Oxygen in Silicon Single Crystals

Holzlein К., Pensl G., Schulz M. Trap Spectrum of the "New Oxygen Donor" in

Silicon // Appl. Phys. A.-1984.-V.34, N 3.-P. 155-161.

257. 
     Баграев H. Т., Власенко Л. С., Волле В. М., Воронков В. Б., Гоехов И. В., Добровенский В. В., Шатун А. И. Возможности повышения термостабиль­ности монокристаллов кремния для мощных полупроводниковых приборов // ЖТФ.-1984.-Т. 54, N 5.-С. 917-928.
     
258. 
     Петров В. В., Просолович B. C., Ткачев В. Д., Цырулькевич Г. С., Карпов Ю.
     

А. Термодоноры в кремнии, легированном эрбием // ФТП.-1985.-Т.19, Вып. 4.-C. 767-769.

259. 
     Бабицкий Ю. М., Гоинштейн П. М., Мильвидский М. Г. Взаимодействие атомов кислорода и углерода в кремнии // Изв. АН СССР. Неорган. мате- риалы.-1985.-Т. 21, N 5.-С. 739-744.
     
260. 
     Shirai S. Formation Process of Oxide Precipitates in Czochralski-Grown Silicon Crystals // Appl. Phys. Lett.-1980.-V.36, N 2.-P. 156-158.
     
261. 
     Fraundorf P., Fraundorf G. K., Shimura F. Clustering of Oxygen Atoms Around Carbon in Silicon // J.Appl. Phys.-1985.-V.58, N 11.-P. 4049-4055.
     
262. 
     lnoue N., Osaka J., Wada K. Oxide Micro-Precipitates in As-Grown Cz-Silicon //
     

J. Electrochem. Soc.-1982.-V.129, N 12.-P. 2780-2788.

263. 
     Гоинштейн П. М., Ильин М. А., Моргулис Л. М., Орлова Е. В., Фистуль В. И.
     

Механизм распада пересыщенного твердого раствора кислорода в без- дислокационном кремнии // Электронная техника. Сер. Материалы. -1978.-Вып. 9(124).-С. 70-78.

264. 
     Yasutake К., Umeno М., Kawabe Н., Nakayama Н., Nishino Т., Hamakawa Y. Oxygen-Related Donors Stable at 700-800°С in Cz-Si Crystals // Jap. J. Appl. Phys.-1982.-V.21, N 1 .-P. 28-32.
     
265. 
     Schmalz K., Gaworzewski P. On the Donor Activity of Oxygen in Silicon at Tem­
     

peratures from 500 to 800°C // Phys. Stat. Sol. (a).-1981 .-V.64, N 1. -P.151-158.

266. 
     Lang D. V. Deep-Level Transient Spectroscopy: A New Method to Characterize Traps in Semiconductors // J. Appl. Phys.-1974.-V.45, N 7.-P. 3023-3032.
     
267. 
     Schulz M. Interface States at the SiO₂-Si lnterface // Surface Science.-1983. -V.132, N 1-3.-P. 422-455.
     
268. 
     Emtsev V. V., Daluda Yu. N., Gaworzewski P., Schmalz K. Electrical Properties of
     

Thermal Donors Formed in Cz-Si During Heat Treatment at 450°C // Phys. Stat. Sol. (a).-V.85, N 2.-P. 575-584.

269.