Oxygen in Silicon Single Crystals

Бабицкий Ю. М., Гоинштейн П. М., Ильин М. А., Мильвидский М. Г., Орлова

4. 
   В., Рытова Н. С. Влияние углерода на образование термодоноров и прeципитацию кислорода в бездислокационном кремнии // Изв. АН СССР. Неорган. материалы.-1985.-T. 21, N 5.-С. 744-748.
   

167. 
     Могт F. J., Maita J. P., Shulman R. G., Hannay N. B. Impurity Levels in Silicon //
     

Phys. Rev.-1954.-V.96, N 3.-P. 833.

168. 
     Matukura Y. Effects of Heat Treatment upon the Electrical Properties of Silicon //
     

J. Phys. Soc. Japan.-1959.-V.14, N 7.-P. 918-923.

169. 
     Кеller W., WOnstel К. Thermal Donors in Silicon. Consistent interpretation of Hall-Effect and Capacitance Transient Spectroscopy // Appl. Phys. - A.-1983. -V.31, N 1.-P. 9-12.
     
170. 
     Гоинштейн П. М., Лазарева Г. В., Орлова E. В., Сальник З. А., Фистуль В. И.
     

Об условиях генерации термодоноров в кремнии в интервале температур 600-800°С // ФТП.-1978.-Т. 12, Вып. 1.-С. 121-123.

171. 
     Гаворцевский П., Гэле С., Мали Д., Риманн X. Влияние термообработки мо­
     

нокристаллов кремния с высоким содержанием кислорода на электрофи­зические параметры // В кн.: Свойства легированных полупроводников. - М.: Наука, 1977.-С. 203-210.

172. 
     Long D., Myers J. Hall Effect and Impurity Levels in Phosphorus-Doped Silicon // Phys. Rev.-1959.-V.155, N 5.-P. 1119-1121.
     
173. 
     Corbett J. W, Frisch H. L., Snyder L. C. On the Thermal Donors in Silicon // Mater. Lett.-1984.-V.2, N 3.-P. 209-210.
     
174. 
     Borenstein J. T., Corbett J. W, Herbert М., Sahu S. N., Snyder L. C. Perturba­tion Model for the Thermal-Donor Energy Spectrum in Silicon // J. Phys. C: Solid State Phys.-1986.-V. 19, N 16.-P. 2893-2906.
     
175. 
     Borenstein J. T., Corbett J. W. Unified Model for the Thermal Donor Energy Spectra in Silicon and Germanium // Phys. Lett. A.-1986.-V.115, N 1-2. -P. 55-58.
     

231

176. 
     Kohn W., Luttinger J. M. Theory of Donor States in Silicon // Phys. Rev.-1955.
     

-V.98, N 4.-P. 915-922.

177. 
     Faulkner R. A. Higher Donor Excited States for Prolate-Spheroid Conduction Bands: A Reevaluation of Silicon and Germanium // Phys. Rev.-1969.-V.184, N 3.-P. 713-721.
     
178. 
     La Porta C. S., Kimball J. C., Borenstein J. T., Corbett J. W. Comments on Thermal Donor States in Silicon and Germanium // J. Phys. C: Solid State Phys. -1986.-V.19, N 27.-P. L627- L630.
     
179. 
     Griffin J. A, Navarro H., Weber J., Genzel L. Properties of the Shallow Thermal
     

Donors in Cz-Silicon as Studied by Photothermal lonization Spectroscopy (PTIS) // In: Proceedings of 14-th International Conference on Defects in Semiconductors, edited by H. J. von Bardeleben (TransTech, Aedermannsdorf, Switzerland, 1986).-P. 987-992.

180.