O'zbekjston respublikasi oliy va 0 ’rta maxsus ta’lim vazirligi mirzo ulug'bek nomidagi

(
2
.
10
)
A n.
bu yerda rr - rekombinasion yashash vaqti
r„ -yopishish sathidagi elektronning o'rtacha ushlarrish vaqti
rj - qaytadan tashlangan o'rtacha vaqti.
4.27. Hajm bo'yicha elektron - kovak juftlarining generasiya to'xtatiigandan
so'ng 
o'tgach zaryad tashuvchiiaming nomuvozanat konsentratsyasi
/2 =io-3s dagidan ko'ra « = 10 marta kattaroq ekanligi aniqlandi. Agar uyg'otish 
darajasi uncha katta bo'Imasa va rekombinasiva faqat oddiy nuqsonlar orqali 
yuz berayotgan bo'lsa yashash vaqti t  nianiqiash.
4.28. 1 sm2 yuzaga ls ichida 7 = 510,s ta yorug'lik kvanti tushib turuvchi 
namunadagi 
o'tkazuvchanlik 
nisbiy 
o'zgarishini 
hisoblang. 
Yutilish 
koeffitsiyenti 
a = 100s«r‘ :namunar.i qaiinligi cT'ga nisbatan ancha kichik 
rekombinasiya oddiy nuqsonlarda o'tadi;
n0 ■10lsjBi“J, r = 2-10“4*
T
4.29. Agar generasiya manbai o'chirilgan paytda t=0 rekombinasiya 
u~a{np-n*}, 
teziik bo'vicha kechayotgan bo'lsa, bunda a = const 
n - tur 
modaada erkin tok tashuvchilar konsentratsyasining o'zgarish qonuniyatini 
aniqlang.
4.30. Yarimo'tkazgichda N, =5 1012sm‘’ 
va 
e
,=(
es
+
e
„)
i
2. rekombinasion 
markaz mavjud. 300° k da eiektron va kovaklami tutiiish kesimi bir xil, 
muvozanatdan kichik og'ish r = io~'.s, p=50m 
. Tutilish kesimi 5 mtoping.
23
www.ziyouz.com kutubxonasi

---

4.31. n-Ge ning n„ = 1014sm'3 li namunasida rekombinasiya oddiy markazlarda 
yuz beradi. Ulaming energetik sathi 
taqiqiangan sohaning yuqori yarmida 
joylashgan va N2 = 2-Wlzsm~3-, T = 300/sT da t-Yhnks^ T - 2QQK da r * 2 mks,
juda past temperaturada x~ T 1. Kovaklaming tutilish kesimi Sf va r,0 ni
doimiy deb hisoblab, E, sa Sf ni aniqlang.
4.32. Turli 
n0 
ea p0 
li 
Ge 
namunalarida N, =2 10,5
jw
'
s
li oddiy 
rekombinasion markazlar mavjud. 300K da unipolyar 
n -G e  
da 
t
= 
t
, = 8mfe, 
p t = 
pa *= 1013#n~\ r2 = 26mks maksimal r esa T = Tmej=9lmks , 
Markazning energetik sathi taqiqlangan sohaning pastki yarmida joylashgan deb 
hisoblab, energetik sathi E, ni zaiyad tashuvchilaming tutilish kesim yuzasi va 
koeffitsiyentini aniqlang.
4.33. n-turli Ge da(n0 =
io
'5
oti
^ ) 
stasionar gruppalash bilan hajm bo'yicha 
zaryad tashuvchilar jufti paydo qilinyapti. Kuchsiz yoritilganlikda r2 = 
2mks, 
An/zq = 0,1 da rekombinasiya r = A,lmks bilan yuz beradi. Agar rekombinasiya 
E ,= E C- 0 t20eV 
li oddiy markazlarda yuz berayotgan bo'lsa, 300 K da 
kovaklar va elektronlaming tutilish kesim yuzasi nisbatlarini hisoblang.
4.34.
300 
K 
da 
p a 
=1,65 
£l sm 
n -G e 
li 
namunali uchun kuchsiz
yoritilganligida 
yashash 
vaqti 
r = r , -2,0 n;fe. 
kuchliroq 
uyg'otishida 
p, = 1,275 Ci sm va r = r, =3,3mks . Rekombinasiya E, =E0 +0,32 eV sath orqali 
yuz beradi deb hisoblab, monopolyar p - v s . n-G e uchun shu rekombinasiya 
mexanizmida yashash vaqtini hisoblang.
4.35. Yarimo'tkazgichga N,=1016 sm'3 konsentratsyali akseptor amlashma 
kiritilgan. Ulami sathi taqiqlangan sohani o'rtasiga yaqin joylashgan. Tutilish 
kesimlari 
nisbati Sn/S„=100. Bunda yarimo'tkazgichga sayoz holatli donor 
N(j=10,s sm'3 kiritilgan. Past temperaturada namuna yorug'lik bilan 
nurlantiriladi, bunda hajm bo'yicha bir tekisda g=1019 sm"3s'! juft tezlikda 
zaiyad tashuvchilar paydo bo'ladi. Elektronlaming yashash vaqti r„ =Wmks,Tp, 
nomuvozanatli 
An 
va 
Ap 
konsentratsyalami, 
shuningdek 
tutilish
koeffitsiyentlari a„ «a a p ni aniqlang.
4.36. p -G e  da nomuvozanatli zaryad tashuvchilaming yashash vaqti 
t
ni 
aniqlashda temperatura xona temperaturasidan to 7’ = 120°k gacha o'zgargan. x 
ni temperaturaga bog'liqligi quyidagi ko'rinishga ega bo'lgan:
6 ,2 f/i | ZL-----4.4!
r = 10
8,1
svk
Rekombinasiya 2 ta £, - taqiqiash sohasini pastki yarim va 
- yuqori yarim 
sohasida bo'iishi ma'lum. Elektronlaming tutish koeffitsiyentini a„, va a„2 
hamda p„ n, doimiy deb hisoblab, bu kattalikiar va E, 
ni aniqlashda
24
www.ziyouz.com kutubxonasi

---

/V, = 2 • iO12 jm-3 va N, = lo'^m ' 3 >= const. deb hisoblang. 200 K temperaturada 
dcktronlaming tutish kesim yuzasini aniqlang.
4.37. Muvozanatdan kuchsiz og'ishni hosil qiluvchi stasionar generasiya 
lo'xtatilgandan so'ng, 
«-turli y arimo' tkazgichda qo'shimcha zaryad 
lashuvchilaming konsentratsyasi qanday o'zgarishini aniqlash. Rekombinasiya 
vaqti t r, tutilish vaqti r, va teskari o'tish vaqti r, ma'lum deb hisoblansin.
4.38. Yuqoridagi masala shartida ifodalangan sharoitda 
=5 101!swr' bunda 
stasionar generasiva g=iol!.sm'3 f_1 n-Ge da o'tkazuvchanlikni nisbiy 6'zgarishi 
aniqlansin va agar rr =2mks, r, =5m/fa, r2 =50mh. bo'lsa uning relaksasiyasini 
miqdoriy tadqiq qilish.
4.39. 
n-turdagi germaniyda kuchsiz qo'zg'atishda fotoo'tkazuvchanlik 
Ibtoelektromaffnit effektlar bo'yicha anialangan. ^ - = 24 
va n0 = 4-10Mim'!
' 
' 
Ap
Rekombinasiya E, = E, +0A6eV, N, = 1014sm~3, 
ap = l(T\vm3 
markazda 
yuz beradi. N, = N,t =U}'2 sm~* 
konsentratsyali va yuqoridagidek tabiatli 
markazlar mavjud bo'lganda hamda kuchsiz uyg'atish holati uchun elektron va 
kovaklaming yashash vaqti aniqlansin.