Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi
Download 0.94 Mb. Pdf ko'rish
|
yarim o\'tkazgich asboblardan foydalanib epitaksiya
|
2.4 - rasm. Epitaksial kremniy olish uchun qurilma sxemasi.
26 Epitaksial o’stirish texnologiyasi plastinkaga qo’yilgan talablardan kelib chiqadi. Bu epitaksial qatlam qalinligi va legirlanish sath qiymatlari (aniqligi ±5÷10%) yomon bo’lmagan holda yechiladi. Epitaksial qatlam qalinligi talab darajasidagi takroriylikka erishish uchun o’sish tezligining doimiyligini saqlash kerak. Buning uchun esa 𝑆𝑖𝐶𝑙 4 , 𝑆𝑖𝐻 2 asosiy moddalar konsentratsiya sathini, bu jarayonda temperaturani o’zgarmas ushlab turish kerak. Epitaksial qatlam solishtirma qarshiligining bir xil bo’lishligi uchun qizdirish tekis bo’lishi kerak. Germaniy epitaksiyasi. Germaniy epitaksiyasiga qiziqish germaniyli kam shovqinli o’ta yuqori chastotali tranzistorlar va integral mikrosxemalar yaratish muhimligidan kelib chiqadi. Chunki, bu asboblar kremniyli integral mikrosxemalarga nisbatan past temperaturalarda samaraliroq ishlaydi. Germaniy epitaksial qatlamlarini o’stirishning xlorid usuli yaxshi o’rganilgan. O’tqazish 800°C da bajariladi va germaniy tetraxloridi zichligi 0,2% ga yaqin bo’ladi. Aralashma oqimi tezligi tanlangan qiymati reaktor tuzilishiga, oqim berish usuliga bog’liq bo’lib, odatda tezlik kattaligi 20 sm/s dan oshmaydi. Epitaksial qatlamning 800°C da o’sish tezligi 0,5 mkm/min ni tashkil qiladi. Germaniy epitaksial qatlamlarni o’stirishning gidrid usulida olish vodorod muhitida 𝐺𝑒𝐻 4 yordamida 700°C temperatura yaqinida va 𝐺𝑒𝐻 4 zichligi 0,1— 0,2% bo’lganida bajariladi. O’sish tezligi 800°C gacha oshib boradi, keyin gaz fazada 𝐺𝑒𝐻 4 parchalanishi kamayadi. 𝐺𝑒𝐻 4 ning gaz fazali parchalanishini kamaytirish uchun yuqori tezlikdagi gaz oqimidan foydalaniladi. Sanoat yetarli darajada toza germaniy tetraxlorididan foydalanganligi uchun solishtirma qarshiligi 15 Om ∙sm dan katta bo’lgan epitaksial qatlamni olish imkonini beradi. Yana kamroq qo’llaniladigan usullardan biri yopiq havosi so’rilgan kvars nayda olishdir. Nayda germaniy tetrayodidi 𝐺𝑒𝐼 4 bo’lib, bu zona 550–700°C gacha qizdiriladi. Nayning ikkinchi zonasida germaniy taglik bo’lib, uning temperaturasi 300–400°C ni tashkil qiladi. Birinchi zonada quyidagi reaksiya ketadi: 𝐺𝑒𝐼 4 + 𝐺𝑒 → 2𝐺𝑒𝐼 2 . Germaniy diodli taglikka diffuziyalanib, quyidagi reaksiya sodir bo’ladi: 27 2𝐺𝑒𝐼 2 → 𝐺𝑒𝐼 4 + 𝐺𝑒 (2.8) Natijada germaniy taglikka o’tiradi, bug’lari esa manba zonasiga diffuziyalanadi va reaksiya yana qaytariladi. Download 0.94 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|