Maydoniy tranzistorni statik xarakteristikalari va asosiy parametrlari

11 – rasmda manfiy teskari aloqali bir bosqichli kuchaytirgich sxemasi keltirilgan.

11 – rasm.

Bu yerda MTA emitter zanjiriga RE rezistor kiritilishi bilan amalga oshirilgan. Kirish kuchlanishi UKIR ortishi bilan emitter toki ortadi, shu sababli RE rezistorda kuchlanish pasayishi ham ortadi: chunki baza- emitter o‘tishida kuchlanish kirish kuchlanishiga nisbatan kichik bo‘ladi

Bu yerda MTA emitter zanjiriga RE rezistor kiritilishi bilan amalga oshirilgan. Kirish kuchlanishi UKIR ortishi bilan emitter toki ortadi, shu sababli RE rezistorda kuchlanish pasayishi ham ortadi: chunki baza- emitter o‘tishida kuchlanish kirish kuchlanishiga nisbatan kichik bo‘ladi

irish va RE rezistordagi kuchlanishilarning o‘zgarishi bir - biriga teng deb hisoblash mumkin, ya’ni baza-emitter kuchlanishi o‘zarishi ni hisobga olmasa ham bo‘ladi.

RE orqali oqib o‘tayotgan tok RK dan ham oqib o‘tadi, demak, bu tokning o‘zgarishi kolektordagi rezistorda emitterdagi rezistordagiga nisbatan marta katta kuchlanish ortishiga olib keladi

Bu ifodaga tranzistorning tokka bog‘liq bo‘lgan parametrlari kirmaydi. Shu sababli, kollektor toki emitter tokidan ancha farq qilishini hisobga olsak, MTA li kuchaytirgichning kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffisienti kam miqdorda bo‘lsa ham tok qiymatiga bog‘liq bo‘ladi.

Bu ifodaga tranzistorning tokka bog‘liq bo‘lgan parametrlari kirmaydi. Shu sababli, kollektor toki emitter tokidan ancha farq qilishini hisobga olsak, MTA li kuchaytirgichning kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffisienti kam miqdorda bo‘lsa ham tok qiymatiga bog‘liq bo‘ladi.

Kuchaytirgich kirish qarshiligi qiymati

MTA hisobiga ortadi. Chiqish qarshiligi esa manfiy teskari aloqa hisobiga sekin ortadi va RK qiymatiga intiladi.

Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar. Maydoniy tranzistorlardan kuchaytirgich yasashda umumiy istok (UI) sxemada ulangan maydoniy tranzistorlar keng qo‘llaniladi.