Reja: Elektr o`tkazuvchanlik guruhi

Ie
Ik


(α = 0,9 ÷ 0, 95). 
Baza va kollektor toklari tranzistorning tok bo`yicha kuchaytirish koeffisienti
orqali bog`langan: 
,
Ib
Ik


(β = 20- 200). 
Emitter o`tish kuchlanish U
eb
odatda uncha katta bo`lmaydi (vol`tning o`ndan 
bir ulushlari chamasida), kolleetor kuchlanishi U
bk
esa ancha katta bo`ladi (bir 
necha o`n vol`t). Ozgina U
eb
kuchlanishning zanjirida hosil qilgan tok kuchi I
b
o`zgarishi ancha katta U
bk
kuchlanish ta`siri ostida kollektor zanjiridagi I
k
tokni 
qariyb shunday miqdorda o`zgartiradi. Shu tufayli tranzistor yordamida tok 
(quvvat) kuchaytiriladi. 
Tranzistorlarning uch xil ulanish sxemalari bor (7 –rasm): 
- Umumiy bazaga ega bo`lgan sxema - UB (7, a-rasm); 
- Umumiy emitterga ega bo`lgan sxema - UE (7, b-rasm); 
- Umumiy kollektorga ega bo`lgan sxema - UK (7, v-rasm); 
Tranzistor umumiy emitterga ega bo`lgan UE sxemasi bilan ulanganda quvvat 
bo`yicha eng katta kuchaytirish koeffisienti olinadi. Shunga ko`ra, amalda UE 
sxemasi ko`proq qo`llaniladi. Bundan tashqari, UE sxemasida tranzistorning kirish 
va chiqish qarshiliklari miqdori ko`p farq qilmaydi, shuning uchun bir necha 
bosqichli kuchaytirgichlar hosil qilish mumkin. UB sxemasida kirish qarshiligi 
kichik (taxminan 10 Om), chiqish qarshiligi esa (bir necha kOm) katta. UK 
sxemasida kirish qarshiligi katta, chiqishniki esa kichkina. 
Amalda tranzistorlarning asosan ikkita: kirish va chiqish xarakteristikalaridan 
keng foydalaniladi (8-rasm). 
Tranzistorning UE ulanishida ular quyidagi (8 - rasm) ko`rinishga ega: 
Kirish xarakteristikasi - I
b
= ƒ(U
eb
) , U
ek
= const (8, a-rasm); 
Chiqish xarakteristikasi - I
k
= ƒ(U
ke
) , I
b
= const (8, b-rasm). 
Tranzistorlar kuchaytirish sifati uning ko`p parametrlariga bog`liqdir.
Ulardan eng muhimlari: 
-yo`l qo`yish mumkin bo`lgan kollektorning sochish (tarqatish)quvvati-P
k max
,
- yo`l qo`yish mumkin bo`lgan kollektor - emitter kuchlanishi – U
ke max
, 

