Oxygen in Silicon Single Crystals

Мурин Л. И., Маркевич В. П. Образование термодоноров и механизм уско­

ренной диффузии кислорода в кремнии // ФТП.-1988.-Т. 22, Вып. 7. -С. 1324-1328.

85. 
    Hansen W. L., Pearton S. J., Haller E. E. Low-Temperature Oxygen Diffusion in
    

Silicon // Appl. Phys. Lett.-1984.-V.44, N 9.-P. 889-891.

86. 
    Haas С. The Diffusion of Oxygen in Silicon and Germanium // J. Phys. Chem. So-
    

lids.-1960.-V.15, N 1-2.-P. 108-111.

87. 
    Kushner R. A. Oxygen Diffusion in Silicon as Measured by Charged Particle //
    

J. Electrochem. Soc.-1972.-V.119, N 8.-P. 239.

88. 
    Newman R. C., Binns M. J., Brown W. P., Livingston F. M., Messoloras S.,
    

Stewart R. J., Wilkes J. G. Precipitation of Oxygen in Silicon: Kinetics, Solubility, Diffusivity and Particle Size // Physica B.-1983.-V.116, N 1-3.-P. 264-270.

89. 
    Stavola M., Patel J. R., Kimerling L. C., Freeland P. E. Diffusivity of Oxygen in Sili­
    

con at the Donor Formation Temperature // Appl. Phys. Lett.-1983.-V.42, N 1. -P. 73-75.

90. 
    Шульпяков Ю. Ф., Витман P. Ф., Лебедев А. А., Дремин А. Н. Влияние высо­
    

кого давления на состояние оптически активного кислорода в кремнии при термообработках//ФТП.-1984.-Т. 18, Вып. 7.-С. 1306-1307.

91. 
    Шульпяков Ю. Ф., Витман P. Ф., Власенко Л. С., Дремин А. Н., Лебедев А. А.,
    

Ломасов В. Н. Свойства монокристаллов кремния после их деформации при высоком давлении // ФТТ.-1987.-Т. 29, N 5.-С. 1486-1491.

92. 
    Шульпяков Ю. Ф., Витман P. Ф., Лебедев А. А., Дремин А. Н. Влияние пла­
    

стической деформации на состояние кислорода и углерода в крем- нии//ФТП.-1985.-Т. 19, Вып. 6.-С. 982-986.

93. 
    Витман P. Ф. Изменение фазового состояния кислорода в кремнии в ре­
    

зультате воздействия температуры и высокого давления. Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. - Л.: 1986.-19 с.

94. 
    Imai М., Sumino К. In situ X-Ray Topographic Study of the Dislocation Mobility in
    

High Purity and Impurity Doped Silicon Crystals // Phil. Mag. A.-1983.-V.47, N 4.-P. 599-621. '

95. 
    Sumino K. Interaction of Dislocation with Impurities in Silicon // ln: Defects and
    

Properties of Semiconductors: Defect Engineering, edited by J. Chikawa, K. Sumino and K. Wada (KTK Scientific Publishers, Tokyo, 1987).-P. 227-259.

96. 
    Fuller C. S., Ditzenberg J. A., Hannay N. B., Buehler E. Resistivity Changes in Sili­
    

con Induced by Heat Treatment // Phys. Rev.-1954.-V.96, N 3.-P. 833.

97.