Sayfiyev mirjahon iqtisodiy axborot komplekslari va texnologiyalari fanidan tayyorlagan mustaqil ishi

Flesh-xotira modullarining hozirgi holati. Flesh-xotira modullarining kamchiligi bu ularning axborot saqlash fazosining ko‘lami katta bo‘lgan qattiq disklarga (bugungi kunda bu sohada erishilgan eng maksimal disk fazosining hajmi 750 Gb ni tashkil qilmoqda) nisbatan kamligi hisoblanadi. Bugungi kunda flesh xotira modullarining eng katta axborot saqlash hajmi 16 Gb dan oshib ketayotganligini aytish mumkin. Bu kamchilikni bartaraf etish va ularning samarasini oshirish borasida ilmiy-amaliy izlanishlar olib borilmoqda. Dastlab, Apple kompaniyasi, keyinchalik Samsung korporasiyasi flesh xotira modullarining axborot saqlash hajmini 64 Gb yetkazganligini ma’lum qilishdi. Shunday qilib, bu sohada olib borilayotgan izlanishlar yaqin kelajakda flesh xotira modullarining axborot saqlash hajmini yangi texnologiyalar asosida dastlab 128 Gb ga keyinchalik esa 256 Gb yetkazishni mo‘ljallamoqda.
Flesh-xotira modullari o‘zining ixchamligi, nisbatan arzonligi va kam elektr quvvati sarflashi sababli keng foydalanilmoqda.
Flesh-xotiraga axborotni yozish jarayoni. Flesh-xotira axborotni yacheyka (cell) deb ataluvchi “qulfi suzuvchi” tranzistorlar massivida saqlaydi. An’anaviy qurilmalarda bir xil sathli har bir yacheyka bir bit axborotni saqlay oladi. Bunday qurilmalar inglizcha single-level cell, SLC deb yuritiladi. Ba’zi bir yaratilgan yangi qurilmalarda har bir yacheykaga bir bitdan ko‘p bo‘lgan axborotni saqlay olish imkoniyatiga ega (1-rasm).
Dasturiy yo‘l bilan axborotni o‘qish qurilmaning energiya sarfi jihatidan juda katta farq qiladigan jarayon. Flesh-xotira qurilmalariga axborot yozish jarayoni nisbatan katta energiya sarf qiluvchi jarayon hisoblanadi, axborotni o‘qish jarayoni esa nisbatan kam energiya sarf qiluvchi jarayondir.
Flesh-xotira qurilmalaridagi axborotni o‘chirish uchun boshqaruvchi qulfga manfiy yuqori kuchlanish beriladi va elektronlar suzuvchi qulfdan chiqish yo‘liga oqib o‘tadi (tunnellashadi). ILI NE (NOR) arxitekturali flesh xotira qurilmalarida har bir tranzistorga alohida kontakt keltirishni talab qilinishi tufayli u qurilmaning fizik hajmini kattalashtirib yuboradi. Bu muammo I-NE (NAND) arxitekturali flesh-xotira qurilmalarida o‘z yechimini topgan.