---

- yo`l qo`yish mumkin bo`lgan kollektor toki – I
k max 
,
- kollektorning teskari toki - I
ko
,
- tok uzatush statik koeffisienti – β tranzistorning kuchaytirish xususiyatini
xarakterlaydi, 
- tok uzatish koeffisientining chastotalari chegarasi ƒ
cheg
(kGs yoki mGs
hisobuda) tranzistordan qanday chastotali tebranishlarni kuchaytirish uchun 
foydalanish mumkinligini ko`rsatadi. 
P
k.max
,
U
ke.max
,I
k.maks
Kabi parametrlardan birortasi yo`l qo`yilgan qiymatdan 
ortib ketsa, tranzistor ishdan chiqishi mumkin. 
Maydoniy tranzistorlar-yarim o`tkazgichli tranzistorlarning bir turi bo`lib,turli 
chastotali 
elektr 
tebranishlarni 
kuchaytirish 
va 
generasiyalash 
uchun 
qo`llaniladi.Bu tranzistorlar dachiqish (kollektor) toki bipolyar tranzistorlardagi 
kabi kirish (baza) zanjiridagi tok bilan emas, balki tok tashuvchilarga elektr 
maydonning ta`siri bilan boshqariladi. Shu sababli ular “maydoniy” tranzistorlar 
deb ataladi. 
Maydodiy tranzistorning tuzilmasi va sxemada belgilanishi 9-rasmda 
ko`rsatilgan. 
p-n o`tishli maydoniy tranzistorda yupqa p-tip elektr o`tkazuvchanlikka ega 
bo`lgan soha n-tip elektr o`tkazuvchanlikka ega plastinkalar orasiga joylashgan. Bu 
plastinka zatvor deb ataladi, plastinka orasidagi p-soha esa maydoniy transistor 
kanali deb ataladi. 
Kanal ikki tomondan kirish va chiqish bilan tugaydi - bular ham teshiklar 
konsentrasiyasi yuqori bo`lgan p-soxalardan iborat bo`ladi. Zatvor va kanal orasida 
p-n o`tish (uzoq chiziqli) hosil qilingan (9,a-rasm). Asbobning elektrodlari bo`lib 
xizmat qiladigan zatvor,kirish va chiqishdan kontakt uchlari chiqarilgan. 
Maydoniy tranzistorning ishlashi quyidagicha. Agar tranzistor kirish 
elektrodiga o`zgarmas kuchlanish manbaining U
k.ch.
musbat qutbi, chiqish 
elektrodiga manfiy qutbi ulansa (9, b-rasm), u holda kanalda teshiklarning 
kirishdan chiqish tomon harakati tufayli elektr toki paydo bo`ladi.Chiqish toki deb 
ataluvchi I
ch
tokining qiymati manba U
k.ch.
ning kuchlanishigina emas, balki kirish 
va balki zatvor orasidagi U
z .k . 
kuchlanishga ham bog`liq bo`ladi. Zatvorga kirishga 
nisbatan musbat kuchlanish berilgan bo`lsa,p-n o`tish soxasidagi elektr maydoni 
kengayadi. 
Natijada kanal torayadi, uning qarshiligi ortadi, I
ch
chiqish toki esa 
kamayadi.(10, b – rasmda). Zatvordagi musbat kuchlanish kamayishi bilan p-n 
o`tishning maydoni torayadi, kanal kengayadi, I
ch
chiqish toki esa ortadi. 

---

Zatvorga musbat siljish kuchlanishi bilan bir vaqtda past chastoali yoki yuqori 
chastotali signal berilsa, chiqish zanjirida pulsasiyalanuvchi tok, bu zanjirga 
ulangan iste`molchida esa kuchaygan signal kuchlanishi paydo bo`ladi. 
n-tip kanalli maydoniy tranzistorning tuzilishi va ishlashi ham xuddi shunga 
o`xshashdir. 
U
kch 
I
ch 
U
eb
,V 
U
ke
,V 
I
b
,mkA 
U
ke
≈0 
5V 
a) 
I
k
,A 
I
b5
I
b4
I
b3
I
b2
I
b1
b) 
I
b1
< I
b2
< ··· b5
8 – rasm. Tranzistorning UE sxemasi uchun (a) kirish va (b) chiqish 
xarakteristikalari 
Zatvor 
Kirish 
Chiqish 
P - soha 
Kanal 
n - soha 
U
kch 
U
zk 
+
–
–
+
I
ch 
a)
b)
U
zk 
Zatvor 
–
+
+
–
Chiqish 
Kirish 
9 – rasm. Maydoniy tranzistorning tuzilishi (a) va ulanish (b) sxemasi

---

Biroq bunda tranzistorning zatvori – p-tip elektr o`tkazuvchanlikka ega, 
shuning uchun uning zatvori kirishiga nisbatan manfiy, chiqishiga esa musbat 
kuchlanish berish kerak. 
Demak, bipolyar tranzistorlarda kollektor toki baza toki orqali o`zgartirilsa, 
maydoniy tranzistorlarda chiqish toki zatvor kuchlanishi orqali o`zgartiriladi. 
Maydoniy tranzistorning bipolyar tranzistorga nisbatan asosiy afzalligi - katta 
kirish qarshiligiga egaligidir. Shu xossalari va xarakteristikalarining o`xshashligi 
tufaylui maydoniy tranzistorlar lampali triodlarga yaqindirlar.
Maydoniy tranzistorlarning asosiy parametrlariga quydagilar kiradi: chiqish 
xarakteristikasining tikligi S, kuchaytirish koeffisenti µ va ichki qarshiligi R
i
. 
Bipolyar tranzistorlar kabi: P
ch. max.
, U
k.ch. max.
, U
k.z. max.
, I
ch.max.
va I
ch.o 
– chiqish 
tokining zatvor kuchlanishi nol bo`lgandagi boshlang`ich qiymati.
Maydonli tranzistor tiplarining shartli belgilari, odatda , K va P harflaridan (K-
kremniyli , P- (полевой) maydoniy ) boshlanadi. 
Tiristorlar 
Uch p-n o`tishli va uch elektrodli boshqariladigan yarim o`tkazgichli diod