Soliyeva Muhlisa Ikrom qizi

Ishning maqsadi: 
Ushbu bitiruv malakaviy ishining maqsadi yarimo’tkazgich asboblar 
texnologiyasi 
haqida ma’lumotlar yig’ish, ularni o’rganish hamda 
yarimo’tkazgich 
asboblar 
texnologiyasini 
amaliyotdagi 
afzalliklari, 
kamchiliklarini kuzatishdan iborat. Shu jumladan, epitaksiya tushunchasi, uning 
turlari bilan tanishish, amaliyotda epitaksiya jarayonini o’rganish ham bitiruv 
malakaviy ishining maqsadini qamrab oladi. Umuman olganda, yarimo’tkazgich 
asboblar texnologiyasida epitaksiyadan foydalanish asoslarini yoritib berishga 
qaratilgan.
Ishning vazifalari: 
Eng avvalo, o’quv jarayonida ham ushbu bitiruv malakaviy ishi sodda va 
tushunarli bo’lishi uchun mavzu doirasidagi barcha yangi tushunchalarga sodda 
ta’riflar keltirib o’tish. Yarimo’tkazgich asboblar texnologiyasida haqida zamon 
bilan hamnafas keng qamrovli ma’lumotlar bera olish. Epitaksiyani tushuntirish 
jarayonida yarimo’tkazgich asboblar bilan o’zaro bog’lab tushuntirish va 
yarimo’tkazgichlar texnologiyasida epitaksiyadan foydalanilganda qanday 
afzalliklarga erishishimiz mumkinligini to’liqroq ochib bera olish. 
Tadqiqot obyekti va predmeti: 
Tadqiqot obyekti sifatida yarimo’tkazgichlar, predmeti sifatida esa 
epitaksiya 
jarayoni 
xususida so’z boradi. Hozirgi vaqtda turlicha 
yarimo’tkazgich asboblar ishlab chiqarishda kremniy (Si), germaniy (Ge), 
A
2
B
2
, 
A
3
B
5
kabi yarimo’tkazgich birikmalar keng qo’llanilmoqda. Shu bilan birga 
hozirgi kunda ham kremniy monokristallari eng ko’p ishlatilayotgan 
yarimo’tkazgichlarning oldingi o’rnini egallab kelmoqda. Yarimo’tkazgich 
asboblar olishning asosiy texnologik jarayonlari esa, kirishmaviy atomlarni 
(kimyoviy elementlar) yarimo’tkazgich materialga yuqori temperaturalarda 
diffuziya 
jarayonida, 
yarimo’tkazgich 
materialni 
o’stirish jarayonida, 
yarimo’tkazgichlarni ion implantatsiyalash metodi yordamida kiritishdan iborat 
bo’lmoqda. Termik ishlov jarayonida yarimo’tkazgichni oksidlash, unga 
legirlovchi 
kirishmalarni 
diffuziyalash 
(yoki 
yarimo’tkazgich 
sirtiga 

---

6 
implantatsiyalangan ionlarni hajmga termik haydash) jarayonlari odatda yuqori 
temperaturalarda (1000
÷1300°C) olib borish, shuningdek, termik yuklash 
“qizdirish-sovutish” 
bosqichlarining 
ko’p 
marta 
takrorlanishi 
yarimo’tkazgichning, xususan, kremniyning dastlabki elektrofizik parametrlarini 
ko’p 
holatlarda 
muqarrar 
o’zgarishiga 
olib 
keladi 
(ya’ni, 
zaryad 
tashuvchilarning konsentratsiyasi, harakatchanligi va yashash vaqtlari keskin 
o’zgaradi). Natijada esa, kremniy asosida yaratilgan asboblarning (diod, 
tranzistor va h.k.) sifati keskin yomonlashadi. 
Turli turdagi ikki yarimo’tkazgich chegarasida katta elektr maydon 
bo’lgandagi jarayonlarni o’rganish p-n o’tishning teshilish nazariyasini vujudga 
kelishiga va bu asosda ishlovchi yarimo’tkazgichli asbob - stabilitronning 
yaratilishiga olib keldi. Shu jumladan, ikkita yarimo’tkazgich kontaktini 
yorug’lik energiyasini elektr energiyasiga aylantirishda qo’llash mumkinligi 
ko’rsatildi. Bu tamoyilda ishlab chiqilgan fotoelementlar yorug’lik signallarini 
qayd qilishda hamda fotoenergetikada qo’llanilmoqda. Yarimo’tkazgichlar 
yuzasida va yarimo’tkazgich-dielektrik faza chegarasidagi fizik jarayonlarni 
chuqur o’rganilishi unipolyar yoki maydonli tranzistorlarni yaratilishiga olib 
keldi. Bu tranzistorlarda zaryad tashuvchilar bir xil ishorali bo’lib, tranzistordan 
o’tuvchi tok kattaligi zatvorga qo’yiluvchi elektr maydon kuchlanganligiga 
bog’liq. 
Oxirgi bir necha o’n yillarda elektron texnikaga bo’lgan talab 
yarimo’tkazgichlarning funksional imkoniyatlarini oshirish va ularning 
o’lchamlarini kichraytirish – integral mikrosxemalarning yaratilishiga olib keldi. 
Keyingi tadqiqotlar esa nanoo’lchamdagi tranzistor strukturalarini yaratish 
imkonini tug’dirdi. 
Yarimo’tkazgichli asboblar shunday katta tezlikda rivojlantirilmoqdaki, 
bugungi tasavvur va yutuqlar bir necha yildan so’ng eskirib qolmoqda. Shu 
sababli, yarimo’tkazgichli asboblarda ro’y beruvchi fizik jarayonlarni bilish 
ahamiyatga egadir. Bu esa mutaxassislarning yangi usul va tamoyillarini 
mustaqil o’rganishga imkon beradi. Yarimo’tkazgichlar –moddaning ajoyib turi 

