Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

2.7-rasm. Suyuq epitaksiyada temperatura–vaqt rejimi:
I-eritmaning to’yinish sohasi; II-kristallanish sohasi; 1-taglikning qotishma bilan 
kontakti; 2-taglikdan qotishmaning ketishi. 

---

37 
Gaz fazada SiC epitaksiyasi. Usui asosida inert gaz muhiti yoki vakuumda 
oldindan sintezlangan SiC sublimatsion qayta kristallanishi yotadi. Jarayon 
yuqori temperaturali pechkalarda, grafitli konteynerlarda o’tkaziladi (2.8-rasm). 
Argon gazda epitaksiya sohasi temperaturasi o’rtacha 2000
÷2200°C ni 
tashkil etsa, vakuumda jarayon ancha past temperatura (1800
÷1900°C) da 
ketadi. Bunda 5 manba materiali qisman parchalanishi bilan bug’lanadi, material 
bug’i yupqa grafit diafragma orqali 7 kristallanish zonasiga o’tadi, bu yerda 3 
tagliklar joylashgan. Bu zonada temperatura manba temperaturasiga nisbatan 
50
÷60°C kam. Bu yerda vujudga keltirilgan ozgina o’ta to’yingan bug’ (3÷4%) 
epitaksial qatlam SiC o’sishi uchun yetarli. Gaz fazada kremniy karbidi 
epitaksiyasini olishning boshqa ko’rinishi bir qancha kimyoviy usullarda olinib, 
undan biri metiltrixlorsilan pirolizi usulidir. 
(𝐶𝐻
3
)𝐶𝑙
3
𝑆𝑖 → 𝑆𝑖𝐶 + 3𝐻𝐶𝑙 (2.21) 
Epitaksial SiC o’stirish 800°C dan boshlanib, 1200
÷1250°C larda kremniy 
karbidi tagliklarida va kremniy tagliklarda jarayon paytida kremniy karbidi 
monokristall qatlamlari olinadi. Gaz fazada epitaksiya usuli kamchiligi 
kristallanish frontining to’la ochiqligidir. Bunda turli xildagi ta’sirlar 
konteynerlarda yoki butun pechka hajmida yuz berishi mumkin. 
Suyuq fazada SiC epitaksial o’sishida kristallanish fronti suyuq faza bilan 
to’silgan va kristall bilan oziqlantirishga asoslangan. Ancha keng tarqalgan 
usullardan biri harakatdagi erituvchi bo’lib, mazmuni quyidagicha: Vakuumda 
purkash usuli bilan taglik va kristall - manba sirtiga erituvchi qatlam qoplanadi, 
uning qalinligi ~100 mkm ni tashkil qiladi. Ikkala kristall ichida erituvchisi 
bo’lgan «sendvich»ga joylashtiriladi.
Manba – erituvchi – taglik sistema temperatura gradienti (
T
m
> T
tag
) 
bo’lgan holda grafit qizdirgichga joylashtiriladi. Moddaning manbadan taglikka 
ko’chishi eritgich orqali diffuziya yo’li bilan ro’y beradi. Eritgichni tanlash katta 
ahamiyatga ega boiib, u epitaksiya jarayonini va kinetik parametrlarini va 

---

38 
o’sgan qatlam xususiyatini aniqlaydi. Eritgichlar sifatida Co, Fe, Ni, Cr, Ag 
lardan foydalanish mumkin. Biroq, ular epitaksial qatlamni ifloslantirishi ham 
mumkin.