Схемотехника фани, мазмуни ва усуллари

Назорат саволлари 
1. Аналог ИМСлар ҳақида тушунча беринг. 
2. Содда барқарор ток генератори ишлаш механизмини тушунтиринг. 
3. БТ ва МТли БТГ иш принципи ва характеристикалари ҳақида маълумот 
беринг. 
17

---

ДАРЛИНГТОН ЖУФТЛИГИ. УИЛСОН ТОК КЎЗГУЛАРИ СХЕМАСИ 
Режа: Таркибий транзисторлар ҳақида тушунча 
Уилсон ток кўзгуси схемаси 
Актив ток трансформатори схемаси 
Таркибий транзисторлар. Каскадларнинг кучайтириш коэффициентлари ва 
кириш қаршиликлари учун ифодаларни таҳлил қилиб, уларнинг максимал 
қийматлари УЭ уланган схемада транзисторнинг дифференциал ток узатиш 
коэффициенти h
21Э
=β билан аниқланади деб хулоса қилиш мумкин. h
21Э 
нинг реал 
қийматлари транзистор тузилмаси ва тайѐрланиш технологияси билан аниқланади 
ва одатда бир неча юздан ошмайди. Бундан асосан операцион кучайтиргичларнинг 
кириш каскадларида қўлланиладиган, махсус супербета транзисторлар мустасно. 
Бир нечта (одатда иккита) транзисторни ўзаро улаб h
21Э 
қийматини ошириш 
муаммосини ҳал қилиш мумкин. Уланишлар шундай амалга оширилиши керакки, 
транзисторларни ягона транзистор деб қараш мумкин бўлсин. Бир турли 
транзисторга нисбатан схемалар биринчи марта Дарлингтон томонидан таклиф 
этилган эди, шунинг учун Дарлингтон жуфтлиги ѐки таркибий транзистори 
деб аталади. 
Иккита n-p-n транзистор асосидаги Дарлингтон транзистори 4.1 – расмда 
келтирилган бўлиб, бу ерда Б, Э, К – эквивалент транзистор электродлари. 
4.1 – расм. Дарлингтон жуфлиги. 
Таркибий транзисторда натижавий ток узатиш коэффициенти алоҳида 
транзисторлар ток узатиш коэффициентларининг кўпайтмасига тенг. Агар β
1 
ва β
2 
лар бир хил қийматга эга бўлса, масалан 100 га, ҳисоблаб топилган коэффициент 
β= β
1 
∙β
2 
= 10
4 
бўлади. Лекин, бир хил VT1 ва VT2 ларда β
1 
ва β
2 
коэффициентлар 
18

---

I
К1 
ва I
К2 
коллектор токлари бир хил бўлгандагина бир – бирига тенг бўлади. 
I
Э1
>>I
Б1
=I
Э2 
бўлгани учун I
К2 
>> I
К1
. Шунинг учун β
1
<< β
2 
ва β= β
1 
∙β
2 
амалда бир 
неча мингдан ошмайди. 
Таркибий транзисторлар турли ўтказувчанликка эга бўлган транзисторлар 
асосида ҳам ҳосил қилиниши мумкин. Бундай тузилмалар қўшимча симметрияга