Oxygen in Silicon Single Crystals

Leroueille J. Relationship Between Carbon and Oxygen Nucleation in Cz Silicon // Phys. Stat. Sol. (a).-1982.-V.74, N 2.-P. K159-K163

Babich V. M., Baran N. P., Bugay A. A., Dotsenko Yu. P., Kovalchuk V. B., Sher-

shel V. A. On the Properties of Thermodonors-ll in Cz-Si Crystals of High Car­bon Content // Phys. Stat. Sol. (a).-1984.-V.86, N 2.-P. 679-683.

242. 
     Ohsawa A., Takizawa R., Honda K., Shibatomi A., Ohkawa S. Influence of Carbon and Oxygen on Donor Formation at 700°С in Czochralski Grown Silicon // J. Appl. Phys.-1982.-V.53, N 8.-P. 5733-5737.
     
243. 
     Бабицкий Ю. М., Гоинштейн П. М., Орлова Е. В. Распад пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии и термодоноры // Электронная техника. Сер. Материапы.-1982.-Вып. 2(163).-С. 33-37.
     
244. 
     Gaworzewski P., Schmalz K. Oxygen-Related Donors Formed at 600°C in Silicon
     

in Dependence on Oxygen and Carbon Content // Phys. Stat. Sol. (a).-1983. -V.77, N 2.-P. 571-582.

245. 
     Fukuoka N. New Donor Formation in n-Type Czochralski-Grown Silicon // Jap. J. Appl. Phys.-1985.-V.24, N 11.-P. 1450-1453.
     
246. 
     Батавин В. В., Сальник 3. А. Природа термодоноров в кремнии, содержа­
     

щем кислород // Изв. АН СССР. Неорган. материалы.-1982.-Т. 18, N 2. -С. 185-188.

247. 
     Fukuoka N., Yoneta М., Miyamura R., Saito H. Nature of Oxygen Donor in Czo­
     

chralski-Grown Silicon // Jap.J.Appl.Phys.-1987.-V.26, N 2.-P. 197-201.

248. 
     Бабицкий Ю. М., Гоинштейн П. М. Кинетика образования "вторых" кисло­родных доноров в кремнии // ФТП.-1984.-Т. 18, Вып. 4.-С. 604-609.
     
249. 
     Donnefaer S., Keer D. Oxygen in Silicon: A Positron Annihilation Investigation // J. AppL Phys.-1986.-V.60, N 4.-P. 1313-1321.
     
250. 
     Gaworzewski P., Hild E., Schmalz K. Oxygen Donor Formation and Oxygen Pre­
     

cipitation in Czochralski Silicon due to Heat Treatment at 600 to 800°C // Phys. Stat. Sol. (a).-1985.-V.90, N 2.-P. К151-К156.

251. 
     Батавин В. В. Механизм образования термодоноров в кремнии, содержа­щем кислород // Изв. АН СССР. Неорган. материалы.-1985.-Т. 21, N 5. -С. 734-738.
     
252. 
     Батавин В. В., Кочина Э. А., Сальник 3. А. О механизме образования тер­
     

модоноров в содержащем кислород кремнии // ФТП.-1985.-Т.19, Вып.4. -С. 692-696.


235

253. 
     Ohsawa A., Honda К., Shibatomi S., Ohkawa S. Microdefects Distribution in Czo-
     

chralski-Grown Silicon Crystats // Appl. Phys. Lett.-1981 .-V.38, N 10. -P.787-788.

254. 
     Kung C. Y. Influence of Oxygen Precipitates on Silicon Resistivity in the 650°С Range // J. Appl. Phys.-1987.-V.61, N 8.-P. 2817-2821.
     
255. 
     Мильвидский М. Г., Рытова H. С., Соловьева Е. В. Влияние упругой дефор­
     

мации, создаваемой примесями, на концентрацию и поведение собствен­ных точечных дефектов в полупроводниках // В кн: Проблемы кристалло­графии. - М.: Наука, 1987.-С. 215-232.

256.