Олий ва ўрта махсустаълим вазирлиги

ЎЗБЕКИСТОНРЕСПУБЛИКАСИ
ОЛИЙ ВА ЎРТА МАХСУСТАЪЛИМ ВАЗИРЛИГИ


ИСЛОМ КАРИМОВ НОМИДАГИ
ТОШКЕНТ ДАВЛАТ ТЕХНИКА УНИВЕРСИТЕТИ


ЭЛЕКТРОНИКА ВА АВТОМАТИКАФАКУЛЬТЕТИ


«ЭЛЕКТРОН АППАРАТЛАРНИ ИШЛАБ ЧИҚАРИШ ТЕХНОЛОГИЯСИ» КАФЕДРАСИ
5A310804 – “Яримўтказгичли материаллар нанотехнологияси” МУТАХАССИСЛИГИ
62M-21 ГУРУҲ МАГИСТРАНТИ
Мустафоев Абдувохиднинг


ИЛМИЙ-АМАЛИЁТ ИШИДАН
ҲИСОБОТИ
Тошкент 2022-2023


ҲИСОБОТ
Илмий раҳбарим маслаҳати ҳамда ўзимнинг қизиқишларим асосида диссертация мавзусини танладим. Диссертация мавзусини танлаш жараёнида ҳар бир мавзу қизиқарлилиги ва ўта долзарблиги менда иштиёқ бағишлади.
Лекин улар орасидан « Яримутказгичлар юзасида хосил булган коп компонентли ва куп катламли структураларни электрон хусусиятлари ва улардан фойдаланиш истикболлари » мавзусидаги диссертация иши менда кўпроқ қизиқиш уйғотди ва ушбу мавзуни ўз диссертация ишим сифатида танладим.
Илмий раҳбарим менга ушбу мавзу бўйича зарур маслаҳатлар берди ва диссертация мавзуйим бўйича мавжуд муаммоларни ўрганиб, уларни илмий ҳал қилиш бўйича аниқ тавсиялар ишлаб чиқишим кераклигини уқтирди.
Яримутказгичлар юзасида хосил булган кўп компонентли ва кўп катламли структураларни электрон хусусиятлари ва улардан фойдаланиш истикболлари. Назарий асосларга куйидаги режаларни танладим
ярим ўтказгичли қурилмалар асослари
- яримўтказгич плёнкаларни епитаксиал ўстириш усуллари
- Ион имплантацияси усули
- ярим ўтказгичларда емиссия жараёнлари
-ярим ўтказгич плёнкаларнинг електрофизик хусусиятлари
2 -бобга Яримўтказгич плёнкаларни олиш усуллари
- МОКВД, ҲВПЕ, МБЕ, CВД каби епитаксия усулларининг тавсифи
- ион имплантацияси усулининг тавсифи
3-боб. Яримўтказгич плёнкаларининг емиссия хусусиятлари
- яримўтказгич плёнкалар юзасида емиссия майдонини ўргандим
- Емиссия хусусиятлари ва яримўтказгич плёнкаларини ўстириш усуллари ўртасидаги муносабатни муҳокама қилиш
- Експериментал маълумотларни таҳлил қилиш
4-боб. Яримўтказгич плёнкаларининг електрофизик хусусиятлари
- Яримўтказгич плёнкаларнинг турли хил аралашмалар билан қўшилгандаги електр хоссаларини ўрганим
- електрофизик хусусиятлар ва яримўтказгич плёнкаларини ўстириш усуллари ўртасидаги боғлиқликни таҳлил қилдим
- Експериментал маълумотларни таҳлил қилдим
Диссертация мавзуси аннотацияси:
Ўзбекистон мустақилликка эришгандан сўнг унинг олдида иқтисодий ва ижтимоий ривожланиш учун, маданий ва маънавий янгиланиш учун кенг йўллар очилди. Мустақилликнинг биринчи кунидан бошлаб бозор иқтисодиёти, ишлаб чиқариш, замонавий техналогияни тадбиқ этиш ва жаҳон иқтисодий алоқалари тизимига киришнинг энг мақбул йўлларини қидириш билан боғлиқ бўлган муаммоларни мустақил ечишга тўғри келади. Бугунги кунда, нафакат ижтимоий хаётда балки барча сохада электрон асбоблардан фойдаланилмокда. Янги турдаги наноматерилаллар ва нанозарралар устида илмий изланишлар олиб бориш қўлланиладиган наноматериаллар ва нанотехнологияларнинг асосий синфларини ўрганиш ва фан компетенсияларини ривожлантиришдан иборат.Диссертация яримўтказгичли материалнинг електрофизик соҳасидаги асосий назарий қоидалар келтирилган, ярим ўтказгичли тузилмаларда содир бўладиган ҳодисалар кўриб чиқилади, ярим ўтказгичли қурилмаларнинг ишлашини тавсифловчи физик ва математик алоқалар берилган.
Ушбу технологияларда кулланилаётган аппаратлар хамда электрон аппаратлар ишлаб чикариш ўрганиш мазкур магистрлик диссертациясининг асосий мазмун ва моҳиятини ташкил этади.
Диссертация мақсад такомиллаштириш ва мутахассислар учун зарур бўлган янги малакаларни олиш фаолияти ва касбий малакасини ошириш касбий фаолият учун зарур бўлган мавжуд яримўтказгичли электрон асбоблар гетероструктурали замонавий материаллар яратиш хамда уларни физик ва кимёвий хусусиятларини ўрганишдан иборатдир.
Диссертациянинг мақсади ганишдир физик қонуниятлари ва гетероструктураларнинг кристалланиш хусусиятлари белгилайдиган InGaPAs/GaAs, InGaPAs/InP, GaP/Si, AlGaAs/Si, фотоэлектрик хусусиятлар ва функсионалликни кенгайтиради улар асосида юқори самарали фотоконверторларнинг имкониятлари.
Ушбу мақсадга еришиш учун қуйидагилар вазифалар:
1. Суюқ фазали кристалланиш хусусиятларини ўрганинг ҳарорат соҳасида InGaPAs/GaAs, ва InGаPAS/InP гетероструктуралари.
2.GaP наноплёнкаларининг лазерли кристалланиш имкониятларини ўрганиш,
Силикон субстратларда AlGаAs ва улар асосида фотоконверторлар ягона технологик циклда яратиш.
3. Ион-нурнинг технологик параметрларини аниқланг
таъминлаш учун GаAs субстратларида InGаAs наноплёнкаларининг кристалланиши ҳажми, шакли ва таркиби билан бошқариладиган шартларни олиш наноструктуралар.
4. Фотоэлектрикнинг асосий боғлиқликларини симуляция параметрлари: қисқа туташув токи , кучланиш , самарадорлик, фотоэлектрик конверторларнинг спектрал характеристикалари.

Магистр: _____________ Мустафоев .А

Илмий рахбар: _____________ PhD.Юсупжонова.М
Кафедра мудири: ______________ дотц. Б. Б. Гаибназаров