Mavzu: ims aktiv va passiv elementlari


IMSlarning belgilanish tizimi


Download 361.01 Kb.
Pdf ko'rish
bet2/8
Sana16.06.2023
Hajmi361.01 Kb.
#1517664
1   2   3   4   5   6   7   8
Bog'liq
Murtazoyev Oybek

IMSlarning belgilanish tizimi 
• 
IMSlar 6ta elementdan iborat bo‘lgan belgilanish tizimi yordamida 
klassifikatsiyalanadi: 
• 
Birinchi element (K – harfi) – IMS keng ko‘lamda qo‘llanilish uchun 
mo‘ljallanganligini bildiradi. 
• 
Eksport uchun mo‘ljallanganlari EK harflari bilan belgilanadi. 
• 
Ikkinchi element (harf) material va kobiq turini bildiradi (A- plastmassali 
planar, Ye-metall-polimerli, chiqishlari 2qator qilib yasalgan,
• 
I-shishakeramikli planar, B-qobiqsiz va x.z.). 
• 
Uchinchi element (bitta son) – IMSning konstruktiv-texnologik turini 
bildiradi (1,5,6,7-yarimo‘tkazgichli, 2,4,8-gibrid, 3-boshqa: pardali, keramik, 
vakuumli). 
• 
To‘rtinchi element (ikkita yoki uchta son) – IMS seriyasining tartib raqamini 
bildiradi. Ikkita son birlalikda-aniq seriya raqamini bildiradi. 
• 
Beshinchi element (ikkita harf) – IMSning funktsional vazifasini bildiradi. 
• 
Oltinchi element bir turdagi IMS seriyalari ichidagi ishlanma tartib raqamini 
bildiradi. 


Yarimo‘tkazgich IMSlar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar 
Yarimo‘tkazgich IMSlar tayyorlash uchun asosiy material bo‘lgan - kremniy 
monokristal quymalari olishdan boshlanadi (Choxralskiy usuli). Hosil bo‘lgan 
kremniy quymasi n– yoki r–turli elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Quyma 
uzunligi 150 sm, diametri esa 150 mm va undan katta bo‘lishi mumkin. Zonali eritish 
usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo‘shimcha tozalanadi. 
Epitaksiya. Epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini 
takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi.
Gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo‘lib, ular 
monokristal asos sirtida n– yoki r–turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan epitaksial 
qatlamlar hosil qilish imkonini beradi. 
Termik oksidlash. Termik oksidlash – kremniy sirtida oksid (SiO2) qatlam 
(parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo‘l bilan oksidlashdan iborat jarayon. U 
yuqori (1000÷1200) 0S temperaturalarda kechadi. 
2.1.-rasm. IMS tuzilmasi 

Download 361.01 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling