Ma’ruza №7 operatsion kuchaytirgichlar operatsion kuchaytirgich

Analog integral mikrosxemalarning negiz elementlari 
Barqaror tok generatori. Ixtiyoriy zanjirdan avvaldan belgilangan qiymatli 
tok oqishini ta’minlovchi elektron qurilma barqaror tok generatori (BTG) deb ata-
ladi. Yuklamadan oqayotgan tokning qiymati kuchlanish manbayi, zanjir parametr-

---

lari va temperatura o‘zgarishlariga bog'liq bo'lmaydi. BTGning vazifasi kirish 
kuchlanishi va yuklama qiymati o‘zgarganda chiqish toki qiymatini o‘zgarmas saq-
lashdan iborat bo‘lib, ular turli funksional vazifalarni bajaruvchi analog va raqamli 
mikrosxemalarda ishlatiladi. 
7.2-rasm. Ideal BTG VAXi. 
O‘zgarmas tok qiymatini faqat cheksiz katta dinamik qarshilikka ega bo‘lgan 
ideal tok manbayi ta’minlashi mumkin. Ideal tok manbayi VAXi gorizontal AB 
to‘g‘ri chiziqdan iborat (7.2-rasm). UB sxemada ulangan BTning chiqish xarakte-
ristikasi ideal tok generatori VAXiga yaqin bo‘ladi. Demak, UB sxemada ulangan 
tranzistor amalda tok generatori vazifasini bajarishi mumkin. Lekin, temperature-
viy barqarorlikni va keng dinamik diapazonni ta’minlash uchun amalda ikkita yoki 
undan ko‘p tranzistor ishlatiladi. Eng sodda BTG sxemasi 7.3-rasmda ko'rsatil-gan. 
Sxemada I
1
tok zanjiriga to‘g‘ri siljitilgan diod ulanishli, tayanch tranzistor deb 
ataluvchi VTl tranzistor ulangan. U juda kichik qarshilikka ega. Shuning uchun 
VTl kuchlanish generatori vazifasini o'taydi. U R
Yu
boshqariluvchi zanjir bilan 
ketma-ket ulangan VT2 tranzistorning emitter - baza o'tishini kuchlanish bilan 
ta’minlaydi. 
7.3-rasm. Sodda BTG sxemasi. 
VT2 tranzistor emitter – baza kuchlanishi bilan boshqarilgani munosabati 
bilan uning xususiyatlari UB sxemaning xususiyatlariga mos keladi. Ma’lumki, 

---

UB ulangan sxemada aktiv rejimda kollektor toki kollektordagi kuchlanishga 
deyarli bog’liq bo‘lmaydi (7.3-rasm). Shuning uchun ixtiyoriy R
Yu
 dan o‘tayotgan 
tok I
2
 tayanch kuchlanish U
EB2
bilan aniqlanadi. I
2
=I
1
 ekanligini amalda ko‘rsata-
miz. I
E1
 va I
E2
 toklar yuqori aniqlikda, 
𝐼
𝐸
= 𝐼
0
exp (
𝑞𝑈
𝐵𝐸
𝑘𝑇
), (7.1) 
ifoda bilan approksimatsiyalanadi, bu yerda: I
0
 — teskari siljitilgan EO‘ning to‘yi-
nish toki. Tranzistorlarning I
E0
va φ
T
parametrlari aynan bir xil bo‘lgani uchun 
U
BE1
=U
BE2
shartdan I
E1
=I
E2
bo’ladi. 7.3-rasmdan I
1
=I
E1
+I
B2
, I
2
=I
K2
=I
E2
-I
B2
. I
E1
=I
E2
ni e’tiborga olgan holda 
𝐼
2
= 𝐼
1
− 2𝐼
𝐵2
, (7.2) 
yozish mumkin. Baza toki kollektor tokidan 50 – 100 marta kichik bo‘ladi. Shu-
ning uchun, hisoblashlarda I
2
=I
1
deb olish mumkin. Bundagi xatolik 1+2% dan 
oshmaydi. Demak, R
y
 yuklama zanjiridagi chiqish toki I
2
, zanjir qanday bo'lishidan 
qat’i nazar, kirish tokini ham qiymat, ham yo‘nalish bo‘yicha takrorlaydi. Kirish 
toki qiymatiga kelsak, u yetarli aniqlik bilan I
1
=(E
M1
– 0.6)/R ga teng. I
1
 tokning 
o‘zgarmasligi barqarorlashgan kuchlanish manbayi E
M1
dan foydalanish hisobiga 
erishiladi. Natijada I
2
 tokning zanjir parametrlari E
M2
 va R
Yu
 ga bog‘liqligi yo‘qoti-
ladi. 
7.4-rasm. Uilson tok ko’zgusi sxemasi. 
Lekin bunday BTGda I
2
tokning temperatura bo'yicha barqarorligi ta’minlan-
maydi, chunki baza toki I
B2
temperatura o‘zgarishlariga juda bog‘liq. I
2
tokning 
temperatura bo‘yicha barqarorligini ta’minlash uchun murakkabroq sxemalardan 
foydalaniladi. Masalan, 7.4-rasmda BTGning uchta tranzistorli sxemasi (Uilson tok 
ko'zgusi) keltirilgan. Unda boshqaruvchi VT1 va VT2 tranzistorlarnig baza toklari 
qarama-qarshi yo‘nalgan. Sxemadan 

