Mustaqil kuchlanish va tok manbalarining tadqiqoti


Download 1.83 Mb.
bet7/7
Sana04.02.2023
Hajmi1.83 Mb.
#1157901
1   2   3   4   5   6   7
Bog'liq
abduvahobbbb

XULOSA


MEN USHBU LABORATORIYA ISHIDA Yarimo’tkazgichli germaniy va
kremniy diodlari parametrlari va xarakteristikalarini tadqiq etish
MAVZUSI BO’YICHA KERAKLI KO’NIKMALARNI VA BILIMLARNI
OLDIM VA MAVZUGA DOIR TOPSHIRIQLARNI BAJARIB ANCHA BILIMLARIMNI MUSTAHKAMLADIM. 3 - LABORATORIYA ISHI Tojiboyev Abduvahob
UE ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik: Grafik ko’rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog’liqlik tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. i Umumiy emitter ulanish sxemasida mustaqil o’zgaruvchilar sifatida baza toki B va kollektor – emitter kuchlanishi uКE tanlanadi, shunda:
u EB = f (iB,E) iК = f (iB,uКE)

Ikki o’zgaruvchili funktsiya grafik ko’rinishda xarakteristikalar oilasi kabi tasvirlanadi.
BT kirish xarakteristikalari oilasi 5.1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi 5.1 b-rasmda keltirilgan.

a) b)
3.1-rasm
Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog’liqlik bilan ifodalanadi:
uEB = f (iB), uКE = const bo’lganda = f
(uКE), iB = const bo’lganda
Kichik amplitudali siganllar bilan ishlanganda IBт,UBEт, IKm,UКEт iB (0) va
UКE(0) qiymatlar bilan beriladigan ixtiyoriy ishchi nuqta atrofidagi nochiziqli bog’liqliklar chiziqli tenglamalar bilan almashtirilishi mumkin, masalan tranzistorning h- parametrlar tizimidan foydalanib.

UBEт =h11IBт +h12UКEт IКт =h21IBт +h22UКEт
yozish mumkin, bu erda h i , uKE = const bo’lganda
B

h22E =

К

h21E = KE = const bo’lganda
h =BE , iB = const bo’lganda
12E uКE
u КE , iB = const bo’lganda
h- parametrlar formulalari yordamida xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h11E va h12E – kirish xaratkeristikalar oilasidan, h21E va h22E – chiqish xarakteristikalar oilasidan).
Amaliy hisoblarda ko’pincha BT statik xarakteristikalarini bo’lakli- chiziqli aprroksimatsiyasidan ham keng foydalanishadi. (5.2- rasmga qarang)

3.2-rasm
Approksimatsiyalangan kirish xaratkeristiklari uchun

BO'Sbo'lg andaiB = 0

uBE UBO'Sbo'lg andaiB = uBE UBO'S
rKIR ga egamiz.
Chiqish xarakteristikalari uchun esa

u
(to' y. − rejimi)
U КE UКE.ТO'Y ,
(aktivrejim) UBO’S-
emitter
bo’sag’aviy kuchlanish,

r KIR - tranzistor kirish qarshiligining o’rta qiymati ( r KIR r'B ), rК .ТO'Y -
to’yinish rejimidagi tranzistor chiqish qarshiligi (boshlang’ich sohada).
.ТO'Y = uiКEК , iB = const va uКE UКE.ТO'Y

К - aktiv rejimda chiqish qarshiligi ning o’rta qiymati.
iB = const va uКE UКE.ТO'Y bo’lganda

XULOSA


MEN USHBU LABORATORIYA ISHIDA UE ulanish sxemasidagi BTni statik
VAXlarini tadqiq etish MAVZUSI BO’YICHA KERAKLI KO’NIKMALARNI VA BILIMLARNI OLDIM VA MAVZUGA DOIR TOPSHIRIQLARNI BAJARIB ANCHA BILIMLARIMNI MUSTAHKAMLADIM.

Tojiboyev Abduvahob


Download 1.83 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling