Oxygen in Silicon Single Crystals


Download 1.39 Mb.
bet70/89
Sana10.04.2023
Hajmi1.39 Mb.
#1349265
1   ...   66   67   68   69   70   71   72   73   ...   89
Bog'liq
Oxygen in Silicon Single Crystals ццц

Jastrebski L., Zanzucchi P., Thebault D., Lagowski J. Method to Measure the Pre­

cipitated and Total Oxygen Concentration in Silicon // J. Electrochem. Soc. -1982.-V. 129, N 7.-P. 1638-1641.

  1. Corbett J. W, McDonald R. S., Watkins G. D. The Configuration and Diffusion of

isolated Oxygen in Silicon and Germanium // J. Phys. Chem. Solids.-1964. -V.25, N 8.-P. 873-879

  1. Tipping A. K., Newman R. C., Newton D. C., Tucker J. H., Thomson J. J. En­

hanced Oxygen Diffusion in Silicon at Low Temperatures // ln: Proceedings of


224




the 14-th international Conference on Defects in Semiconductors, edited by H. J. von Bardeleben (Trans Tech, Aedermannsdorf, Switzerland, 1986). -P. 887-892.

  1. Mikkelsen J. C. Jr. The Metallurgy of Oxygen in Silicon // J. Metals.-1985.-V.37,

N 5.-P. 51-54.

  1. Takano Y., Maki M. Diffusion of Oxygen in Silicon // ln: Semiconductor Silicon

1973, edited by H.R.Huff and R.R.Burgess (Electrochemical Society, Penning­ton, 1973).-P. 469-477.

  1. Sugita Y., Kawata H., Nakamichi S., Okabe Т., Watanabe Т., Yoshikawa S., Iton Y.,

Nozaki T.
Measurement of the Out-Diffusion Profile of Oxygen in Silicon // Jap. J. Appl. Phys.-1986.-V.25, N 10.-P. L859-L861.

  1. Yatsurugi Y., Akiyama N., Endo Y., Nosaki T. Concentration Solubility and Equilib­

rium Distribution Coefficient of Nitrogen and Oxygen in Semiconductor Silicon // J. Electrochem. Soc.-1973.-V. 120, N 7.-P. 975-979.

  1. Gross C., Gaetano G., Tucker T. N., Baker J. A. Comparison of Infrared and Acti­

vation Analysis results in Determining the Oxygen and Carbon Content in Silicon // J. Electrochem. Soc.-1972.-V.119, N 7.-P. 926-929.

  1. Конозенко И. Д., Семенюк А. К., Хиврич В. И. Радиационные эффекты в

кремнии. - Киев: Наукова думка, 1974.-200 с.

  1. Иглицын M. И., Кекелидзе Г. П., Лазарева Г. В. Определение содержания

кислорода в кремнии методом диффузии лития // ФТП.-1964.-Т. 6, Вып. 10.-С. 3148-3150.

  1. Комалеева Ф. Н., Мордкович В. Н., Тэмпер Э. М., Харченко В. А. Влияние

термообработки и облучения на состояние кислорода в кремнии // ФТП. -1976.-Т. 10, Вып. 2.-С. 320-323.

  1. Рыжкова Е М., Трапезников И. И., Челноков В. Е., Яковенко А. А. Оптические

свойства кислорода в кремнии // ФТП.-1977.-Т. 11, Вып. 6.-С. 1063-1066.

  1. Вакилова Г. , Витман Р. Ф., Лебедев А. А., Мухаммедов С. К вопросу о пове­

дении кислорода в Si // ФТП.-1982.-Т. 16, Вып. 12.-С. 2204-2206.

  1. Гоинштейн П. М., Ильин М. А., Орлова Е. В., Рашевская Е. П. О природе по­

лосы поглощения кислорода в кремнии вблизи 9мкм // ФТП.-1979.-Т.13, Вып. 5.-С. 1052.


  1. Download 1.39 Mb.

    Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   66   67   68   69   70   71   72   73   ...   89




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling