Рациональное применение полупроводниковых приборов требует знания физических принципов их работы

Рис.20. Схема электронных состояний в собственном полупроводнике

Кривые ρ(w) и ƒ_n(w) на рис.20 показаны менее жирными линиями, более жирной линией показана функция для зоны проводимости собственного полупроводника.

Интегрируя (14) по всем значениям энергий зоны проводимости, можно определить концентрацию электронов в зоне проводимости.

Аналогичные рассуждения можно провести для определения концентрации дырок в валентной зоне.

ЛИТЕРАТУРА

1. 
   Электронные приборы: Учебник для вузов / Под ред. Г.Г. Шишина.-М.: Эенргоатомиздат, 1989.-496 с.
   
2. 
   Батушев В.А. Электронные приборы: Учебник для вузов. - М.: Высш. шк., I980.-383 с.
   
3. 
   Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. - М.: Высш. шк., 2002.-480 с.
   
4. 
   Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебник для вузов. – М.: Сов. Радио, 2001.-488 с.
   
5. 
   Шалимова К.В. Физика полупроводников: Учебник для вузов. - М.: Энергоатомиздат, 1985.-392 с.
   
6. 
   Морозова И. Г. Физика электронных приборов: Учебник для вузов. - М.: Атомиздат, 1980.-392 с.
   
7. 
   Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов: Учебное пособие для вузов. - М.: Советское радио, 1969.-592 с.
   

СОДЕРЖАНИЕ

Общие сведения 3

Электроны в атоме. Электроны в твердом теле 3

Полупроводники 11

Примесные полупроводники 18

Статистика электронов и дырок в полупроводниках 29

Литература 40