---

𝐼
1
− 𝐼
𝐵2
+ 𝐼
𝐵1
= 𝐼
𝐸1
, 𝐼
2
+ 𝐼
𝐵2
− 𝐼
𝐵1
= 𝐼
𝐸3
ko‘rinib turibdi. 
VT1 va VT2 tranzistorlar egizak. Ularning ishlash rejimlari birbirinikidan 
kollektor - baza kuchlanish bo'yicha farq qiladi. VT1 tranzistorning kollektor - 
baza kuchlanishi VT2 tranzistorning emitter - baza kuchlanishiga teng, ya’ni qiy-
mati kichik. VT2 tranzistorning kollektor - baza kuchlanishi esa R rezistordagi va 
R
Yu
zanjirdagi kuchlanish pasayishlari bilan aniqlanadi va sezilarli darajada katta 
bo‘lishi mumkin. Lekin, baza toki kollektor - baza kuchlanishi qiymatiga sust 
bog‘langan, shuning uchun I
B1
=I
B2
. Emitter toklari ham 7.3-rasmdagi holat sabab-
lariga ko‘ra bir-biriga teng I
E1
=I
E3
. Natijada, 
𝐼
2
= 𝐼
1
− 2(𝐼
𝐵2
− 𝐼
𝐵1
) = 𝐼
1
. 
Bu ifodadan 7.3-rasmda keltirilgan sxemada kirish va chiqish toklarining qaytari-
lishi 7.4-sxemadagiga qaraganda yuqoriroqligi ko‘rinib turibdi. Qator integral 
sxemalarda tayanch toki I
1
 (I
2
≪
I
1
) qiymati katta bo‘lgan kichik tokli BTGlar talab 
etiladi. Ushbu hollarda soda BTGning takomillashgan sxemasidan foydalaniladi 
(7.5-rasm). 
7.5-rasm. Aktiv tok transformatori. 
Bu sxema tok transformatori sxemasi deb ataladi. Uning uchun 
𝐼
𝐸2
𝑅
𝐸
= 𝑈
𝐵𝐸1
− 𝑈
𝐵𝐸1
; 𝑈
𝐵𝐸1
= 𝐸
𝑀
− 𝐼
1
𝑅 (7.3) 
ifoda o‘rinli. Ideallashtirilgan o‘tish VAX (7.1) dan foydalanib, 
𝑈
𝐵𝐸1
=
𝑘𝑇
𝑞
𝑙𝑛
𝐼
1
𝐼
0
; 𝑈
𝐵𝐸2
=
𝑘𝑇
𝑞
𝑙𝑛
𝐼
2
𝐼
0
(7.4) 
yozish mumkin. Yuqoridagi ifodalardan 
𝐼
2
=
𝑘𝑇
𝑞𝑅
𝐸
𝑙𝑛
𝐸
𝑀
− 𝑈
𝐵𝐸1
𝐼
2
𝑅
, (7.5) 

---

hosil qilamiz. I
2
tokning berilgan qiymati asosida (7.5) dan foydalangan holda R
E
 
rezistorning qarshiligini topish mumkin 
𝑅
𝐸
=
𝑘𝑇
𝑞𝐼
2
𝑙𝑛
𝐸
𝑀
− 𝑈
𝐵𝐸1
𝐼
2
𝑅
. (7.6) 
Ushbu sxema soddaligiga qaramasdan, temperatura bo'yicha barqarorlikni yaxshi 
ta’minlaydi, chunki R
E
 rezistor orqali manfiy TA ga ega. Hisoblashlardan tempera-
tura bir gradusga o'zgarganda tokning nobarqarorligi 
∆I
2
=2,5 mkA ni tashkil etishi 
ma’lum. Bundan tashqari, R
E
=1 kOm (statik qarshilik) bo‘lganda BTGning 
dinamik qarshiligi 1 MOmga yaqin bo‘ladi.