Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

 

---

22 
2.2. Epitaksial qatlamlarni olish qurilmalari 
O’suvchi epitaksial qatlamlar sifati ko’p jihatdan temperatura va 
gazodinamik sharoitlariga bog’liq. Shuning uchun epitaksiya qurilmalariga 
yuqori talablar qo’yiladi. Epitaksial o’stirish qurilmasi reaktorlar tuzilishiga 
bog’liq. Ularning gorizontal va vertikal xillari bor. Gorizontal reaktor ancha 
sodda tuzilishga ega (2.2,a-rasm). Bunda bug’-gaz aralashma oqimi taglik 
ushlagichga parallel o’tadi va epitaksial qatlamlar qalinligi hamda solishtirma 
qarshilikni o’zgartirishga olib keladi. Yanada tekis o’stirishni hosil qilish uchun 
ikkita usuldan foydalaniladi. 
Vertikal reaktorlar konstruksiyasi yaxshiligi qizdirish va aralashma gaz 
oqimi uchun ancha yaxshi sharoitni ta’minlaydi. Taglik ushlagichning 
aylantirilishi issiqlik va gazodinamik maydonlarning tekis taqsimlanishiga olib 
keladi. 2.3,a-rasmda to’rt qirrali taglik ushlagich va gaz - bug’ aralashmani 
vertikal kiritishning vertikal reaktor qurilmasi ko’rsatilgan. 2.3, b-rasmda yuqori 
unumdorlikka ega bo’lgan ishchi aralashmani gorizontal kiritishning baraban 
ko’rinishidagi vertikal reaktori ko’rsatilgan. To’rt qirrali grafitli taglik 
ushlagichni qizdirish yuqori chastotali tok induktori bilan amalga oshiriladi, 
reaktor kvars naydan iborat. Barabanli taglik ushlagichni zanglamas po’latdan 
tayyorlangan reaktor ichida rezistiv elementlar yordamida qizdiriladi. Bu 
qizdirish ba’zan reaktorning kamchiligi deb ataladi. 

---

23 
2.2 - rasm. Gorizontal reaktorlar turlari: 
1-kvars reaktor; 2-gaz oqimi; 3-taglik ushlagich; 4-plastinkalar. 
2.3-rasm. Vertikal reaktorning tuzilishi:
a) kvars nayli reaktor; b) zanglamas po’lat qalpoqli reaktor; 

---

24 
Xlorid usulida epitaksial qatlamlarni olish qurilmasi 2.4-rasmda berilgan. 
Legirlangan epitaksial qatlamni olish uchun tetraxlorid kremniy yoki legirlovchi 
qo’shimchalar p-turni 
𝐵𝐵𝑟
3
yoki n-turni 
𝑃𝐶𝑙
3
hosil qiluvchi legirlovchi 
qo’shimcha tarkibli aralashmalar 
𝑆𝑖𝐶𝑙
4
+ 𝐵𝐵𝑟
3
yoki 
𝑆𝑖𝐶𝑙
4
+ 𝑃𝐶𝑙
3
termostat 
idishda tetraxlorid temperaturasi yuqori aniqlikda ushlab turiladi. Bu esa, zaruriy 
bug’ bosimini ta’minlaydi. Odatda bu temperatura 0°C dan past, chunki 
𝑆𝑖𝐶𝑙
4
juda uchuvchi suyuqlik. 
Sistemaga palladiy tozalovidan o’tgan vodorod beriladi. Chunki palladiy 
tozalov nam va kislorod qoldiqlaridan vodorodni tozalaydi. Palladiy yoki 
platinali tozalov sistemasi 400–450°C qizdirilgan diafragmadan iborat. Bu 
diafragma orqali yuqori tezlikda atomar vodorod diffuziyalanadi va uning sarfi 
1 m
3
/soat ni tashkil qilib boshqa moddalar bu diafragma orqali umuman 
o’tmaydi, chunki ularning diffuziya koeffitsienti kichik. Tozalov nuqtasi 
shudringdan so’ng - 70°C ni tashkil qiladi. Vodorod 1-kran - vodorod sarfini 
o’lchovchi rotametr orqali o’tadi. 2-, 3-, 4- kranlar yopiq. Kremniy tagliklar 
1000–1200°C gacha qizdiriladi va ularning sirti vodorod oqimida tozalanadi. 1-
kran yopiladi, 2- va 3- kranlar ochiladi. Vodorod 
𝑆𝑖𝐶𝑙
4
 li idish orqali o’tadi va 
reaktorga tetraxlorid bug’i bilan to’yinib elementar kremniy tiklanadi. 
Reaksiyada qatnashmagan 
𝑆𝑖𝐶𝑙
4
, 
𝐻
2
, HCl va boshqa mahsulotlar 5-ochiq 
kran orqali skrubberga chiqadi. Skrubber vazifasi zaharli chiqindilarni ushlab 
qoladi, vodorod alangasida yondirib yuboradi. Epitaksial o’stirishda gaz yedirish 
uchun 1-kran orqali MCl epitaksiya jarayonidan oldin beriladi. 

---

25