Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

3.3. Atom qatlamli epitaksiya 
Atom - qatlamli epitaksiyada dastlabki o’suvchi materiallar xuddi gaz 
fazali epitaksiya (GFE) dagidek, biroq bu yerda o’sish uzluksiz bormay, qatlam-
qatlam boradi, bunda har bir qatlam bir necha bosqichda o’stiriladi. Birinchi 
bosqichda o’suvchi sirt gazsimon metall alkidi bilan nurlanadi. Kontaktda 
sirtdan molekula qutblanadi – metall atomlari ktistall panjarada tizilishadi, alkid 
qoldiq esa, aksincha sirtdan itariladi. Natijada barcha o’suvchi sirt qutblangan 
molekulalar qatlami bilan qoplanadi, bunda alkid qoldiqdan tashkil topgan 
tashqi qatlam keyingi molekulyar qatlamning cho’kishiga qarshilik qiladi. 
Bundan keyin sirtga cho’kmagan gazsimon alkidlar reaktordan so’rib olinadi.
Keyingi bosqichda o’suvchi sirt alkidlar ionlarini metall atomlarida 
o’suvchi yorug’lik bilan nurlantiriladi va ionli gaz ham reaktordan so’rib 
olinadi. O’suvchi sirt metalning atomli qatlami bilan qoplanib qoladi. Shundan 
keyin reaktor gazsimon arsinga tushiriladi. Bunda uning molekulalari avvalgi 
holdagidak o’suvchi sirtni qoplab qutblanadi, arsinning atssorbtsiyalanmagan 
molekulalari esa so’rib olinadi.

---

42 
Oxirgi bosqichda arsinning cho’kkan molekulalari fotoionlashuvi amalga 
oshiriladi, vodorod ionlari reaktordan so’rib olinadi, o’suvchi sirt o’stirilayotgan 
materialning bir molekulyar qatlami bilan qoplanadi. Shundan keyin jarayonni 
takrorlash mumkin va shuning bilan molekulyar qatlamlarning to’liq soni 
o’stiriladi. 
Atom qatlamli epitaksiyaning afzalliklari: 
1. 
O’stirilayotgan qatlam qalinligini absolut aniq berish imkoni; 
2. 
Ixtiyoriy shaklda epitaksial qatlamlarni o’stirish imkoni; 
Usulning kamchiligi: 
1. 
Atom qatlamlarni o’stirish juda ulkan , shuning uchun o’sish tezligi 
juda past (0.1 mkm/soat dan katta emas); 
2. 
Bu yerda atomlarning sirtiy diffuziyasini qo’llanilmaydi, shuning 
uchun epitaksial qatlam strukturaviy nuqsonlilik darajasi juda yuqori bo’ladi. 
3. 
Atom – qatlamli epitaksiya usuli hozirda keng qo’llanilmaydi va 
faqat ayrim xususiy masalalarni yechish uchun qo’llaniladi. 
4. 
Gaz fazali epitaksiya (GFE) texnologiyasi (hamda uning analogi – 
metal organik bog`lardan suyuq fazali epitaksiya) kam sarf bilan, kam vaqt 
ichida katta miqdorda strukturalar tayyorlash kerak bo’lganida qo’llaniladi. 
Bunda uning sifatiga talab kuchli qo’yilmaydi. Yuqori sifatli epitaksial 
strukturalar kerak bo’lgan hollarda ko’pincha shu talab etiladi ham molekulyar 
dastaliepitaksiya (MDE) texnologiyasi afzal bo’ladi. Shulardan kelib chiqib, 
quyida epitaksial texnologiyaning eng istiqbolli variantini ko’rib chiqamiz.