Oxygen in Silicon Single Crystals

Mao B.-Y., Lagowski J., Gatos H. C. Kinetics of Thermal Donor Generation in Silicon // Appl. Phys.-1984.-V.56, N 10.-P. 2729-2733.


229

139. 
     Mao B.-Y., Lagowski J., Gatos H. S. Effects of High Temperature Annealing on the Formation of Oxygen Thermal Donors and on the Concentration of a New Electron-Trap in Czochralski Silicon // In: Proceedings of the Sumposium on Defects in Silicon 1983, edited by W. Murray Bullis and L. C. Kimerling (The Electrochemical Society, Pennington, New Jersey, 1983).-P. 86-94.
     
140. 
     Далуда Ю. H., Емцев В. В., Кервалишвили П. Д., Петров В. И., Шмальц К.
     

Влияние термообработки на перестройку кислородсодержащих дефектов в кремнии // ФТП.-1987.-Т. 21, Вып. 7.-С. 1283-1288.

141. 
     Mathiot D. A Self-interstitial Related Model for the Formation of Thermal Donors
     

in Silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-1988.-V.104.-P. 189-192.

142. 
     Mathiot D. Thermal Donor Formation in Silicon: A New Kinetic Model Based on
     

Self-interstitial Aggregation // Appl. Phys. Lett.-1987.-V.51, N 12.-P. 904-906.

143. 
     Griffin P. B., Fahey P. M., Plummer J. D., Dutton R. W. Measurement of Silicon
     

interstitial Diffusivity // Appl. Phys. Lett.-1985.-V.47, N 3.-P. 319-321.

144. 
     Fuller C. S., Doleiden F. H. Interactions Between Oxygen and Acceptor Elements
     

in Silicon // J. Appl. Phys.-1958.-V.29, N 8.-P. 1264-1265.

145. 
     Cleland J. W. Heat-Treatment Studies of Oxygen-Defect-Impurity Interactions in
     

Silicon // J. Electrochem. Soc.-1982.-V.129, N 9.-P. 2127-2132.

146. 
     Suchet J. P. Sur le role de l'oxygem dans les cristaux de silicium // J. Chine. Phys.-1961.-V.58, N 3.-P. 455-463.
     
147. 
     Reiche M., Reichel J., Nitzche W. Correlations Between Thermal Donor Forma­tion, Rod-Like Defect Formation and Oxygen Reduction During Low- Temperature Annealing of Cz-Grown Si // Phys. Stat. Sol. (a).-1988.-V.107, N 2.-P. 851-865.
     
148. 
     Бабич В. М., Баран Н. П., Ковальчук В. Б. Влияние длительных термообра­
     

боток на образование и свойства термодоноров-I в кристаллах n-Si // УФЖ.-1985-T. 30, N 9.-C. 1405-1407.

149. 
     Griffin J. A., Navarro H., Weber J., Genzel L., Borenstein J. T., Corbett J. W, Snyder L. C. The New Shallow Thermal Donor Series in Silicon // J. Phys. C: Solid State Phys.-1986.-V.19, N 26.-P. L579-L584.
     
150. 
     Navarro H., Griffin J., Weber J., Gencel L. New Oxygen Related Shallow Thermal
     

Donor Centres in Czochralski-Grown Silicon // Solid State Commun.-1986. -V.58, N 3.-P. 151-155.

151. 
     Соловьева Е. В., Мильвидский М. Г. Особенности дефектообразования в полупроводниках при изовалентном легировании // ФТП.-1983.-Т. 17, Вып. 11.-С. 2022-2024.
     
152. 
     Бабицкий Ю. М., Горбачева Н. И., Гоинштейн П. М., Мильвидский М. Г., Ту­ровский Б. М. Генерация термодоноров в кремнии, легированном герма­нием // ФТП.-1984.-Т. 18, Вып. 7.-С. 1309-1311.
     
153.