O‘zbekiston respublikasi oliy va o‘rta maxsus ta’lim vazirligi m. E. Mamarajabov, sh sh. Adinayev, R. A. Razzokov
Download 3.68 Mb. Pdf ko'rish
|
kompyuter taminoti daslik 2019
|
Tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarni yasashda uning har ikki formulasi r —
p — r va p — r — p dan foydalaniladi. Ulardan p — r — p turi eng ko’p tarkalgan. Tranzistorlarni yasashda, asosan, planar va epitaksal — planar deb atalgan texnologik jarayonlar qo’llaniladi. Planar texnologiyada yarim o’tkazgich kristaliga donor va aktseptor moddalar diffuziya usulida kiritiladi. Unda tranzistorlar elektrodlarining tutashtirish uchlari bir tekislikda joylashtiriladi. Bu ularni dielektrik pardasi yordamida tashqi ta’sirlardan himoya qilish imkonini beradi. 51 Epitaksal planar texnologiya usulida tranzistorlar yupqa monokristallni o’stirish yo’li bilan hosil qilinadi. Planar texnologiya tranzistorlar yasashda eng ko’p tarqalganidir. Lekin bunda IMSda hosil qilinadigan r — p o’tishlar aniq, chegaraga ega bo’lmaydi, chunki diffuziya materialning sirtidan boshlanadi. SHuning uchun qotishmaning atomlari boshlang’ich materialda bir hil taqsimlanmaydi — sirtda ko’p, ichki tarafga esa, kamayib boradi. Bu sxema elementlarining sifatiga katta ta’sir ko’rsatadi. Ikkinchi usulda bu kamchilik yo’qotiladi. Planer texnologiya asosida yasalgan p — r— p tur-dagi bipolyar tranzistorlarda emitter va kollektor o’tishlaridan utadigan tok vertikal yo’nalishda okadi. SHuning uchun ular vertikal tranzistorlar deb ataladi. Bundan farqlash uchun r — p — r turdagi tranzistorlarda r—p o’tishlardan o’tadigan tok gorizontal yo’nalishda o’tadigan qilinadi va ular gorizontal tranzistorlar deb ataladi. SHuni aytish kerakki, yarim o’tkazgichli IMSda har doim zararli elementlar ham hosil bo’ladi. Masalan, R — kristall asosida p — r — p turdagi tranzistor yasalganda asos kristall va tranzistorning kollektor va baza sohalari orasida r—p—r turdagi zararli tranzistor hosil bo’ladi. Zararli elementlarning ta’sirini hisobga olish uchun tranzistorning turli xil ekvivalent sxemalaridan foydalaniladi. Mikroelektronikaning rivojlanishi diskret yarim o’tkazgichlar texnikasida mavjud bo’lmagan yangicha bipolyar tranzistorni yasash imkoniyatini berdi. Ko’p emitterli yoki ko’p kollektorli tranzistorlar shular jumlasidandir. Ko’p kollektorli tranzistorlarning tarkibiy kismi ko’p emitterli tranzistorlarnikiga uxshash bo’ladi. Lekin ishlash rejimi farq qiladi. Unipolyar tranzistorlar ham bipolyar tranzistorlarni yasash texnologiyasi asosida yaratiladi. Lekin ularni yasash osonroq chunki elementlarni himoya qilish talab qilinmaydi va to’plamdagi qo’shni tranzistorlarning istok va stoklari qarama-qarshi yo’nalishda ulangan r — p o’tishlar bilan bir-biridan ajratilgan bo’ladi. Natijada tranzistorlarni o’zaro juda yaqin masofada joylashtirib, sxema elementlari zichligini oshirish imkoni tug’iladi. 52 Unipolyar tranzistorlardan eng ko’p tarqalgani MOP turdagi tranzistorlardir. Bunga sabab ularning kirish qarshiligi katta va tuzilishining soddaligidir. Ayrim IMSda p yoki r — turdagi kanalga ega MOP tranzistorlar jufti keng ishlatiladi. Bunday juft tronzistorlar komplementar tranzistor. deb ataladi va elektro kalit vazifasida ishlatiladi. Ular juda kichik toklarda ishlaydi va o’ta tezkor qurilma hisoblanadi. Diodlar. Odatda diod qilish uchun bitta r — p o’tish yasash yetarli bo’ladi. Lekin IMSlarda tranzistor tarkibi asos qilib olingani uchun u bipolyar tranzistorning o’tishlari orqali yaratiladi. Bipolyar tranzistordan diod qilishning 5 xil turi mavjud. Ular bir-biridan parametrlari bilan farq qiladi. Rezistorlar. IMSda rezistorlar bipolyar tranzistorning baza, kollektor yoki emitter qatlamlari tarkibida yuzaga keladi. Bunda diffuziya usulidan foydalanilgani uchun ular diffuzion rezistorlar deb ataladi. Diffuzion rezistorlar yarim o’tkazgich hajmidan r —p o’tishlar yordamida himoya qilib ajratiladi. Diffuzion rezistorning qarshiligi rezistor vazifasini bajaradigan sohaning geometrik o’lchamlariga va undagi qotishmaning kontsentratsiyasiga bog’liq. R— qatlam ya’ni tranzistorning bazasi asosida yaratilgan rezistarlarning qarshiligi bir necha 10 kiloomni tashkil qilsa, emitter qatlami asosida yaratilgan rezistorlarning qarshiligi kichik bo’ladi. Katta qarshilikli rezistorlar ion implantatsiyasi (ko’chirilishi) usulida tayyorlanadi. Rezistorlar MOP—tarkibli unipolyar tranzistor asosida ham yaratiladi. Bunda rezistor vazifasini tranzistorning kanali bajaradi. Qarshiligining kattaligi esa, zatvor kuchlanishi yordamida boshqariladi. Boshqaruvchi r — p o’tishli tranzistor asosida yasaladigan rezistorlar tinch — rezistor deb ataladi. Kondensatorlar. IMSlarda kondensatorlar maxsus texnologiya asosida yasalmaydi. Ular tranzistorlar va diffuzion rezistorlarni yasash jarayonida hosil qilinadi. Bunda r — p o’tishga teskari yo’nalishda kuchlanish ulangandagi to’siq, 53 qatlamning sig’im kondensator vazifasini bajaradi. Ular diffuzion kondensator deb ataladi. Bunday kondensatorlarning dielektrigi bo’lib r—p o’tishning hajmiy zaryadlar sohasi hizmat qiladi Bipolyar tranzistorlarda kondensator hosil qilishning 3 xil usuli mavjud: emitter — baza o’tishi, kollektor — baza o’tishi va kollektor — taglik («yer») oralig’i. Emitter — baza o’tishi hisobiga hosil qilingan kondensatorning solishtirma sig’imi eng katta (1500 pf/mm 2 gacha) bo’lib, buzilish kuchlanishi eng kichik (birnecha volt) bo’ladi. Kollektor — baza o’tishidan foydalanilganda esa, kondensatorning SIG ’ IMI 5— 6 marta kichrayadi, lekin buzilish kuchlanishi shuncha maptaga ortadi. Bu ikki variantda tayyorlangan kondensatorlarning asosiy kamchiligi — kondensator qoplamalari bilan taglik («yer») orasida zararli sig’imning hosil bo’lishidir. Bu kamchilik kondensatorlarning uchinchi turida yo’qotiladi, chunki kondensatorning II koplamasi bo’lib taglik «yer» hizmat qiladi. Diffuzion kondensatorlar o’zgarmas yoki o’zgaruvchan bo’lishi mumkin. Kondensator sig’imi o’zgarmas bo’lishi uchun r — p o’tishga beriladigan teskari kuchlanish doimiy bo’lishi lozim. Agar bu kuchlanish o’zgaruvchan bo’lsa, sig’im ham o’zgaruvchan bo’ladi. Lekin r—p o’tish sig’im chiziqli bo’lmagan kattalik bo’lgani uchun uning o’zgarishi kuchlanishga mutanosib bo’lmaydi (Teskari kuchlanish 1-10 V oraliqda o’zgarganda kondensator sig’im 2:2,5 marta o’zgaradi). MOP tarkibli unipolyar tranzistorlarda ham kondensator hosil qilinadi. Lekin ularning sig’im kichik (500 pf gacha) bo’ladi. Induktivlik. Yarim o’tkazgichli IMSlarda induktivlik g’altagi va transformatorlar biror texnologiya asosida hosil qilinmaydi. SHuning uchun ular tranzistor, rezistor va kondensatorlarning biror tur ulanishi isobiga ekvivalent element sifatida olinadi. Tranzistorning emitter — kollektor oralig’iga ulangan o’zgaruvchan kuchlanishning bir qismi RC—zanjir orqali uning bazasiga uzatiladi. Agar R va S elementlar shunday bo’lsaki, R -tengsizlik bajarilsa, RC—zanjirdan utadigan tokning fazasi U kuchlanish fazasi bilan mos tushadi. Lekin U c kon-densator kuchlanishi undan 90° orqada qoladi. Kondensator kuchlanishi 54 bazaga ta’sir etgani uchun kollektor tokini boshqaradi va u bilan mos fazada o’zgaradi. SHuning uchun 1 K tok U kuchlanishdan 90° orqada qoladi. Demak, sxemadagi tranzistor U kuchlanishga induktiv qarshilik ta’sirini ko’rsatadi: X L ekv ya’ni tranzistor ekv driaduktivlikka ekvivalent bo’ladi. Download 3.68 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|