Milliy gvardiya xarbiy-texnik instituti

6.1. Bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi
Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi eng keng tarqalgan. Kuchaytirgich taҳlil qilinganda signalmanbai yoki qarshilik R_G bilan ketma – ket ulangan ideal kuchlanishmanbai E_G ko’rinishida (6.1 a-rasm), yoki qarshilik R_G bilan parallel ulangan ideal tokmanbai I_G ko’rinishida (6.1 b-rasm) ifodalanishimumkin.



a) b)

6.1 – rasm.

Agar R_G va kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligi qiymatlari bir – biriga yaqin bo’lsa, signalmanbaining turi ҳisoblash aniqligiga tasir ko’rsatmaydi. Agar R_G kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligidan ancha katta bo’lsa, 6.1 b-rasmda keltirigan signalmanbaidan, aks ҳolda esa 6.1 a-rasmda keltirigan signalmanbaidan foydalanish tavsiya etiladi.

Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi sxemasi 6.2 – rasmda keltirilgan.

Sxemani taҳlil qilganda, tranzistor ҳolati kirish kuchlanishi bilan boshqarilganda uzatish xarakteristikasi (6.3-rasm), chiqish xarakteristikalar oilasi (4.5-rasm) ҳamda kirish xarakteristikalar oilasi (4.4-rasm) dan foydalanish qulay.

6.2 – rasm. 6.3 – rasm.

Uzatish xarakteristikasi - kollektor toki I_K ning baza – emitter kuchlanishi U_BE ga boғliqligi eksponentsial funktsiya bilan approksimatsiyalanadi

. (6.1)

bu yerda - termik potentsial, I_KS – proportsionallik koeffitsienti bo’lib uning taҳminiy qiymatimikroquvvatli kremniyli tranzistorlar uchun T=300 K bo’lganda 10^-9mA tartibga ega bo’ladi.

Kirish signalimavjud bo’lmaganda kuchaytirgich bosqichi sokinlik rejimida bo’ladi. Sokinlik rejimida kollektor – emittter kuchlanishining doimiy tashkil etuvchisi .

Kirishga o’zgaruvchan kirish signaliningmusbat yarim davri berilsa, baza toki ortadi va u kollektor toki o’zgarishiga olib keladi. Bu ҳolat uzatish xarakteristikasi (6.3-rasm) dan ko’rinib turibdi. Kollektor toki I_K ning U_BE kuchlanishiga boғliq ravishda o’zgarishi