Mustaqil kuchlanish va tok manbalarining tadqiqoti

2.2. Dastlabki hisoblashlar

O’rganilayotgan (2.1-rasm) zanjir uchun talabaning topshiriq variantiga muvofiq (2.1-jadval) quyidagi funktsiyalar hisoblansin va ular grafigi qurilsin:

• 
  zanjirning toki I = E / (R_ich + R_yuk) I = f (R_yuk);
  
• 
  yukdagi kuchlanish U_yuk = I R_yuk U_yuk = f (R_yuk); - yukdagi quvvat U_yuk = I² R_yuk P = f (R_yuk);
  
• 
  f oydali ish koeffitsiеnti = R_yuk / (R_yuk + R_ich) = f (R_yuk ). hisoblashlar natijalari 2.2-jadvalga kiritilsin
  

Hisoblash uchun bеrilgan qiymatlar
1.1-jadval

Stеnd №	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13
Е2 Volt [V]	3,5	4	4,5	5	5,5	6	6,5	7	7,5	8	8,5	9	9,5

Tojiboyev Abduvahob

XULOSA

MEN USHBU LABORATORIYA ISHIDA UNIVERSAL
LABORATORIYA STЕNDI BILAN TANISHISH. REAL MUSTAQIL
KUCHLANISH VA TOK MANBALARINING TADQIQOTI MAVZUSI
BO’YICHA KERAKLI KO’NIKMALARNI VA BILIMLARNI OLDIM VA
MAVZUGA DOIR TOPSHIRIQLARNI BAJARIB ANCHA BILIMLARIMNI MUSTAHKAMLADIM.

2 - LABORATORIYA ISHI Tojiboyev Abduvahob

Mavzu: Yarimo’tkazgichli germaniy va kremniy diodlari parametrlari va xarakteristikalarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: Yarimo’tkazgichli diod (YaD) asosiy xarakteristikalari va parametrlarini hamda ularga tashqi muhit temperaturasining ta'sirini tadqiq etish.

1. 
   Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik:
   
   1. 
      YaD – n va p- turli o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan ikkita yarim o’tkazgichlar kontaktidan iborat bo’lgan hamda bir tomonlama o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan elektron asbob. YaD VAXsi 3.1-rasmda keltirilgan. Bu erda 1- nazariy xarakteristika, 2- real abob xarakteristikasi (bu xarakteristika YaDning yarim o’tkazgich strukturasidagi hajmiy qarshilikni va tashqi kontaktlar qarshiligini, YaDdan tok oqib o’tganda undan ajralib chiqayotgan qo’shimcha issiqlikni va x.z.larni hisobga oladi).
      

2. 
   Real yarimo’tkazgichli diod VAXsi 3.1- rasmda keltirilgan. Punktir chiziq bilan quyidagi tenglamaga mos keluvchi ideal VAX ko’rsatilgan:
   

2. 
   1-rasm
   

Xarakteristikalar yarimo’tkazgichli diod asosiy xossalarini namoyon etadi.
O chiq holatda yarim o’tkazgichli dioddan ma'lum miqdorda to’g’ri tok (ito'g '^ri 0
) oqib o’tadi; bu holat yarim o’tkazgichli diodga to’g’ri kuchlanish berish natijasida ta'minlanadi:
+ u > 0 –

i
B erk holatda yarim O’tkazgichli dioddan juda kichik teskari tok tesk ( i 0
) oqib o’tadi. Bu tokning qiymati germaniyli diodlarda 10^-5 – 10^-6A, kremniyli diodlarda esa 10^-9 – 10^-12A tartibga ega. Yarimo’tkazgichli diodning berk holati unga teskari kuchlanish berish natitijasida amalga oshiriladi:
– u < 0 +

3. 
   1-rasmdan ko’rinib turibdiki, real yarimo’tkazgichli diod VAXsining to’g’ri shohobchasi nazariy xarakteristikaga nisbatan bo’sag’aviy kuchlanish qiymati u
   

b ilan ifodalanadigan bo's sezilarli to’g’ri tok yuzaga keladigan ancha yuqori to’g’ri kuchlanish sohasiga siljigan. Germaniyli diodlarda u_bo's 0,25 0,4 V, kremniyli diodlarda - u_bo's 0,68 0,8 V. U U_bo's bo’lganda VAX to’g’ri shohobchasining egilishi diod baza sohasining qarshiligi r'_B bilan aniqlanadi.
Yarimo’tkazgichli diod VAXsiga tashqi muhit temperaturasining ta'siri 3.2rasm bilan tushuntiriladi. Temperatura ortganda to’g’ri va teskari tok ortadi.

2.2- rasm
Yarimo’tkazgichli diodga temperatura ta'sirini hisobga oladigan asosiy parametrlar bo’lib quyidagilar hisoblanadi: Kuchlanishning temperaturaviy koeffitsinti _t
i = const
va teskari tokni e martaga o’zgarishiga mos keluvchi temperatura t* :
t−t₀
itesk (t)= itesk (t'0)e t*

2.