Самостоятельная работа по предмету

Неравновесная проводимость и ее релаксация
Образование несбалансированных носителей заряда в полупроводнике из-за внешнего воздействия изменяет его проводимость. В общем случае известно, что полная удельная электропроводность равна:
σ = σ _n + σ _p = e( _ν n + _π π). (3.31)
При этом условия и степень создания несбалансированных носителей заряда не влияют на факторы, определяющие подвижность носителей тока, и поэтому мы предполагаем, что подвижности ( _n и _{p ) сохраняют свое значение в равновесных условиях.} Тогда (3.31) можно записать так:
s =e( _n n ₀ + _p p ₀ + _n D n + _p Д р). (3.32)
несбалансированной проводимости
Дс̱ = е( _н Д n + _п Д п) (3.33)
выражение происходит от. Мы выражаем силу света (количество световой энергии, попадающей на поверхность площадью 1 см2 за 1 с) через I. В этом случае количество энергии, поглощаемой полупроводниковым слоем с поверхностью 1 см и толщиной dx, пропорционально I и dx:
—dI= 1dx, (3.34)
где – коэффициент светопоглощения. Энергия света, поглощаемая в единицу времени:
-(d1/dx)= 1. (3.35)
Так,
D n' = D p' = a 1, (3.36)
где – квантовый выход, определяющий количество электронно-дырочных пар, создаваемых одним квантом света (фотоном).
I=g (3,37)
величина - это скорость генерации носителей заряда (в данном случае светом).
Если бы не было процессов, отличных от генерации носителей заряда, то концентрация неравновесных носителей заряда D
n= D p = It (3.38)
По закону она со временем будет увеличиваться. Так, стационарные концентрации неравновесных носителей заряда могут быть выражены в виде средних времен пребывания t н и t р D р' и D р' в свободном состоянии :
D n _ст = D n'∙ t _n = I t _n (3.39)
D p _ст = D p'∙ t _p = I t _p (3.40)
В этом случае стационарная неравновесная проводимость (в нашем случае фотопроводимость) описывается следующим образом:
Ds̱ _st = Ds̱ + Ds̱ _n + Ds̱ _p =e ( _n D n _st + _p D p _st ) = ye I( _n t _n + _p t _p ) (3.41)