Схемотехника фани, мазмуни ва усуллари

эга бўлган таркибий транзисторлар деб аталади. Комплементар БТлар асосидаги 
Шиклаи таркибий транзистори деб аталувчи схеманинг тузилиши 4.2, а – 
расмда келтирилган. 
Бунда кириш транзистори сифатида p-n-p ўтказувчанликка эга транзистор, 
чиқиш транзистори сифатида эса n-p-n ўтказувчанликка эга транзистор 
ишлатилади. Натижавий токлар йўналишлари, расмдан кўринишича, p-n-p 
транзисторнинг токлари йўналишига мос келади. Ток узатиш коэффициенти β= β
1
+ 
β
1 
∙β
2 
га тенг бўлади ва амалда Дарлингтон транзисторининг β сига тенг бўлади. 
Принципда таркибий транзистор майдоний ва биполяр транзисторлар 
асосида ҳосил қилиниши мумкин. 4.2, б – расмда n – канали p-n ўтиш билан 
бошқарилувчи МТ ва n-p-n тузилмали БТ асосида ҳосил қилинган таркибий 
транзистор схемаси келтирилган. Ушбу схема майдоний ва биполяр 
транзисторларнинг хусусиятларини ўзида мужассамлаштирган – бу жуда катта 
кириш қаршилигига ва ток бўйича, демак қувват бўйича ҳам, жуда катта 
кучайтириш коэффициентига эгалигидан иборат. 
а) 
б) 
4.2 – расм. Комплементар БТлар (а), БТ ва МТлар асосидаги (б) 
таркибий транзистор схемалари. 
Инжекцион – вольтаик транзистор асосидаги таркибий транзистор схемаси 
4.3, а ва б – расмларда келтирилган. Улар температура ва кучланиш манбаи 
қийматлари ўзгаришига нисбатан юқори барқарорликка эга. 
а) 
б) 
19

---

4.3 – расм. Инжекцион – вольтаик транзистор асосидаги таркибий транзистор 
Дарлингтон (а) ва Шиклаи (б) жуфтлиги схемалари. 
Масалан, 4.4 – расмда БТГнинг учта транзисторли схемаси (Уилсон ток 
кўзгуси) келтирилган. Унда бошқарувчи VT1 ва VT2 транзисторларниг база 
токлари қарама - қарши йўналган. 
Схемадан 
I
1 

I
Б 2 

I
Б1 

I
Э1
, 
I
2 

I
Б 2 

I
Б1 

I
Э3 
кўриниб турибди. 
VT1 ва VT2 транзисторлар эгизак. Уларнинг ишлаш режимлари бир – 
бириникидан коллектор – база кучланиш бўйича фарқ қилади. VT1 транзисторнинг 
коллектор – база кучланиши VT2 транзисторнинг эмиттер – база кучланишига 
тенг, яъни қиймати кичик. VT2 транзисторнинг коллектор– база кучланиши эса R 
резистордаги ва R
Ю 
занжирдаги кучланиш пасайишлари билан аниқланади ва 
сезиларли даражада катта бўлиши мумкин. 
Лекин, база токи коллектор – база кучланиши қийматига суст боғланган, 
шунинг учун I
Б1
= I
Б2
. Эмиттер токлари ҳам 
содда БТГ схемасидаги ҳолат 
сабабларига кўра бир – бирига тенг I
Э1
= I
Э3
. Натижада 
I
2 

I
1 

2(I
Б 2 

I
Б1
) 

I
1
. 
Бу ифодадан 3.2 – расмда келтирилган схемада кириш ва чиқиш токларининг 
қайтарилиши 4.4 – схемадагига қараганда юқорироқлиги кўриниб турибди. 
20

---


U 
 


U 
 

4.4 – расм. Уилсон ток кўзгуси 
схемаси. 
4.5 – расм. Актив ток 
трансформатори. 
Қатор интеграл схемаларда таянч токи I
1 
(I
2 
<< I
1
) қиймати катта бўлган 
кичик токли БТГлар талаб этилади. Ушбу ҳолларда содда БТГнинг такомиллашган 
схемасидан фойдаланилади (4.5 – расм). 
Бу схема ток трансформатори схемаси деб аталади. Унинг учун 
I
Э 2
R
Э 

U
БЭ1 

U
БЭ 2 
; 
U
БЭ1 

Е
M 

I
1
R 
(4.1) 
ифода ўринли. 
Идеаллаштирилган ўтиш ВАХ дан фойдаланиб, 
U
БЭ1 


T 
ln( I
1 
/ I
0 
) 
; 
U
БЭ2 


T 
ln( I
2 
/ I
0 
) 
(4.2) 
ѐзиш мумкин. 
(2.4) ва (2.5) ифодалардан 
I
2 

R
Э 
ln 
E
M 
I
2 
R 
БЭ1 
ҳосил қиламиз. 
I
2
токнинг берилган қиймати асосида (4.3) дан 
резисторнинг қаршилигини топиш мумкин 
R
Э 
I
2 

I
2 
ln 
E
M 
I
2 
R 
БЭ1 
фойдаланган 
. 
(4.3) 
ҳолда R
Э 
(4.4) 
Ушбу схема соддалигига қарамасдан, температура бўйича барқарорликни 
яхши таъминлайди, чунки R
Э 
резистор орқали манфий ТА га эга. Ҳисоблашлардан 
температура бир градусга ўзгарганда токнинг нобарқарорлиги ∆I
2
=2,5 мкА ни 
21

---

ташкил этиши маълум. Бундан ташқари, R
Э
=1 кОм (статик қаршилик) бўлганда 
БТГнинг динамик қаршилиги 
1 МОмга яқин бўлади.