Oxygen in Silicon Single Crystals

Блецкан Н. И., Грибов Б. Г. Монокристаллы кремния: состояние и перспек­

тивы развития // Тр. 1-ой Всесоюзной конференции по микроэлектронике, Вильнюс.-1977.

23. 
    Туровский Б. М. Влияние вращения тигля с расплавом на содержание кис­
    

лорода в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского // В кн.: Научные труды Гиредмета. - М.: Гиредмет, 1969.-Т. 25.-С. 113-116.

24. 
    Бевз В. Е., Критская Т. В., Фалькевич Э. С. Исследование взаимодействия
    

кварца с легированным расплавом кремния // Электронная техника. Сер. Материалы.-1983.-Вып. 2(175).-С. 48-50.

25. 
    Goss A. J., Adlington R. E. Seed Rotation Influence on Silicon Crystal Growth //
    

Marcani Review.-1959.-V.22, N 132.-P. 18-36.

26. 
    Никитин В. M., Туровский Б. И., Мильвидский М. Г. Некоторые вопросы ме­
    

таллургии полупроводникового кремния // В кн.: Научные труды Гиредме­та. - М.: Гиредмет, 1969.-Т. 25.-С. 82-94.

27. 
    Kobayachi N., Arizuni T. Computational Studies of the Convection Caused by
    

Crystal Rotation in a Crucible // J. Cryst. Growth.-1983.-V.49, N 3. -P. 419-425.

28. 
    Patrick W. J., Westdorp W. A. Control Oxygen in Silicon Crystals. - U.S. Patent
    

4,040,895 (1977).

29. 
    Swaroop R., Kim N., Lin W. Testing for Oxygen Precipitation in Silicon Wafers //
    

Solid State Technology.-1987.-N 3.-P. 85-89.

30. 
    Бартон Д., Прим P., Шлихтер В. Распределение примесей в кристаллах, вы­
    

ращенных из расплава // В кн.: Германий. Сборник переводов. - М.: Ино­странная литература, 1955.-С. 74-91

31. 
    De Kock A. J. R., Severin P. J., Roksnoer P. J. On the Relation between Growth
    

Striations and Resistivity Variations in Silicon Crystal // Phys. Stat. Sol (a). -1974.-V. 22, N 1.-P. 163-166.

32. 
    Lin W., Hill D. W. Oxygen Segregation in Czochralski Silicon Growth // J. Appl.
    

Phys.-1983.-V. 54, N 2.-P. 1082-1085.

33. 
    Lin W., Stavola M. Oxygen Segregation and Microscopic lnhomogeneity in Czoch­
    

ralski Silicon // J. Electrochem. Soc.-1985.-V. 132, N 6.-P. 1412-1416.

34. 
    Rava P., Gatos H. C., Lagowski J. Thermally Activated Oxygen Donors in Si //
    

J. Electrochem. Soc.-1982.-V. 129, N 12.-P. 2844-2849.

35. 
    Yao K. H., Witt A. F. Scanning Fourier Transform Infrared Spectroscopy of Carbon
    

and Oxygen Microsegregation in Silicon // J. Cryst. Growth.-1987.-V. 80. -P. 453-455.

36. 
    Hrostowski H. J., Kaiser R. H. Infrared Absorption of Oxygen in Silicon // Phys.
    

Rev.-1957.-V. 107, N 4.-P. 966-976.

37. 
    Ильин M. A., Коварский В. Я., Орлов А. Ф. Определение содержания кисло­
    

рода и углерода в кремнии оптическим методом // 3аводская лаборато- рия.-1984-T. 50, N 4.-C. 24-32.

38. 
    Стандарт ФРГ ДИН 50438. Определение концентрации примеси в кремнии с
    

помощью ИК-поглощения (кислород). 1978.

39.