Portal guldu uz-ярим ўтказгичли Қ

1.2.
Ярим ўтказгичли материаллар ўстириш усуллари.
Ярим ўтказгичли материаллар олиш технологиясини танлаш уларга
қуйилган талабларга боғлик бўлиб, булар жумласига асосан материалнинг
тозалиги киради. Мисол учун, ЯЎ
диоднинг тескари йўналишдаги
қуйиладиган кучланиши материалнинг солиштирма қаршилигига боғлик
бўлиб, ρ~0,5 ом см бўлган Ge да U
тес
қ 10-12 В бўлган диод олиш мумкин.
Бундай Ge материалида 100 та киришма атомига 1,5 10
9
Ge атоми туғри
келса, киришмалар сонини 100 марта камайтирилса (ρқ50 ом см) U
тес
қ 500
В га тенг бўлган диод олиш мумкин. Шунинг учун ярим ўтказгичлар
асосида ишлатиладиган техник асбобларда моддалар тозалиги нуқтаи

---

46
назаридан материаллар уч тоифага бўлинади. А – тоифага оддий классик
химиявий таҳлил йўли билан аниқланиши мумкин бўлган А1 – 99,9%
тозаликка эга бўлган ва А11-99,99% тозаликка эга бўлган материаллар
киради. В – тоифа В
3
ва В
6
ларга бўлинади. Бундай моддалар алоҳида тоза
ва ўта тоза дейилади (10
-3
-10
-6
% аниқликда киришмалар). Кейинги энг тоза
тоифа бўлиб С
7
-С
10 га
мансуб бўлиб тозалик даражаси 10
-7
-10
-10
% дир.
Ярим ўтказгичли материалларни ўстириш усулини танлаш уларнинг
физик ва кимёвий хусусиятларини ўрганишга боғликдир. Агар модданинг
эриш ҳарорати юқори, кимёвий актив ва буғ босими катта бўлса, бундай
моддалар кристаллини устириш жуда қийин. Уларни буғ фазаси ёки
эритмаларидан кичик ўсиш тезликларида ўстириш мақсадга мувофиқ
бўлади. Ўстириш жараёни ҳароратини жуда аниқ назорат қилишга,
моддалар тақсимотини назорат қилишга, газ ҳолатидаги компонентлар
босимини доимий миқдорда сақлашга, дастгоҳнинг механик қисмлари
ишини аниқ назорат қилишга туғри келади.