Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

1-BOB. EPITAKSIYA TUSHUNCHASI VA UNING TURLARI. 
EPITAKSIYADAN FOYDALANISH ASOSLARI 
 
1.1. Epitaksiya va epitaksiya turlari: geteroepitaksiya, reoepitaksiya va 
molekulyar–nur epitaksiya 
Yunoncha «epi» – ustiga, «taksis» – tartibli o’rnatish (taxlamoq) demakdir. 
Epitaksiya hodisasi monokristall taglik ustida monokristall modda qatlamini 
ma’lum kristallografik yo’nalishda o’stirish jarayonidir. Epitaksiya jarayonining 
avtoepitaksiya 
(gomoepitaksiya), 
geteroepitaksiya, 
xemoepitaksiya, 
reoepitaksiya deb ataladigan turlari mavjud: 
1. 
Avtoepitaksiya taglik va o’stiriladigan qatlam aynan bir moddadan 
iborat holdagi jarayondir. 
2. 
Geteroepitaksiya taglik va o’stiriladigan qatlam turli moddalardan 
iborat holdagi jarayondir. Bu ikki jarayonda taglik va o’stiriladigan qatlam 
moddalari kimyoviy ta’sirlashmaydi.
3. 
Ammo, xemoepitaksiyada yangi kristall fazasi qatlami taglikning 
unga kelib tushayotgan modda bilan kimyoviy o’zaro ta’siri evaziga hosil 
bo’ladi. 
4. 
Reoepitaksiya jarayonida taglikning tuzilishi o’sadigan kristall 
fazasi tuzilishidan farq qiladi. Agar o’tqazilayotgan modda taglikka bevosita 
yetib boradigan bo’lsa, bu to’g’ri jarayonlar. Aks holda noto’g’ri jarayon 
bo’ladi.
O’tqaziladigan moddaning dastlabki agregat (tub) holati bo’yicha epitaksial 
jarayonlar to’rtta turga ajratiladi: 
“Gaz-transport (bug’ fazali)” epitaksiya holida o’tqaziladigan modda 
dastlab gaz (bug’) holatida bo’ladi va shu holatda u taglikka yetib boradi. 
Masalan, kremniy taglik joylashgan sohaga silan SiCl
4
ni bug’ holida vodorod 
gazi olib keladi. Shu sohada silan parchalanadi va undan Si ajralib, taglikka 
o’tiradi. 

---

10 
“Suyuq faza”dan epitaksiya qilish holida o’tqazilayotgan modda dastlab 
suyuq holatda bo’ladi. 
“Bug’–suyuqlik–kristall” (taglik) tizimida epitaksiya qilish holida 
o’tqaziladigan modda o’zining dastlabki bug’ (gaz) holatidan oraliqdagi suyuq 
holatning yupqa pardasi orqali o’tib, so’ng taglikka o’tiradi.
Yana “Qattiq faza”dan epitaksiya usuli ham mavjud. Masalan, monokristall 
sirtida II-tur fazaviy o’tish hisobiga shishasimon modda kristallanishi mumkin. 
Epitaksiya usulida bir vaqtda kirishmalar kiritib borilishi mumkin. 
Yarimo’tkazgichni legirlashda ionlar kiritish va diffuziya usullarini birgalikda 
qo’llash mumkin. Bu radiatsion rag’batlantirilgan diffuziya hodisasi kelib 
chiqishiga olib keladi. 
Hozirgi zamon texnologiyasida integral mikrosxemalar va diskret 
yarimo’tkazgichli asboblar ishlab chiqarishda epitaksial jarayonlar eng oldingi 
o’rinni egallaydi. Epitaksial texnologiya qo’llanilishi keyingi 10-15 yil ichida 
sifatli mahsulotlar ishlab chiqarishni 4-5 marta oshirib yubordi. Epitaksial 
qatlamlar tuzilish jihatdan hajmiy monokristalldan ancha takomillashganligi, 
ularda kirishmalami haqiqiy taqsimotiga ega bo’lishi bilan birga, nazorat qilib 
bo’lmaydigan iflosliklar kamligi bilan farq qiladi. 
Odatda, yarimo’tkazgichli asboblarning aktiv sohasi plastinkaning uncha 
chuqur bo’lmagan sirt mikrohajmi qismida vujudga keltiriladi. Plastinkaning 
qolgan qismi esa, shu aktiv sohani ushlab turish uchun xizmat qiladi. Demak, 
asbob tuzilmasi aktiv va passiv qismlardan tashkil topadi. Passiv qism 
texnologik jarayonda konstruktiv vazifani bajarib turadi, xolos. Chunki, o’ta 
yupqa plastinkalar bilan ishlab chiqarish jarayonida ishlab bo’lmaydi. 
Epitaksiya, umuman, yarimo’tkazgich plastinkani asbob uchun kerak bo’lmagan 
passiv qism parazit qarshiligini kamaytirish yo’lini qidirish tufayli vujudga 
keladi. Epitaksiya kichik omli plastinkalarda yuqori omli yarimo’tkazgichli 
qatlamlarni o’stirish imkonini berdi. 
1.1a-rasmda bir jinsli galliy arsenidi plastinkasida va 
n
+
− n tuzilmada 
tayyorlangan planar va diskret meza diodlarning kristallari ko’rsatilgan. Bunda 

---

11 
n-epitaksial qatlam solishtirma qarshiligi bir jinsli n-GaAs plastinkasining 
solishtirma qarshiligiga teng. Meza kristallar (1.1-rasm, a, I-rasm) va planar 
kristallar (1.1-rasm, a, II-rasm) solishtirishlaridan kelib chiqadiki, ikkinchi holat 
epitaksial tuzilmalarda (1.1-rasm, b, I-rasm va II-rasm) kristallning qalinlik 
qarshiligi R kam. Shunday qilib, 
n
+
− n tur epitaksial tuzilmali diodlarning 
mezaepitaksial va epitaksial-planarlarning chegara takroriyliklari yuqori bo’ladi. 
Chunki, 
ƒ ≈ 1/RC, bu yerda С—p–n)-o’tishning to’siq sig’imi. Epitaksiyaning 
afzalliklaridan yana biri, qalinlikning qatlam bo’yicha talab darajasidagi 
kirishmalar taqsimotiga ega bo’lgan legirlangan plastinkani olish imkoniyatini 
berishidir. Bu esa, turli xildagi yarimo’tkazgichli asboblar va integral 
mikrosxemalarning yaratilishiga olib keldi. 

---

12