Oxygen in Silicon Single Crystals

О 5 10 15 20 25


[0]_np,5-10^WCM-i





вания в области геттера образуется большая концентрация межузель­ных атомов кремния, которые вследствие своей высокой подвижности и большого времени жизни успевают продиффундировать в активную область подложки и насытить ее. В свою очередь избыток межузель­ных атомов приведет к уменьшению прочности приповерхностного слоя пластины. Поэтому большие поля упругих напряжений, которые будут возникать на краях окисной пленки или диффузионного фронта приме­си, станут предпочтительными местами гомогенного зарождения дис­локаций. Таким образом, в процессе внутреннего геттерирования про­исходит два конкурирующих процесса, обусловленные избытком межу­зельных атомов кремния.
Позитивный процесс заключается в растворении и генерировании металлических преципитатов, негативный - в уменьшении прочности пластины вследствие образования дислокаций. Следовательно, для каждого типа технологии изготовления интегральных схем и исходной кремниевой подложки существует некоторая оптимальная концен­трация преципитированного кислорода ([0]_опт) , при которой полу­чается наибольший процент выхода годных приборов. Схематически это показано на рис 99 [308]. Если концентрация кислорода, выпавше­го во вторую фазу, будет меньше [0]_опт , то процесс геттерирования будет неполным, если же [0]_пр > [0]_опт , это приведет к образованию дислокаций в активной области подложки, следовательно, к снижению процента выхода годных приборов.





222

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. 
   Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. - М.: Мир, 1984.
   

- 472 с.

2. 
   Czochralski J. Ein neues Verfahren zur Messung der Kristallizationsgeschwindigkeit
   

der Metalle // Z. Physik. Chemie.-1917-B. 92. H. 2.-S. 219-221.

3. 
   Teal G. K., Little J. B. Growth of Germanium Single Crystals // Phys. Rev.-1950.
   

-V. 78, N 5.-P. 647.

4. 
   Teal G. K., Buehler E. Growth of Silicon Single Crystals and of Single Crystal Sili­
   

con p-n Junctions // Phys. Rev.-1952.-V. 87, N 1 .-P. 190.

5. 
   Zulehner W. Czochralski grown of silicon // J. Cryst. Growth.-1983.-V. 65,
   

N 1-3.-P. 189-213.

6.