Mustaqil kuchlanish va tok manbalarining tadqiqoti

XULOSA

MEN USHBU LABORATORIYA ISHIDA Yarimo’tkazgichli germaniy va
kremniy diodlari parametrlari va xarakteristikalarini tadqiq etish
MAVZUSI BO’YICHA KERAKLI KO’NIKMALARNI VA BILIMLARNI
OLDIM VA MAVZUGA DOIR TOPSHIRIQLARNI BAJARIB ANCHA BILIMLARIMNI MUSTAHKAMLADIM. 3 - LABORATORIYA ISHI Tojiboyev Abduvahob
UE ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish
Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish.
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik: Grafik ko’rinishda ifodalangan tok va kuchlanish orasidagi bog’liqlik tranzistor statik xarakteristikalari deb ataladi. i Umumiy emitter ulanish sxemasida mustaqil o’zgaruvchilar sifatida baza toki _B va kollektor – emitter kuchlanishi u_КE tanlanadi, shunda:
u EB = f (iB,uК_E) i_К = f (i_B,u_КE)

Ikki o’zgaruvchili funktsiya grafik ko’rinishda xarakteristikalar oilasi kabi tasvirlanadi.
BT kirish xarakteristikalari oilasi 5.1 a- rasmda, chiqish xarakteristikalar oilasi 5.1 b-rasmda keltirilgan.

a) b)
3.1-rasm
Xarakteristikalarning har biri quyidagi bog’liqlik bilan ifodalanadi:
uEB = f (iB), uКE = const bo’lganda iК = f
(u_КE), i_B = const bo’lganda
Kichik amplitudali siganllar bilan ishlanganda I_Bт,U_BEт, I_Km,U_КEт i_B (0) va
U_КE(0) qiymatlar bilan beriladigan ixtiyoriy ishchi nuqta atrofidagi nochiziqli bog’liqliklar chiziqli tenglamalar bilan almashtirilishi mumkin, masalan tranzistorning h- parametrlar tizimidan foydalanib.

UBE_т =h11IB_т +h12UКE_т IКт =h21IB_т +h22UКE_т
yozish mumkin, bu erda h i , uKE = const bo’lganda
B

h22E =

К

h21_E ⁼ KE = const bo’lganda
h =^BE , i_B = const bo’lganda
12E uКE
u КE , i_B = const bo’lganda
h- parametrlar formulalari yordamida xaratkeristikalar oilasidan aniqlanishi mumkin (h_11E va h_12E – kirish xaratkeristikalar oilasidan, h_21E va h_22E – chiqish xarakteristikalar oilasidan).
Amaliy hisoblarda ko’pincha BT statik xarakteristikalarini bo’lakli- chiziqli aprroksimatsiyasidan ham keng foydalanishadi. (5.2- rasmga qarang)

3.2-rasm
Approksimatsiyalangan kirish xaratkeristiklari uchun

BO_'Sbo'lg anda−i_B = 0

uBE UBO_'Sbo'lg anda−iB = uBE −UBO_'S
rKIR ga egamiz.
Chiqish xarakteristikalari uchun esa

u
(to' y. − rejimi)
U КE UКE._ТO'Y ,
(aktiv− rejim) _UBO’S_-
emitter
bo’sag’aviy kuchlanish,

r KIR - tranzistor kirish qarshiligining o’rta qiymati ( r KIR r'B ), r_{К .ТO'Y} -
to’yinish rejimidagi tranzistor chiqish qarshiligi (boshlang’ich sohada).
rК._ТO'Y = uiКEК , iB = const va uКE UКE._ТO'Y

К - aktiv rejimda chiqish qarshiligi ning o’rta qiymati.
i_B = const va u_КE U_КE.ТO'Y bo’lganda

XULOSA

MEN USHBU LABORATORIYA ISHIDA UE ulanish sxemasidagi BTni statik
VAXlarini tadqiq etish MAVZUSI BO’YICHA KERAKLI KO’NIKMALARNI VA BILIMLARNI OLDIM VA MAVZUGA DOIR TOPSHIRIQLARNI BAJARIB ANCHA BILIMLARIMNI MUSTAHKAMLADIM.

Tojiboyev Abduvahob