Ткм теория и практика формообразования заготовок

4. Управление силовыми транзисторами
Биполярный транзистор - прибор управляемый током. Для того чтобы вызвать протекание тока коллектора, необходимо обеспечить протекание управляющего тока базы, требуемое значение которого определяется коэффициентом усиления, который мал у высоковольтных силовых транзисторов.
Биполярный транзистор управляется с помощью следующих схем:
схема а) Входной транзистор p-n-p-типа обеспечивает связь с открытым коллектором ТТЛ. Для ускорения выключения силового транзистора используется источник запирающего смещения.
схема б) Для уменьшениярассеиваемой мощности в схеме управления можно использовать комплементарные транзисторы. Если транзистор VT1 насыщен, то VT2 проводит ток. Транзистор VT3 при эжтом заперт, тк его эмиттер имеет более отрицательный потенциал относительно базы. Конденсатор С заряжается базовым током силового транзистора, обеспечивая его ускоренное отпирание. После запирания транзисторов VT1 и VT2, транзистор VT3 отпирается под действием напряжения на конденсаторе, который, разряжаясь, обеспечивает запирающий базовый ток силового транзистора.
схема в) С помощью нелинейной обратной связи исключается возможность насыщения транзисторов Т_t и Т, что увеличивает быстродействие устройства. С помощью катушки с индуктивностью L контролируется скорость нарастания запирающего тока базы силового транзистора.
МДП-транзистор управляется напряжением. Для того, чтобы вызвать протекание тока стока МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа, необходимо обеспечить положитнльное смещение затвора относительно истока
Может управляться непосредственно выходным напряжением логических интегральных микросхем.
Варианты управления:
1.С помощью микросхем

КМДП - комплементарный металл, диэлектрик, полупроводник.

2. КМДП

Если 0, то 2 тр-р открытии 3 разряжается быстро. Если 1, то открыт 1 и напряжение питания заряжает затвор 3.
3.ТТЛ микросхема с дополнительным резистором, уменьшающим его сопротивление.

4. ТТЛ с открытым коллектором

5. Схема управления с обратной развязкой.
6.Схема управления ключом на КМДП-транзисторах.
7.Схема управления с трансформаторной развязкой.
W=0,5Q_g U_gs
Q_g - заряд затвора при включающем напряжении затвора.
Мощность, которая затрачивается на переключение:
P= Q_g U_gs A_s
A_s – частота переключения
I_g = Q_g \ t – изменение заряда во времени (средний ток затвора): чем меньше время переключения, тем больше ток должен быть.
R_g = U_gs t\ Q_g R_g должно быть меньше 10 Ом