Ткм теория и практика формообразования заготовок

СУУ. 1.Приборы силовой электроники.
Приборы силовой электроники делятся на:
-полевые транзисторы MOSFET
-биполярные транзисторы и их модернизируемый вариант,коммутируемые по затвору,запираемые тиристоры
-биполярные транзисторы с изолированным затвором(малая мощность управления и малые коммутационные потери,низкое прямое падение напряжения)
Устройства и особенности работы биполярных транзисторов с изолированным затвором.IGBT-полностью управляемый полупроводниковый прибор,в основе которого лежит трехслойная труктура.

Состоит из 2-х транзисттров-полевой и биполярный.Сочетание 2-х приборов в одной структуре позволило объединить достоинства высокой токовой нагрузки и малым сопротивлением.Для IGBT с U=600...1200B в в полностью в включенном состоянии прямое падение напряжения так же как и для биполярных транзисторов находится в интервале 1,5-3В.Это значительное падение в отличии от MOSFET. MOSFET имеют более низкое значение напряжение во включенном состоянии и остаются непревзойденными в этом отношении.По быстродействию IGBT уступают MOSFET,но значительно превосходят биполярные.Область безопасной работы IGBT позволяет обеспечить его безопасную работу без применения дополнительных цепей формирования подключения при частоте 10-20 Гц,для модуля в несколько сотен ампер,таким качеством не обладают БТ,соединенные по схеме Дарлинтона. Ток управления IGBT мал,поэтому цепь управления –драйвер..В IGBT предусматривается система управления ШИМ.
2.Биполярный транзистор.
Биполярный транзистор - трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя, расположенными на близком расстоянии параллельными pn - переходами. Средняя область называется базой, одна из крайних областей - эмиттером, другая - коллектором. Соответственно в транзисторе два p-n-перехода: эмиттерный - между базой и эмиттером и коллекторный - между базой и коллектором. Область базы должна быть очень тонкой, гораздо тоньше эмиттерной и коллекторной областей. От этого зависит условие хорошей работы транзистора.Транзистор работает в трех режимах в зависимости от напряжения на его переходах. При работе в активном режиме на эмиттерном переходе напряжение прямое, на коллекторном - обратное. В режиме отсечки на оба перехода подано обратное напряжение. Если на эти переходы подать прямое напряжение, то транзистор будет работать в режиме насыщения.
С О.Э. С О.Б. С О.К.

Rвх.-маленькое Rвх-среднее Rвх-высокое
Rвнутр.=Rн
БТ-токовый прибор.
Работа БТ в режиме включения