Oxygen in Silicon Single Crystals

Dash W. C. Growth of Silicon Crystals Free from Dislocation // J. Appl. Phys.

-1959.-V. 30, N 4.-P. 459-474.

7. 
   Херл Д. Колебания температуры в расплавленных металлах // В кн.: Пробле­
   

мы роста кристаллов. - М.: Мир, 1968.-С. 209-215.

8. 
   Нашельский А. Я., Гнилов С. В. Расчеты процессов выращивания легирован­
   

ных монокристаллов полупроводников. - М.: Металлургия, 1981.-91 с.

9. 
   Моризейн К., Витт А., Гзйтос X. Распределение примесей в монокристаллах //
   

В кн.: Проблемы роста кристаллов. - М.: Мир, 1972.-С. 251-291.

10. 
    Ландау Л. И. К вопросу о волнообразном характере распределения приме­
    

сей вдоль длины растущего монокристалла // Физика металлов и метап- ловедения.-1958.-Т. 6, N 1.-С. 148-156.

11. 
    Sekerwa R. S. Morfological Stability // J. Cryst. Growth.-1968.-V.4, N 3.
    

-P. 71-81.

12. 
    Bradshaw S. E., Goorissen J. Silicon for Electronic Devices // J. Cryst. Growth.
    

-1980.-V.48, N 4.-P. 514-529.

13. 
    Дементьев Ю. С., Бузынин А. Н., Блецкан Н. И. Модель формирования зо­
    

нальной структуры кристаллов при выращивании из расплава // В кн.: Ме­тоды получения и исследования монокристаллов кремния. - М.: Гиредмет, 1982.-С. 25-28.

14. 
    Burton J. A., Prim R. C., Slichter W. P. The Distribution of Solute in Crystals
    

Grown from the Melt // J. Chem. Phys.-1953.-V.21, N 11.-P. 1987-1996.

15. 
    Шашков Ю. М., Степанова Г. М. Колебания фронта кристаллизации при вы­
    

ращивании кремния методом Чохральского // Докл. АН СССР.-1968. -Т. 179, N 4.-С. 840-845.

16. 
    Воронков В. В. Процессы на границе фронта кристаллизации // Кристалло-
    

графия.-1974.-Т. 13, N 5.-С. 922-929.

17. 
    Пфанн В. Д. Зонная плавка. - М.: Металлургия, 1960.-366 с.
    
18. 
    Emeis R. Tiegelfreies Ziehen von Silicium - Einkristallen // Z. Naturforschung.
    

-1954.-В. 9 a, H. 1.-S. 67.

19. 
    Muller S. Siliziumreinigung durch tiegelfreies Zonenschmelzen // Z. Naturfor-
    

schung.-1954.-B. 9 b, H. 7,-S. 504-505.

20. 
    Keck P. H., Van Horn W., Soled J., MacDonald A. Floating Zone Recrystallization
    

of Silicon // Rev. Sci. Instrument.-1954.-V. 25, N 4.-P. 331-334.


223

21. 
    Мильвидский М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электро­
    

нике. - М.: Наука, 1986. - 144 с.

22.