Oxygen in Silicon Single Crystals

Дашевский М. Я., Лымарь С. Г., Докучаева А. А., Итальянцев А. Г., Антонова

И. А. Влияние германия на поведение кислорода в кремнии // Изв. АН СССР. Неорган. материалы.-1985.-T. 21, N 11.-С. 1827-1830.

154. 
     Бринкевич Д. М., Горбачева Н. И., Петров В. В., Ткачев В. Д., Туровский Б. М. Термодоноры в кремнии, легированном германием // Докл. АН БССР. -1986.-Т. 30, N 4.-С. 308-310.
     
155. 
     Бабицкий Ю. М., Гринштейн П. М., Ильин М. А., Кузнецов В. П., Мильвид­ский М. Г. О поведении кислорода в кремнии, легированном изовалент- ными примесями // ФТП.-1985.-Т. 19, Вып. 11.-С. 1982-1985.
     
156. 
     Дашевский М. Я., Кибизов P. В., Докучаева А. А., Макеев X. И. Исследова­
     

ние влияния германия на поведение кислорода в монокристаллах крем­ния, выращенных по методу Чохральского // Электронная техника. Сер. Материалы.-1984.-Вып. 1 (186).-С. 76-77.

157. 
     Бугай А. А., Максименко В. М., Туровский Б. М. и др. Исследование радиа­
     

230




ционных дефектов в сплаве Si(Ge) методом ЭПР и ИК-спектроскопии // ФТП.-1984.-Т. 18, Вып.11.-С. 2020-2023.

158. 
     Хируненко Л. И., Шаховцов В. И., Шинкаренко В. К., Шпинар Л. М., Ясковец
     

И. И. Особенности процессов радиационного дефектообразования в кри­сталлах Si(Ge) // ФТП.-1987.-Т. 21, Вып. З.-С. 562-565.

159. 
     Бабич В. М., Баран Н. П., Блецкан Н. И., Зотов К. И., Ковальчук В. Б. Осо­
     

бенности образования ТД-II в кристаллах кремния, легированных герма­нием // УФЖ.-1989.-Т. 34, N 5.-С. 730-735.

160. 
     Грибов Б. Г., Блецкан Н. И. Большие монокристаллы кремния, проблемы и
     

перспективы развития // Тезисы 1-ой Всесоюзной конференции "Физические и физико-химические основы микроэлектроники", Вильнюс, 1987.-С. 29-31.

161. 
     Kolbesen В. О., MOhlbauer A. Carbon in Silicon: Properties and Impact on De­vices // Solid State Electronics.-1982.-V.25, N 8.-P. 759-775.
     
162. 
     Newman R. C. Defects in Silicon // Rep. Prog. Phys.-1982.-V.45.-P. 1163­1210.
     
163. 
     Мазрухин Л. В., Мильвидский М. Г., Хируненко Л. И., Шаховцов В. И., Шин­
     

каренко В. К., Горбачева Н. И. Уширение полос поглощения водородопо­добных центров в кремнии с изовапентными примесями // ФтП.-1986. -Т. 20, Вып. 9.-С. 1647-1653.

164. 
     Markevich V. P., Makarenko L. F., Murin L. I. Some New Features of Thermal Donor Formation in Silicon at T < 800 K // Phys. Stat. Sol.(a).-1986.-V.97, N 2. -P. К173-К176.
     
165. 
     Sze S. M., lrvin J. C. Resistivity, Mobility and Impurity Levels in GaAs, Ge and Si
     

at 300 K // Solid State Electrohics.-1968.-V.11, N 6.-P. 599-602.

166.