sifatida ishlaydi va kollektor 
birikmasi elementlar sxemasining inverter qismidagi tranzistorning asosiy 
sxemasida bias diyot rolini o'ynaydi. 
KETning ishlash printsipini ko'rib chiqishda, u alohida tranzistorlardan 
iborat bo'lib, ular birlashtirilgan bazalar va kollektorlardan iborat (2.30-rasm). 

---

44 
2.30 – rasm. 
Elementning barcha kirishlariga yuqori darajadagi kuchlanish (1-mantiq) 
qo'llanilsin. 
KET emitterining o'zaro bog'lanishi teskari yo'nalishda (emitent potentsiali 
bazaviy potentsialdan yuqori).
KET kollektor aloqasi, aksincha, oldinga 
yo'nalishda tarafkashlik qiladi (kollektor potentsiali bazaviy potentsialdan 
pastroq).
Shunday qilib, KETni teskari kommutatsiya bilan faol rejimda 
ishlaydigan tranzistorlar taqdim etishlari mumkin.
Ushbu qo'shilishda emitent va 
kollektor rollarni o'zgartiradi.
KETning kollektor kavşağı orqali oqadigan oqimi 
VT4 tranzistorini (2.29-rasm) to'yingan holatda ushlab, murakkab invertor 
tranzistorining bazasiga oqadi.
Elementning chiqishida past darajadagi 
kuchlanish o'rnatiladi (mantiq 0).
Sxemaning boshqa holatini ko'rib chiqamiz.
Aytaylik, elementning kirishlaridan kamida bittasi past kuchlanish bilan ishlaydi 
(mantiqiy 0).
Bundan tashqari, KET bazasining potentsiali tegishli emitent va 
kollektorning imkoniyatlaridan yuqori. Shu sababli, ikkala o'tish ham, emitter 
va kollektor ham oldinga yo'nalishda siljiydi va KET to'yinganlik holatida. 
KET-ning barcha asosiy oqimi mos keladigan emitter va kirish signalining 
manbai orqali yopiladi.
Kollektor va emitent o'rtasidagi kuchlanish nolga yaqin, 
emitterda ishlaydigan past kuchlanish darajasi murakkab invertor tranzistorining 
bazasiga uzatiladi.
Bunday holda, VT4 tranzistori yopiq, tranzistor VT3 ochiq, 
element chiqishida yuqori kuchlanish darajasi (mantiqiy 1). 

---

45 
Shaklda ko'rsatilgan VD1 va VD2 diyotlari. 2.29, kirish elementlarini qabul 
qilinishi mumkin bo'lmagan qiymatning mumkin bo'lgan salbiy voltajidan 
himoya qilish uchun mo'ljallangan. 
Mikrosxemaning tashqi terminallariga chiqadigan kontaktlarning A va B 
nuqtalari (2.29-rasm), elementni mantiqiy kiritish sonini ko'paytirish uchun 
ishlatiladigan OR-ni kengaytirgich bilan ulash uchun ishlatilishi mumkin. 
OR bilan uchta kirish va ekspluatatorning sxemasi sek. 2.30
2.30 – rasm. 
DD2 kengaytirgichini DD1 ko'rib chiqilgan mantiqiy elementga ulash usuli 
sek. 2.31 5.19, 
& 
DD2 
& 1 
А 
В 
DD1 
А 
В 
2.31 – rasm. 
Tarmoq tomonidan ishlab chiqarilgan TTL tipidagi mantiqiy eshiklarning 
tipik parametrlari, ular orasida K133, K155 va boshqalar, quyidagi ma'nolarga 
ega: 
- statik shovqinning ruxsat etilgan darajasi 0,6 V; 
- 8 gacha bo'lgan kirish uchun qo'shilish koeffitsienti 

---

46 
- chiqish dallanma koeffitsienti 10 gacha, kuchli chiqish bosqichlariga ega 
bo'lgan maxsus mikrosxemalar 30 gacha bo'lgan chiqish dallanish 
koeffitsientiga ega; 
- tarqalishni kechiktirish vaqti; 
- maksimal ish chastotasi 10 MGts gacha; 
- 40 mVtgacha bo'lgan quvvat sarfi.