Oxygen in Silicon Single Crystals

Jastrebski L., Zanzucchi P., Thebault D., Lagowski J. Method to Measure the Pre­

cipitated and Total Oxygen Concentration in Silicon // J. Electrochem. Soc. -1982.-V. 129, N 7.-P. 1638-1641.

40. 
    Corbett J. W, McDonald R. S., Watkins G. D. The Configuration and Diffusion of
    

isolated Oxygen in Silicon and Germanium // J. Phys. Chem. Solids.-1964. -V.25, N 8.-P. 873-879

41. 
    Tipping A. K., Newman R. C., Newton D. C., Tucker J. H., Thomson J. J. En­
    

hanced Oxygen Diffusion in Silicon at Low Temperatures // ln: Proceedings of


224




the 14-th international Conference on Defects in Semiconductors, edited by H. J. von Bardeleben (Trans Tech, Aedermannsdorf, Switzerland, 1986). -P. 887-892.

42. 
    Mikkelsen J. C. Jr. The Metallurgy of Oxygen in Silicon // J. Metals.-1985.-V.37,
    

N 5.-P. 51-54.

43. 
    Takano Y., Maki M. Diffusion of Oxygen in Silicon // ln: Semiconductor Silicon
    

1973, edited by H.R.Huff and R.R.Burgess (Electrochemical Society, Penning­ton, 1973).-P. 469-477.

44. 
    Sugita Y., Kawata H., Nakamichi S., Okabe Т., Watanabe Т., Yoshikawa S., Iton Y.,
    

Nozaki T. Measurement of the Out-Diffusion Profile of Oxygen in Silicon // Jap. J. Appl. Phys.-1986.-V.25, N 10.-P. L859-L861.

45. 
    Yatsurugi Y., Akiyama N., Endo Y., Nosaki T. Concentration Solubility and Equilib­
    

rium Distribution Coefficient of Nitrogen and Oxygen in Semiconductor Silicon // J. Electrochem. Soc.-1973.-V. 120, N 7.-P. 975-979.

46. 
    Gross C., Gaetano G., Tucker T. N., Baker J. A. Comparison of Infrared and Acti­
    

vation Analysis results in Determining the Oxygen and Carbon Content in Silicon // J. Electrochem. Soc.-1972.-V.119, N 7.-P. 926-929.

47. 
    Конозенко И. Д., Семенюк А. К., Хиврич В. И. Радиационные эффекты в
    

кремнии. - Киев: Наукова думка, 1974.-200 с.

48. 
    Иглицын M. И., Кекелидзе Г. П., Лазарева Г. В. Определение содержания
    

кислорода в кремнии методом диффузии лития // ФТП.-1964.-Т. 6, Вып. 10.-С. 3148-3150.

49. 
    Комалеева Ф. Н., Мордкович В. Н., Тэмпер Э. М., Харченко В. А. Влияние
    

термообработки и облучения на состояние кислорода в кремнии // ФТП. -1976.-Т. 10, Вып. 2.-С. 320-323.

50. 
    Рыжкова Е М., Трапезников И. И., Челноков В. Е., Яковенко А. А. Оптические
    

свойства кислорода в кремнии // ФТП.-1977.-Т. 11, Вып. 6.-С. 1063-1066.

51. 
    Вакилова Г. , Витман Р. Ф., Лебедев А. А., Мухаммедов С. К вопросу о пове­
    

дении кислорода в Si // ФТП.-1982.-Т. 16, Вып. 12.-С. 2204-2206.

52. 
    Гоинштейн П. М., Ильин М. А., Орлова Е. В., Рашевская Е. П. О природе по­
    

лосы поглощения кислорода в кремнии вблизи 9мкм // ФТП.-1979.-Т.13, Вып. 5.-С. 1052.

53.