МИНИСТЕРСТВО ПО РАЗВИТИЮ ИНФОРМАЦИОННЫХ
ТЕХНОЛОГИЙ И КОММУНИКАЦИИ РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН
САМАРКАНДСКИЙ ФИЛИАЛ ТАШКЕНТСКОГО УНИВЕРСИТЕТА
ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ИМЕНИ МУХАММАДА
АЛЬ-ХОРАЗМИЙ
Самостоятельная работа по предмету <<Электроника и схемы>>
Преподаватель: Жуманов Х А
Тема: Несбалансированные носители заряда.
План:
I Введение . Носители заряда в равновесном и неравновесном состоянии
II Основная часть:
Сбалансированные, несбалансированные носители заряда. Распределение их энергии.
Неравновесная проводимость и ее релаксация
Время пребывания носителей заряда в неравновесном состоянии
III Заключение.
Рекомендации
Носители заряда в равновесном и неравновесном состоянии
твердых телах , особенно в полупроводниках, энергии носителей заряда имеют скрытую зональную структуру. Процесс образования свободных носителей заряда, которые могут участвовать в миграционных явлениях (например, в токе), требует затрат энергии на преодоление запретной зоны или барьеров между локальными (локальными) уровнями и разрешенными зонами. В условиях термодинамического равновесия эта энергия получается из запаса тепловой энергии кристалла. В то же время электроны в кристалле сильно взаимодействуют с кристаллической решеткой, поэтому температура электронного газа обычно совпадает с температурой решетки. При повышении температуры полупроводника увеличивается частота колебаний его заряда (атомов или ионов) вокруг узлов решетки, изменяется энергетическое распределение электронов, увеличивается термоионизация, т. е. количество свободных электронов и дырок в зонах увеличивается . Два свободных носителя заряда (электроны и дырки), находящиеся в полупроводнике в состоянии термодинамического равновесия при определенной температуре, называются равновесными носителями заряда. В зонах помимо термической ионизации могут выделяться свободные носители заряда в результате внешних воздействий (например, под действием света). Явление свободных носителей заряда в зонах за счет влияния света называется внутренним фотоэффектом.
Do'stlaringiz bilan baham: |