---

7 
bo’lib, ular o’ziga xos xossalari bilan boshqalardan yaqqol ajralib turadi. 
Umuman olganda, elektrik o’tkazuvchanligiga qarab moddalar uchta katta 
sinfga: o’tkazgichlarga (elektrik o’tkazuvchanligi 
10
6
simens dan katta), 
yarimo’tkazgichlarga (elektrik o’tkazuvchanligi
10
8
÷ 10
6
simens oralig’ida) va 
dielektriklarga (elektrik o’tkazuvchanligi 
10
8
simens dan kichik) bo’linadi. 
Yarimo’tkazgichlarning elektrik o’tkazuvchanligi juda keng oraliqda yotishi 
yuqoridagi ma’lumotlardan ko’rinib turibdi. 
Shu bilan birga yarimo’tkazgichlarning o’ziga xos muhim xususiyatlaridan 
biri 
elektrik 
o’tkazuvchanligining ulardagi kirishmalarning turi va 
konsentratsiyasiga nihoyatda sezgirligidir. Masalan, toza yarimo’tkazgichga 
10
−7
÷ 10
−10
% 
miqdorda 
kirishma 
kiritish 
bilan 
uning 
elektrik 
o’tkazuvchanligini 
keskin 
o’zgartirish 
mumkin. 
Shu 
bilan 
birga 
yarimo’tkazgichlarning yana bir muhim xususiyati 
– ular elektrik 
o’tkazuvchanligining temperaturaga o’ta sezgirligidir. Bunday bog’lanishni 
quyidagicha ifodalash mumkin: 
σ = B ∙ exp (−w
a
/kT) 
bu yerda, 
σ - berilgan T - temperaturadagi elektrik o’tkazuvchanlik,
B - o’zgarmas doimiy, 
w
a
- zaryad tashuvchilarning faollanish energiyasi,
k - Boltsman doimiysi, T - mutlaq temperatura. Chunonchi, yarimo’tkazgichning 
temperaturasi 1
°C ga o’zgarganda uning elektrik o’tkazuvchanligi 5-6% ga 
o’zgarishi mumkin. Juda ko’plab yarimo’tkazgichlarga va ular asosida yasalgan 
asboblarga yorug’lik, ionlovchi nurlar va shu kabilarning ta’sirlari ham elektrik 
o’tkazuvchanlikning keskin o’zgarishiga olib keladi. Bunga turli 
yarimo’tkazgich detektorlarni, yorug’lik diodlarini, yorug’lik rezistorlarini va 
qator boshqa asboblarni ham misol qilib ko’rsatish mumkin. Shuni eslatib o’tish 
joizki, yarimo’tkazuvchanlik xossasi faqat qattiq jismlargagina xos bo’lmay, 
suyuq holatdagi organik birikmalardan iborat shishasimon, amorf tuzilishga ega 
bo’lgan yarimo’tkazgichlar ham shunday xossalarga egadirlar. Ular o’zlarining 
bir qator ma’lum kamchiliklari tufayli hozircha texnikada keng tatbiq 
qilinganicha yo’q. Qattiq jismlardan yarimo’tkazgich xossasiga ega bo’lgan 

---

8 
moddalar qatoriga juda ko’p turli moddalar, masalan, kremniy, germaniy, bor, 
olmos, fosfor, oltingugurt, selen, tellur, ko’pchilik tabiiy minerallar va qator 
birikmalar: GaAs, GaP, JnSb, SiC, ZnS, CdTe, GaSb va h.k.lar kiradi. Bu 
yarimo’tkazgichlar o’zlarining xilma-xil xossalari bilan bir-birlaridan ancha farq 
qiladilar. Shuning uchun ham turli maqsadlar uchun turli yarimo’tkazgichlar 
qo’llaniladi. 
Biroq, hozirgi zamon texnikasida asosan bir necha xil yarimo’tkazgichlar 
keng ishlatilmoqda. Bularning ichida eng oldingi o’rinlarda kremniy (Si), 
germaniy (Ge), galliy margimushi (GaAs) turadi. Ayniqsa kremniy hozirgi 
zamon mikroelektronikasida o’zining ko’p xossalari bilan murakkab texnologik 
talablarga javob berganligi sababli asosiy material o’rnini egallab turibdi. 
Elektron texnikasida ishlatiladigan ko’pchilik yarimo’tkazgich materiallar 
kristall tuzilshga ega. Yarimo’tkazgichning kristall tuzilishi naqadar 
mukammalligi, unda turli nuqsonlarning bor yoki yo’qligi va ularning miqdori 
yarimo’tkazgichning asosiy xossalarini belgilab beruvchi omildir. 
Epitaksial sistema deganda qattiq monokristal taglikka surtilga yupqa ko’p 
qatlamli yarimo’tkazgichli strukturalar (geterostrukturalar va nanostrukturalar) 
tushuniladi. Yarimo’tkazgichli materiallarga to’liq asoslangan zamonaviy 
elektronika va kompyuter texnikasi rivoji elektron sistemalar o’lchamlarining 
kichrayishi, ishlash tezligining oshishi va energiya ta`minotining qisqarishi 
tomonga bormoqda. Shu nuqtai nazardan xarakteristik o’lchamlari nanometrli 
diapazonda yotuvchi epitaksial sistemalar o’ta muhim hisoblanadi. 

---

9