M. M. Aliyev 2019 raqamli texnika va mikroprotsessorlar

 
2.22-rasm. NOT (EMAS)
mantiqiy element va funksiyasi 
2.5.5. Mantiqiy element NOR (YOKI-EMAS) 
2.23-rasm. NOR (YOKI-EMAS) mantiqiy elementi va haqiqiy jadvali 
Bu yerda D1 va D2 diodlar “
YOKI
” elementining rolini bajaradi, tranzistor 
invertor ahamiyatga ega. 2.23,b) – sxemaning ifodalanishi, c) –haqiqiylik jadvali 
keltirilgan. 
2.5.6. Mantiqiy element NAND (VA-EMAS) 
2.24,a-rasmda mantiqiy element NAND (VA-EMAS) sxemasi koʻrsatilgan. 
Bu yerda Д3 signal buzib koʻrsatishdan filtr rolini amalga oshiradi. Agar 
kirishlar ga x1 va x2 signal berilmagan boʻlsa (x1=0 yoki x2 =0) u holda diod 
D1 yoki D2 orqali tok oʻtadi. Tushish nolga teng emas va transistor ochilishi 

---

38 
mumkin. Shuning uchun chiqishda nol oʻrniga bir boʻlishi mumkin, bu hatoga 
keltiradi. Agar zanjirga diod D3 ulansa, u holda ochiq diodning kuchlanishi D3 
diodga tushadi va tranzistor bazasiga deyarli hech narsa kelmaydi. Shuning 
uchun u yopiladi va chiqishida mantiqiy 1 boʻladi. 2.24,b-rasmda haqiqiylik 
jadvali va ushbu qurilmaning sxemali ifodasi koʻrsatilgan. 
2.24-rasm. NAND (VA-EMAS) mantiqiy element sxemasi va haqiqiy jadvali 
Mantiq elementlari elektronika va mikroprotsessor texnologiyalarda keng 
ishlatiladi. Koʻp boshqarish tizimlari ushbu alohida qurilmalar yordamida 
qurilgan. 
2.6. Diod-tranzistor mantiqiy va tranzistorli-tranzistor mantiqiy 
elementlarning turli xil koʻrinishlari 
2.6.1. Diod-tranzistorli mantiq sxemalari 
Diod-tranzistorli mantiqiy elementlar (DTM) quyidagi afzalliklarga ega: 
sxemalarning 
soddaligi, 
funksional 
imkoniyatlarning 
kengayishining 
moslashuvchanligi (mantajli YOKI ga chiqishlarning birlashishi, tashqi 
diodlarning ulanishi bilan kiritish joylarini koʻpaytirish va h.) 
DTL elementlarida VA, YOKI, VA-YOKI vazifalari dizyunktorlar va 
dioddagi konyunktatorlar orqali amalga oshiriladi, vazifalari tranzistorlar 
sxemalari orqali bajarilmaydi. Shu yordamida VA-EMAS, YOKI-EMAS, VA-
YOKI-EMAS va hokazolar bajariladi. 

---

39 
2.25-rasm. VA-EMAS DTL sxemasi 
Ikki kirishli diod-tranzistorli 2VA-EMAS sxemani koʻrib chiqamiz 
2.26-rasm. Ikki kirishli diod-tranzistorli 2VA-EMAS sxemi 
Bu sxemalarda ikkita ketma-ket yoqilgan funksional qismlar mavjud: 
birinchisida x
1
va x
2
kirish signallari diodli elementga yuboriladi (diodlar VD
1
va 
VD
2
), u VA operatsiyasini bajaradi; ikkinchi qismi VT
1
tranzistorida bajariladi 
va inventorni tashkil qiladi. Shu orqali sxemada alohida mantiqiy VA va EMAS 
operatsiyalari bajariladi, bundan kelib chiqib sxema mantiqiy 2VA —EMAS 
operatsiyasini bajaradi (2 soni ME dagi kirishlar sonini bildiradi). VD
3
va VD
4

