Реферат диссертации доктора философии (PhD) по физико-математике ташкент 2023 удк
Download 0.95 Mb.
|
Avtoreferat Shohruh (2)
- Bu sahifa navigatsiya:
- Ведущая организация
- Ш.Б._ _ _ Утамурадова, Председатель Научного совета по присуждению ученых степеней, д.м.н., профессор Ж.Ж. Хамдамов
- Н. Тургунов
Защита диссертации на заседании Ученого совета НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана №1 проходит. (Адрес: 100057, г.Ташкент, Узбекистан, ул.Янги Алмазор, 20, тел.: (+99871)248-79-94, факс: (+99871)248-79-92, e-mail: info@ispm.uz ) Диссертацию можно найти в разделе «Введение в информационные технологии». (перечислены под номером ___). Адрес: 100057, Узбекистан, г.Ташкент, улица Янги Алмазор, 20. Телефон: (+99871) 248-79-59; электронная почта: info@ispm.uz ). Автореферат диссертации распространен ____ 2023 года. (Отчет цифрового реестра _______ от _______________ 2023 г.).
ВВЕДЕНИЕ (аннотация докторской диссертации) Актуальность и необходимость темы диссертации. В современной мировой практике возможно образование на поверхности кремния как устойчивых силицидов , так и нестойких соединений металлов . Силициды в основном образуются в результате термодиффузии атомов металлов . Образование нестабильных фаз зависит от процесса диффузии атомов металла через газовую фазу или последующей термической обработки слоя металла, напыленного на поверхность кремния. Силицидные слои можно легко контролировать , формируя силициды путем легирования кремния атомами металла и последующей термической обработкой . Эти процессы очень сложны и представляют большой научный интерес, поскольку нестационарные фазы могут обладать необычными свойствами. До сих пор нет теории, объясняющей многообразие фазовых переходов в рассматриваемых системах. Экспериментальные результаты противоречивы. Поэтому проблема начальных стадий силицидообразования в системах Fe/Si и Co/Si обсуждается в научной литературе и требует исследований. Во всем мире силициды атомов переходных металлов в кремнии имеют большое значение в современной технологии больших (KIX) и сверхбольших (O'KIX) интегральных схем. Он эффективно используется в технологиях получения диодов Шоттки, качественных омических контактов в активных областях больших интегральных схем, тонких слоев между элементами с малым сопротивлением, устойчивых к высоким температурам, затворов транзисторов металл-диэлектрик-полупроводник. Одним из наиболее информативных и перспективных способов решения этой проблемы в нашей стране является анализ поверхности кремния методами масс-спектроскопии вторичных ионов (МИМС) и резерфордовского обратного рассеяния (ОРР). На сегодняшний день в ИИМС имеется несколько работ, в которых изучался процесс образования силицидов железа и кобальта на поверхности кремния. Научный анализ результатов исследований показывает, что энергия связи электронов в кремнии очень чувствительна к фазовому составу образующихся 2р-слоев. Однако значения энергий связи, приведенные для одних и тех же фаз в разных работах, сильно отличаются друг от друга . Эти различия могут быть связаны с неспособностью используемых устройств измерять достаточно высокие энергии. Обычно размеры энергии находились в диапазоне 0,15–0,3 эВ, что затрудняло разделение базовых оснований на их компоненты. Кроме того, большое научное значение имеют поверхности монокристаллического кремния в различном состоянии в качестве подложки. Указ Президента Республики Узбекистан от 14 июля 2018 года « О дополнительных мерах по повышению эффективности коммерциализации результатов научной и научно-технической деятельности» № ПП-3855 от 29 октября 2020 года ПФ-6097 Указ № «Об утверждении концепции развития науки до 2030 года» от 19 марта 2021 г. № ПК-5032 «О мерах по повышению качества образования в области физики и развитию научных исследований», 2022 г. данная диссертация в определенной мере относится к реализации задач, определенных в Постановлении № ПФ-60 «О Стратегии развития Нового Узбекистана на 2022-2026 годы » от 28 января, а также в других нормативно-правовых документах, принятых в это поле подходит для исполнения. Download 0.95 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling