Mustaqil ish elektronika va sxemotexnika mavzu: varikap va shottki baryerli diodlar

P-n diodalari bilan taqqoslaganda, Shotki diodalari unchalik qo'pol emas. Ulanish termal sezgir metallizatsiya bilan to'g'ridan-to'g'ri aloqa qiladi, shuning uchun Shotki diodasi ishdan chiqishdan oldin (ayniqsa, teskari parchalanish paytida) chuqur ko'milgan birikma bilan teng o'lchamdagi p-n analogiga qaraganda kamroq quvvat sarf qilishi mumkin.

Qayta tiklash vaqti

 
Orasidagi eng muhim farq p-n diyot va Shottki diodasi - teskari tiklanish vaqti (t_rr) diyot o'tkazgichdan o'tkazmaydigan holatga o'tganda. P-n diodasida teskari tiklanish vaqti bir necha mikrosaniyadagi tartibda tezkor diodlar uchun 100 ns dan kam bo'lishi mumkin va bu asosan diffuziya sig'imi o'tkazuvchanlik holatida diffuziya hududida to'plangan ozchilik tashuvchilar tomonidan kelib chiqqan.^[3] Shotki diodlari sezilarli darajada tezroq, chunki ular bir qutbli qurilmalar va ularning tezligi faqat tutashuv sig'imi bilan cheklangan. Kommutatsiya vaqti ~ 100 ps kichik signalli diodlar uchun va maxsus yuqori quvvatli quvvat diyotlari uchun o'nlab nanosekundagacha. P – n-o'tish o'tishida yuqori quvvatli yarimo'tkazgichlarda ortib boradigan teskari tiklash oqimi ham mavjud. EMI shovqin. Schottky diodalari bilan almashtirish juda ozgina sig'imli yuklanish bilan aslida "bir zumda" bo'ladi, bu esa tashvishga solmaydi.
Ushbu "oniy" almashtirish har doim ham shunday emas. Yuqori kuchlanishli Shotti qurilmalarida, xususan, buzilish maydon geometriyasini boshqarish uchun zarur bo'lgan himoya halqasi tuzilishi odatdagi tiklash vaqti atributlari bilan parazit p-n diodasini yaratadi. Ushbu himoya halqasi diodasi oldinga qarab emas ekan, u faqat sig'im qo'shadi. Agar Schottky birikmasi etarlicha qattiq harakatga keltirilsa, oldinga siljish oxir-oqibat ikkala diodani oldinga va haqiqiy t ga moyil qiladi_rr juda ta'sir qiladi.
Shotti diodasi ko'pincha "ko'pchilik operator"yarimo'tkazgichli qurilma. Bu shuni anglatadiki, agar yarimo'tkazgich tanasi a doping qilingan n-tipli, faqat n-turdagi tashuvchilar (mobil) elektronlar) qurilmaning normal ishlashida muhim rol o'ynaydi. Aksariyat tashuvchilar tezda bo'lish uchun diyotning boshqa tomonidagi metall aloqa o'tkazuvchanlik zonasiga AOK qilinadi erkin harakatlanuvchi elektronlar. Shuning uchun, sekin tasodifiy bo'lmaydi rekombinatsiya n va p tipidagi tashuvchilar ishtirok etadi, shuning uchun bu diod oddiy p – n rektifikatoriga qaraganda tezroq to'xtaydi. diyot. Ushbu xususiyat, o'z navbatida, kichikroq qurilma maydoniga imkon beradi, bu ham tezroq o'tishni ta'minlaydi. Bu Schottky diodlarining almashtirish rejimida foydali bo'lishining yana bir sababi quvvat konvertorlari: diyotning yuqori tezligi shuni anglatadiki, kontaktlarning zanglashiga olib 200 kHz dan 2 MGts gacha bo'lgan chastotalarda ishlash mumkin. induktorlar va kondansatörler boshqa diyot turlari bilan mumkin bo'lganidan yuqori samaradorlik bilan. Kichik hajmdagi Shotti diodalari RFning yuragi hisoblanadi detektorlar va mikserlar, ko'pincha 50 gigagertsgacha bo'lgan chastotalarda ishlaydi.