---

40 
diodlari sxemaning ikkita qismi orasidagi bog‘lovchi rolini bajarishadi va 
toʻsiqliklarga chidamligini oshiradi. 
Agar x
1
yoki x
2
kirishlaridan biriga U
x
=0 signali berilsa, unda diodlarning 
biri ochiq boʻladi va sxemada +E
H
manbasidan R
1
rezistori va ochiq diod orqali 
tok oqa boshlaydi. Bu holatda A nuqtada U~0.7 V potensiali oʻrnatiladi, bu 
ketma-ket ulangan VD
3 
va VD
4 
diodlarini ochish uchun kamlik qiladi. Natijada 
VT
1 
tranzistori yopiladi va sxemaning chiqishida mantiqiy birlikga tegishli U
chiq 
~ +E
p
kuchlanish oʻrnatiladi. Sxema bu holatda, x
1 
va x
2 
kirishlariga U
kir
(mantiqiy birlik) yuqori darajali signali kelmaguncha vaqtinchalik toʻxtaydi. 
Bu holatda VD
1
va VD
2 
diodlari yopiladi, A nuqtadagi potensial VD
3 
vaVD
4 
diodlarni ochishga yetarli koʻpayadi va zanjirda E manbasidan R rezistori VD
3 
va VD
4 
diodlari orqali VT
1
tranzistori bazasiga tok boradi. Natijada VT
1
tranzistori ochiladi va sxema chiqishida past kuchlanishga ega boʻladi U
chiq 
= U
x 
~0.1 V (mantiqiy nol), shunday qilib DTM sxemada VA-EMAS operatsiyasi 
bajariladi. R
3
rezistori berilgan sxemada VT
1 
tranzistorining bazasida toʻplangan 
zaryadni
tarqatuvchi zanjirni yaratish uchun xizmat qiladi. Ayrim hollarda R
3 
rezistorini yer bilan emas, manfiy kuchlanish manbasi Е ~ -2V bilan ulashadi, 
bu bazali zaryadning tezroq tarqalishini va signalning kechikish vaqti 
kamayishini ta’minlaydi. 
Bu holatda VD
1
va VD
2 
diodlari yopiladi, A nuqtadagi potensial VD
3 
va 
VD
4 
diodlarni ochishga yetarli koʻpayadi va zanjirda E manbasidan R rezistori 
VD
3 
va VD
4 
diodlari orqali VT
1
tranzistori bazasiga tok boradi. Natijada VT
1
tranzistori ochiladi, va sxema chiqishida past kuchlanishga ega boʻladi U
chiq 
= U
x 
~0.1 V (mantiqiy nol), shunday qilib DTM sxemada VA-EMAS operatsiyasi 
bajariladi. R
3
rezistori berilgan sxemada VT
1 
tranzistorining bazasida toʻplangan 
zaryadni
tarqatuvchi zanjirni yaratish uchun xizmat qiladi. Ayrim hollarda R
3 
rezistorini yer bilan emas, manfiy kuchlanish manbasi Е ~ -2V bilan ulashadi, 
bu bazali zaryadning tezroq tarqalishini va signalning kechikish vaqti 
kamayishini taminlaydi. 

---

41 
Ko'rib chiqilgan sxemaning muhim kamchiliklari - bu mantiqiy darajaning 
1-chi chiqishda yukning kattaligiga bog'liqligi.
Ushbu noqulaylik oddiy invertor 
o'rniga murakkab invertor yordamida bartaraf qilinadi, uning sxemasi 2.27 - 
rasm. 
2.27 – rasm. 
K109, K111, K156, K194, K511 o'z ichiga olgan sanoat tomonidan ishlab 
chiqarilgan DTL tipidagi mantiqiy elementlar seriyasining tipik parametrlari 
quyidagi ma'nolarga ega: 
- statik shovqinning ruxsat etilgan darajasi 0,7 V; 
- 6 gacha bo'lgan kirish uchun qo'shilish koeffitsienti; 
- 8 gacha bo'lgan mahsulotni dallanish koeffitsienti; 
- tarqalishni kechiktirish vaqti; 
- maksimal ish chastotasi 20 MGts gacha; 
- quvvat sarfi 50 ... 130 mVt. 
DTL tipidagi mantiq chiplarining kamchiliklari: 
- integrallashgan dizayn diodalarida tranzistorli tuzilmalar sifatida amalga 
oshirilganligi sababli, bu chip chipining katta maydonidan foydalanishni talab 
qiladi; 
- passiv elementlar bo'lgan diodlardan foydalanish tufayli nisbatan past 
ko'rsatkich. 

---

42