Oxygen in Silicon Single Crystals

Schneider J. Microscopic Identification of Defects in Semiconductors by Elect-

ron-Spin Resonance and Related Techniques // ln: Microscopic identification of Electronic Defects in Semiconductors, edited by N. M. Johnson, S. G. Bishop and G. D. Watkins (Materials Research Society, Pittsburg, PA, 1985).-P. 13-25.

270. 
     Saminadayar К., Pautrat J. L., Lazrak A. Spectroscopic investigation of Thermally
     

induced Donors in the 400-800°С range in Silicon // ln: Proceedings of 13-th international Conference on Defects in Semiconductors, edited by LC.Kimerling and J. M. Parsey, Jr. (The Metallurgical Society of AIME, Warrendale, PA, 1985).- P. 669-675.


236

271. 
     Vendange Ph., Henry A., Saminadayar K., Magnea N., Pautrat J. L. Early Stage of the New Donors Formation in Cz-Silicon // In: Proceedings of 14-th Interna­tional Conference on Defects in Semiconductors, edited by H. J. von Bardele- ben (Trans Tech,Aedermannsdorf, Switzerland, 1986).-P. 991-996.
     
272. 
     Bender H., Vanhellemont J. Rod-Like Defects in Silicon: Coesite or Hexagonal Silicon? // Phys. Stat Sol. (a).-1988.-V.107, N 2.-P. 455-467.
     
273. 
     Бабич В. М., Баран Н. П., Бугай А. А., Кончиц А. А., Максименко В. М. СВЧ-
     

проводимость и инвертированный сигнал ЭПР новых центров в кремнии с кислородом // Письма в ЖЭТФ.-1986.-Т. 44, Вып. 11.-С. 513-515.

274. 
     Бабич В. М., Баран Н. П., Бугай А. А. и др. Фоточувствительный апектроди-
     

польный резонанс новых центров в кремнии с кислородом // Изв. АН СССР. Сер. Физическая.-1988.-Т. 52, N 3.-С. 489-492.

275. 
     Кведер В. В., Кравченко В. Я., Мчедлидзе Т. Р. и др. Комбинированный ре­
     

зонанс на дислокациях в кремнии // Письма в ЖЭТФ.-1986.-Т.34, Вып. 4. -С. 202-205.

276. 
     Рашба Э. И., Шека В. И. Комбинированный резонанс на локальных центрах
     

большого радиуса // ФТТ.-1964.-Т. 6. Вып. 1.-С. 141-152

277. 
     Кведер B. В., Осипьян Ю. А., Шалынин А. И. Спинзависимое изменение вы­
     

сокочастотной фотопроводимости кристаллов кремния с дислокациями // ЖЭТФ.-1985.-Т. 88. Вып. 1.-С. 309-317.

278. 
     Kveder V. V., Osipyan Yu. A., Sagdeev I. R., Shalynin A. l., Zolotukhin M. N. The
     

Effect of Annealing and Hydrogenation on the Dislocation Conduction in Silicon // Phys. Stat. Sol. (a).-1985.-V.87, N 2.-P. 657-665.

279. 
     Bartsh H., Heydenreich J., Hoehl D., Werner P. On the Structure and Annealing
     

Behaviour of Rod-Like Defects in Silicon // ln: Proceedings of V-th international Symposium on Structure and Properties of Dislocations in Semiconductors (Abstracts) USSR, Moskow, 1986.-P. 39.

280. 
     Бабич В. М., Баран Н. П., Доценко Ю. П., Зотов К. И., Ковальчук В. Б., Ско­роход М. Я. Образование и разрушение термодоноров-II в кристаллах кремния с высоким содержанием углерода // Изв. АН СССР. Неорган. ма- териапы.-1988.-Т. 24, N 2.-С. 193-197.
     
281.