Самостоятельная работа по предмету
Download 179.12 Kb.
|
Самостоятельная работа1
- Bu sahifa navigatsiya:
- Рекомендации
Краткое содержание
В заключение могу сказать, что избыток (по сравнению с равновесным количеством) носителей заряда в полупроводнике возникает за счет инжекции носителей заряда через контакт (или np - переход), под действием сильных электрических полей, за счет влияние пучков высокоэнергетических частиц и другие возможные причины. В этом случае внешний источник обеспечивает энергию, необходимую электронам для преодоления энергетических барьеров, но тепловая энергия (температура) кристаллической решетки остается практически неизменной. При наличии внешнего воздействия 69 Таким образом, нарушается баланс между кристаллической решеткой и электронами. По этой причине носители заряда, возникающие в полупроводнике из-за внешнего воздействия, называются несбалансированными носителями заряда. Эффективные величины перехватывающих сечений (далее для простоты будем называть их перехватывающими сечениями), конечно, будут зависеть от природы перехватывающих центров и условий, при которых происходит процесс перехвата. Поэтому этот вопрос тщательно изучается в каждом конкретном случае. Смысл времени жизни несбалансированных носителей заряда можно понять следующим образом: как мы видели выше, скорость генерации (то есть количество электронно-дырочных пар, одновременно генерирующих свет в единице объема) есть формула (3.48) . Поскольку скорость рекомбинации (pn, pp), по-видимому, пропорциональна концентрации неравновесных носителей: pn,= D n/ t n, pr = D p/ t p В нестационарных условиях, в частности под действием постоянных внешних сил, изменение концентрации неравновесных носителей заряда до момента установления стационарного состояния определяется разностью скоростей генерации и рекомбинации Рекомендации РМЖАЛАЛОВ, ОТИСМАНОВА, УВТУРДАЛИЕВ ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРОНИКОВ НАМАНГАН-2019 Юнусов М.С., Власов С.И., Назиров Д.Е., Толипов Д.О. Электронные приборы Ташкент-2003 Калашников Электричество и магнетизм . М.Х. ОЛМАСОВА ФИЗИКА ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОДИНАМИКИ ТАШКЕНТ-2003 WWW.EDU.UZ WWW.ПЕДОГОГ.UZ WWW.ZIYONET.UZ WWW.ORBITA.UZ Download 179.12 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling